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我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)分析
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http://shiquanmuye.com 發(fā)稿日期:2009-5-20
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首先,產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)與專利缺乏,研發(fā)投入不足,研究力量分散,缺少產(chǎn)業(yè)化的國(guó)家公共研發(fā)平臺(tái)。
我國(guó)外延材料的核心技術(shù)研究仍處于弱勢(shì),生產(chǎn)外延材料的MOCVD(化學(xué)氣相沉積設(shè)備)核心裝備也高度依賴進(jìn)口,無(wú)法支撐外延核心技術(shù)、工藝和方法的持續(xù)創(chuàng)新,并且制造成本高。半導(dǎo)體照明外延材料的研發(fā),不僅在設(shè)備與原料上投入很高,而且還是一項(xiàng)“人與機(jī)器結(jié)合”不斷摸索的艱苦工作。與國(guó)外相比,我國(guó)研究投入明顯不足,研究力量又分散,研究工作也缺乏連續(xù)性,再加上設(shè)備、技術(shù)、信息不能有效共享等問題,造成核心關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)沒有形成合力,缺少能夠有效地對(duì)單項(xiàng)技術(shù)集成和促進(jìn)工藝上、工程上成熟的產(chǎn)業(yè)化支撐平臺(tái),無(wú)法形成自主創(chuàng)新資源的合理配置和集中投入。
其次,產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡,企業(yè)規(guī)模偏小、創(chuàng)新能力弱,高端市場(chǎng)被國(guó)際公司占據(jù)。
我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)雖然先后實(shí)現(xiàn)了自主生產(chǎn)器件、芯片和外延片,但自產(chǎn)的LED外延、芯片仍以中、低檔為主,產(chǎn)業(yè)化規(guī)模偏小,80%以上的高亮功率型LED芯片、器件還是依賴進(jìn)口。由于技術(shù)進(jìn)步速度加快,大規(guī)模應(yīng)用市場(chǎng)正在形成,所以急需上、中游規(guī)模化生產(chǎn)能力的擴(kuò)大和產(chǎn)品性能的提高。目前雖然民間資本介入較快,但與國(guó)外相比企業(yè)規(guī)模較小,形不成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和品牌,并且技術(shù)創(chuàng)新能力與承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)能力都遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠,因此高端外延、芯片市場(chǎng)仍然被國(guó)際幾大巨頭壟斷。
再次,標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)體系不完善,缺乏權(quán)威檢測(cè)平臺(tái)。
由于半導(dǎo)體照明技術(shù)進(jìn)步快,涉及行業(yè)多,處在多學(xué)科交叉的產(chǎn)業(yè)邊緣地帶,以及在檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)方法的研發(fā)等方面沒有足夠的投入,導(dǎo)致半導(dǎo)體照明的標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)體系尚未形成,也沒有針對(duì)半導(dǎo)體照明產(chǎn)品的權(quán)威檢測(cè)平臺(tái)。由于LED產(chǎn)品的技術(shù)差異性極大,又沒有專業(yè)權(quán)威、統(tǒng)一的測(cè)試機(jī)構(gòu)與認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),加之地方政府示范心切,且又急于發(fā)展地方的企業(yè),導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量良莠不齊,嚴(yán)重影響消費(fèi)者的信心。
最后,缺乏針對(duì)光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策。
美國(guó)、日本、歐盟等采取了一系列措施來促進(jìn)半導(dǎo)體照明的應(yīng)用和推廣。與國(guó)外相比,我國(guó)尚沒有相關(guān)的產(chǎn)業(yè)促進(jìn)政策出臺(tái)或沒有實(shí)施細(xì)則,缺乏支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相應(yīng)措施。特別是核心裝備和關(guān)鍵原材料高度依賴進(jìn)口,過高的進(jìn)口關(guān)稅及增值稅,嚴(yán)重影響了國(guó)內(nèi)上游外延芯片企業(yè)制造成本的降低和規(guī)模的擴(kuò)大。 - ■ 與【我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)分析】相關(guān)新聞
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