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CVD金剛石膜的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用與存在的問題分析
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http://shiquanmuye.com 發(fā)稿日期:2011-6-28
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2011-2016年中國全燈定風(fēng)翼行業(yè)投資項目分析及前 【出版日期】 2011年6月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個2011-2016年中國反沖運(yùn)動演示器行業(yè)投資項目分析 【出版日期】 2011年6月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個2011-2016年中國多功能線路板返修臺行業(yè)投資項目 【出版日期】 2011年6月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個2011-2016年中國多功能計數(shù)器行業(yè)投資項目分析及 【出版日期】 2011年6月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個
化學(xué)氣相沉積金剛石膜的研究可以追溯到50年代,但直到70年代末至80年代初由于日本學(xué)者的貢獻(xiàn)才開始展現(xiàn)出實際應(yīng)用的可能性。盡管從80年代中期開始形成所謂的“金剛石熱”,但真正的進(jìn)展卻是在進(jìn)入Q0年代以后,恃別是在1993午以后取得的。
從理論方面來講,通過近十余年來的努力,已基本弄清了金剛石膜化學(xué)氣相沉積的機(jī)理。大量的實驗研究,特別是采用各種各樣的診斷方法所進(jìn)行的研究,已經(jīng)闡明了金剛石氣相沉積的化學(xué)環(huán)境和表面過程。對于金剛石在異質(zhì)襯底上的成核和生長過程已經(jīng)有了比較深入的認(rèn)識。理論模型和計算也顯示出和實驗結(jié)果較好的吻合。但是,對于金剛石化學(xué)氣相沉積的表面化學(xué)過程仍然不象氣相過程那樣十分清楚。
從技術(shù)意義上來講,最近十余年來的進(jìn)展主要反映在CVD 金剛石膜沉積速率和質(zhì)量的飛速提高以及制備成本的大幅度降低。與80年代中期相比,金剛石膜的沉積速率提高了近1000倍,而制備成本也相應(yīng)降低到原來的1/10000這主要歸因于大面積、高生長速率沉積設(shè)備和工藝的成功開發(fā)以及對于金剛石化學(xué)氣相沉積機(jī)理的深入認(rèn)識。與此同時,在高質(zhì)量金剛石膜的制備方面也取得了令人矚目的進(jìn)展,從90 年代中期開始出現(xiàn)的“光學(xué)級金剛石膜”,其質(zhì)量足以和最高質(zhì)量的天然Ⅱa 型寶石級金剛石單晶相媲美,在幾乎所有的物理化學(xué)性能方面都可與之匹敵,惟有力學(xué)性能特別是機(jī)械強(qiáng)度與天然金剛石單晶仍有較大差距(差不多低一個數(shù)量級)。
與此同時,CVD金剛石膜的應(yīng)用研究及其產(chǎn)業(yè)化也取得了矚目的進(jìn)展。CVD金剛石膜工具已經(jīng)在國內(nèi)外市場上出現(xiàn),盡管目前的市場規(guī)模還不大,但已經(jīng)顯示出了極佳的市場前景。金剛石膜熱沉已經(jīng)開始在高功率半導(dǎo)體激光二極管上獲得市場應(yīng)用,在大規(guī)模集成電路三維組裝技術(shù)(即MCMs-Multi Chip Modules)、半導(dǎo)體器件( 特別是大功率和高頻率器件)的封裝等方面的應(yīng)用已經(jīng)取得了實質(zhì)性進(jìn)展, 展現(xiàn)了廣闊的市場應(yīng)用前景,并已形成了至少為數(shù)千萬美元的市場。在光學(xué)應(yīng)用方面,隨著極高質(zhì)量的光學(xué)級金剛石膜的出現(xiàn),金剛石膜光學(xué)的市場應(yīng)用也就提到了議事日程。除早期的X—射線窗口外,近年采用于紅外熱成像裝置窗口、 高速攔截導(dǎo)彈頭罩、強(qiáng)激光窗口、高功率微波窗口等都己達(dá)到或按近實用化水平。由于在許多場合下涉及到軍事應(yīng)用而無法了解實際的市場規(guī)模,但在國外市場上已經(jīng)能夠買到直徑達(dá)F1OOmm的金剛石膜平板窗口(價值10萬馬克)。