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下一代存儲器技術(shù)預計
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http://shiquanmuye.com 發(fā)稿日期:2009-9-16
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電子系教授繆向水在IIC-China 2009秋季展武漢站上說,下一代存儲器技術(shù)既不是MRAM,也不是FeRAM,而是目前還正處于研發(fā)階段的相變存儲器(PCM)。他預測,商業(yè)化PCM產(chǎn)品要到2012年前后才可能出來,目前大量應用的閃存發(fā)展到32nm節(jié)點后就到頂了,之后就將逐漸被PCM所取代。 FeRAM盡管已上市很多年了,但其應用市場一直很有限,打不開,這也從另一方面說明了該技術(shù)的局限性。MRAM雖然比較新(已上市2-3年),但應用市場也有限,規(guī)模也上不去。盡管這兩種存儲器都有很多超越閃存的優(yōu)點,但其市場表現(xiàn)說明市場對這些新優(yōu)勢的需求不是那么迫切,閃存的低成本對市場更有吸引力。
MRAM的最大固有發(fā)展障礙是容量,由于位存儲是靠電流產(chǎn)生的磁性來實現(xiàn)的,因此要實現(xiàn)大容量需要供給很大的電流,在越來越強調(diào)低功耗的今天,這一需求顯然是和市場大趨勢相違背的,因此MRAM不會成為下一代存儲器。
繆向水表示,目前Numonyx、英特爾和三星都在積極開發(fā)PCM,他們誰也不敢掉以輕心,因為誰在這場競賽中輸了,誰就要丟失整整一代存儲器市場。
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