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          英特爾10nm處理器將超越三星、臺(tái)積電

          2017年1月6日     來(lái)源:芯智訊      編輯:zhoujiale      繁體
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          隨著摩爾定律走向極限,半導(dǎo)體工藝的推進(jìn)愈發(fā)困難,不過(guò)現(xiàn)在臺(tái)積電和三星的10nm還是量產(chǎn)了。昨天首款10nm工藝芯片高通驍龍835也正式發(fā)布。而曾經(jīng)作為半導(dǎo)體工藝技術(shù)龍頭的英特爾卻動(dòng)作遲緩,被稱(chēng)為“牙膏廠”,長(zhǎng)時(shí)間待在14nm上不肯動(dòng)彈。那么,真的是英特爾在技術(shù)上黔

            隨著摩爾定律走向極限,半導(dǎo)體工藝的推進(jìn)愈發(fā)困難,不過(guò)現(xiàn)在臺(tái)積電和三星的10nm還是量產(chǎn)了。昨天首款10nm工藝芯片高通驍龍835也正式發(fā)布。而曾經(jīng)作為半導(dǎo)體工藝技術(shù)龍頭的英特爾卻動(dòng)作遲緩,被稱(chēng)為“牙膏廠”,長(zhǎng)時(shí)間待在14nm上不肯動(dòng)彈。那么,真的是英特爾在技術(shù)上黔驢技窮了嗎?這是要被三星、臺(tái)積電反超的節(jié)奏?顯然不是。

          英特爾,10nm處理器

            工藝上仍有很大差異
            其實(shí)三星、臺(tái)積電的工藝與英特爾的制程工藝還是有著比較大的差距。
            三星、臺(tái)積電的工藝數(shù)字都經(jīng)過(guò)不同程度的“美化”。這些晶圓代工業(yè)者都想辦法把數(shù)字弄得愈小愈好,這實(shí)際上是商業(yè)策略。
            這也讓業(yè)界非常困擾。據(jù)說(shuō)即使是高通內(nèi)部的會(huì)議簡(jiǎn)報(bào),都不能直接套用晶圓代工廠公告的技術(shù)數(shù)字,而必須經(jīng)過(guò)換算。要問(wèn)清楚,這個(gè)硅晶圓上到底可以放多少個(gè)邏輯電路?
            一位資深業(yè)者透露,聯(lián)發(fā)科內(nèi)部也有一套換算方式:臺(tái)積電的16nm等于英特爾的20nm、10nm等于英特爾的12nm。接下來(lái)未定,可能臺(tái)積電的7nm,比英特爾的10nm要好一點(diǎn)。
            也就是說(shuō),三星、臺(tái)積電現(xiàn)在量產(chǎn)的10nm也只是與英特爾的14nm工藝相當(dāng)。而一旦英特爾的10nm工藝推出,將會(huì)超越三星、臺(tái)積電的10nm。
            對(duì)此,英特爾在最新一期的半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威刊物《IEEESpectrum》上撰文,暢談了自己的10nm工藝,尤其是在技術(shù)、成本方面的巨大優(yōu)勢(shì)。
            Intel高級(jí)院士MarkBohr表示,Intel10nm工藝的晶體管密度不但會(huì)超過(guò)現(xiàn)在的Intel14nm,還會(huì)優(yōu)于其他公司的10nm,也就是集成度比他們更高,柵極間距將從14nm工藝的70nm縮小到54nm,邏輯單元?jiǎng)t縮小46%,這比以往任何一代工藝進(jìn)化都更激進(jìn)。
            英特爾10nmCannonLake處理器今年年內(nèi)出貨
            今天,英特爾在CES2017展前發(fā)布會(huì)上首次公開(kāi)演示了一臺(tái)搭載10nmCannonLake處理器的二合一筆記本,柯再奇用它在現(xiàn)場(chǎng)播放了一段由JimParsons和MichaelPhelps主演的公司廣告片。
            科再奇發(fā)布會(huì)上表示:“技術(shù)正以前所未有的速度向前發(fā)展,而摩爾定律是加速的核心。”可見(jiàn),英特爾仍將繼續(xù)努力推動(dòng)摩爾定律。
            英特爾強(qiáng)調(diào),10nmCannonLake定于今年年內(nèi)出貨。這下,臺(tái)積電和三星恐怕要著急了。
            雖說(shuō)臺(tái)積電和三星的10nm已經(jīng)量產(chǎn),但是真正的產(chǎn)品出貨恐怕要等到今年二季度了。而只需要在等最多兩個(gè)季度,英特爾的10nm也可以出貨了。而且,英特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星的10nm工藝。此外,值得注意的是,目前英特爾已經(jīng)與ARM達(dá)成合作,英特爾將可以用自己的先進(jìn)制程工藝生產(chǎn)ARM芯片。一旦英特爾10nm工藝開(kāi)放代工,將會(huì)對(duì)臺(tái)積電和三星造成沉重打擊。
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