盡管在金剛石膜異質(zhì)外延方面迄今并未取得突破,n型摻雜也不太理想, 但在金剛石膜的電子學(xué)應(yīng)用方面仍然取得了很大的進(jìn)展。采用極高質(zhì)量金剛石膜制作的粒子探測器,其性能參數(shù)(采集距離LC) 甚至超過了最高質(zhì)量的天然Ⅱa型金剛石單晶。除此之外, 各種各樣的金剛石膜探測器、傳感器其性能亦不斷提高,很有可能形成可觀的市場。特別值得一提的是金剛石膜在真空微電子器件和聲表面波器件(SAW)方面的應(yīng)用。 前者利用金剛石膜的優(yōu)異場發(fā)射性能,可制作全固態(tài)高性能平板顯示器,而后者則可能用于制作高頻帶寬度(可達(dá)4GHz-6GHz)的濾波器,從而大幅度提高未來移動電話通訊的性能。目前國外已經(jīng)出現(xiàn)演示性的金剛石膜平板顯示器件,商品化的金剛石膜SAW 器件也已出現(xiàn)。上述應(yīng)用的市場前景極佳,僅金剛石膜顯示器件,專家預(yù)測在近年內(nèi)就有可能實現(xiàn)上十億美元的市場。
2 我國CVD金剛石膜研究進(jìn)展和產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀及存在的問題
我國863計劃從“七五”計劃就開始建立專項支持CVD金剛石膜的研究開發(fā),先后資助了數(shù)十個研究開發(fā)項目,并在“八五”和“九五”期間均設(shè)立了專門的重大 (關(guān)鍵技術(shù))項目,旨在推進(jìn)金剛石膜的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。自然科學(xué)基金委員會也在“八五”和“九五”計劃期間資助了超過20項有關(guān)CVD金剛石膜的基金項目,其中包括2 個重大項目。經(jīng)過十幾年的努力,我國在CVD金剛石膜的制備、 加工和應(yīng)用研究方面取得了長足進(jìn)步,已顯著縮小了同國外的差距。
在金剛石膜的制備技術(shù)方面,通過十幾年的努力,已在熱絲CVD(EACVD)、熱陰極CVD和直流電弧等離子體噴射(DC Arc Plasma Jet)CVD等方面形成了大面積、高質(zhì)量、金剛石自支撐膜的制備能力和初步的加工能力,為金剛石膜的工業(yè)化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。特別是在高功率DC Arc Plasma Jet CVD設(shè)備方面,在863計劃“八五” 重大關(guān)鍵技術(shù)的支持下,研制出了具有我國特色和獨立知識產(chǎn)權(quán)的100kW 級高功率系統(tǒng)。采用獨特的大口徑長通道磁控/流體動力學(xué)旋轉(zhuǎn)電弧等離子體炬,可在氣體循環(huán)條件下制備大面積光學(xué)級、熱沉級和工具級金剛石自支撐膜。這一技術(shù)已受到國外同行的重視,為我國在CVD金剛石膜研究領(lǐng)域贏得了一席之地。與此同時, 在工具、熱沉、光學(xué)和電學(xué)(電子學(xué))應(yīng)用方面也取得了不小的進(jìn)展,終于在上世紀(jì)末使我國在CVD金剛石膜研究方面開始進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段。
我國目前僅僅在金剛石厚膜工具方面獲得了有限的市場應(yīng)用。最早建立的金剛石膜產(chǎn)業(yè)是北京天地金剛石公司,由南京天地集團(tuán)投資,依賴863 計劃重大項目技術(shù),于1996年和北京人工晶體研究院合作建立。該公司主要經(jīng)營各種CVD 金剛石厚膜釬焊工具、金剛石膜拉絲模模芯、各種摩擦磨損應(yīng)用產(chǎn)品( 如高精密軸承支架、金剛石砂輪修整筆等),據(jù)說也經(jīng)營PCD(金剛石聚晶)工具和材料。該公司2000年下半年渡過投入——贏利轉(zhuǎn)折點,進(jìn)入了穩(wěn)步發(fā)展時期,但至今市場規(guī)模仍然不大。除北京天地公司外,核工業(yè)部9院、河北省科學(xué)院(和北京科技大學(xué)合作)、寧夏機(jī)械研究院(和北京科技大學(xué)合作)、黃河集團(tuán)公司(和吉林大學(xué)合作)和浙江大學(xué)等也在生產(chǎn)和銷售CVD金剛石厚膜工具產(chǎn)品,主要是金剛石拉絲模模芯, 但市場規(guī)模都還不大。
金剛石厚膜工具的性能雖優(yōu)于PCD,但由于制備和加工成本較高,且限于制作形狀簡單的工具,因此面臨PCD的激烈競爭, 只有在超精密高效加工工具和極端摩擦磨損場合才能顯示明顯優(yōu)勢。金剛石膜拉絲模模芯由于金剛石膜的多晶結(jié)構(gòu)特征而具有準(zhǔn)各向同性性質(zhì),使其明顯優(yōu)于PCD,甚至可能超過金剛石單晶, 因此具有較好的市場前景。估計國內(nèi)市場容量為5億元左右,怛日前CVD金剛石拉絲模模芯所占國內(nèi)市場份額不到1%。問題主要在于:(1)目前的金剛石自支撐膜強(qiáng)度仍然較低,且強(qiáng)度的分散性較大,致使產(chǎn)品的質(zhì)量波動較大,嚴(yán)重影響了用戶信譽(yù)的建立;(2) 市場對CVD金剛石膜產(chǎn)品仍然不了解,進(jìn)入市場需要時間。
相比之下,金剛石薄膜涂層工具制備成本很低,而性能與PCD接近,甚至可超過PCD,加上可在形狀復(fù)雜工具(如麻花鉆頭、端銑刀、銑刀和帶斷屑槽的可轉(zhuǎn)位刀片等)上直接沉積金剛石膜及易于實現(xiàn)工業(yè)大批量生產(chǎn)等優(yōu)點,市場前景極佳。 目前國內(nèi)在提高金剛石膜在硬質(zhì)合金襯底上的附著力方面已經(jīng)取得很大進(jìn)展,盡管仍有很大改善余地,但已具備進(jìn)行實用化金剛石薄膜涂層硬質(zhì)合金工具研發(fā)的條件。目前國內(nèi)實現(xiàn)金剛石薄膜涂層硬質(zhì)合金工具產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)障礙是:(1) 金剛石涂層的附著力仍需進(jìn)一步提高;(2) 急切需要研發(fā)適合于工業(yè)化生產(chǎn)的工業(yè)化金剛石薄膜工具涂層設(shè)備和相應(yīng)的配套工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù);(3) 需要解決工業(yè)化生產(chǎn)中的產(chǎn)品質(zhì)量檢測和質(zhì)量控制技術(shù);(4) 需要針對國內(nèi)市場的具體情況進(jìn)行金剛石薄膜涂層的產(chǎn)品研發(fā)和市場開發(fā)。
除汽車工業(yè)需要加工的大量高硅鋁合金構(gòu)件外,國防工業(yè)中的各種難加工材料,如各種有色金屬、復(fù)合材料、陶瓷、高分子材料和無機(jī)非金屬材料等都是金剛石涂層硬質(zhì)合金工具具有明顯優(yōu)勢的應(yīng)用范圍,其技術(shù)經(jīng)濟(jì)性遠(yuǎn)優(yōu)于PCD 和天然金剛石工具。此外,金剛石薄膜涂層工具還有2 個具有極佳市場應(yīng)用前景的應(yīng)用領(lǐng)域:一是金剛石薄膜涂層硬質(zhì)合金微型鉆頭;二是金剛石薄膜涂層硬質(zhì)合金木工工具。目前我國已經(jīng)成為半導(dǎo)體集成電路板卡生產(chǎn)大國,年產(chǎn)值已超過400億元, 而且還在繼續(xù)以超過10%的年增長率不斷上升。現(xiàn)代集成電路板卡都是用纖維增強(qiáng)的復(fù)合材料制成,并采用了多層銅布線工藝,對硬質(zhì)合金鉆頭的磨損非常厲害,致使硬質(zhì)合金微型鉆頭的消耗占板卡總產(chǎn)值的15%左右。金剛石薄膜涂層硬質(zhì)合金微型鉆頭不僅將解決我國集成電路板卡生產(chǎn)廠商的急需,而且還將帶來極大的經(jīng)濟(jì)效益。在現(xiàn)代化的家具廠和木工工廠中,對硬木家具和超硬涂層復(fù)合地板的機(jī)械化加工需求越來越大,而關(guān)鍵是木工加工的組合工具。這些工具大都是進(jìn)口的,價格非常之高,使用壽命很短。有些工具雖可重磨,但必須送到國外由制造商進(jìn)行。因此,也為金剛石薄膜涂層工具提供了可以展現(xiàn)身手的另一片天地。
近年來,在863計劃重大項目支持下, 國內(nèi)在光學(xué)級金剛石自支撐膜的制備技術(shù)上取得了較大進(jìn)展。北京科技大學(xué) 1997 年底在國內(nèi)首次采用高功率 DC Arc Plasma Jet CVD工藝成功制備了光學(xué)級(透明)金剛石自支撐膜,從紫外(0. 22mm) 直至微波波段除位于4mm-6mm的本征吸收峰外沒有任何其它吸收峰,在整個紅外波段透過率大約70%,熱導(dǎo)率高達(dá)19W/cm·K,和天然Ⅱa型寶石級金剛石單晶接近。光學(xué)級金剛石自支撐膜不僅在軍事上有非常重要的應(yīng)用前景,可作為高馬赫數(shù)飛行導(dǎo)彈紅外窗口和頭罩、高功率微波窗口(Gyrotron)、衛(wèi)星光學(xué)窗口,在民用方面也有極佳的市場應(yīng)用前景。最重要的一個應(yīng)用是作為高功率工業(yè)CO2激光窗口, 不僅可替代目前使用的ZnSe和GaAs窗口,大幅度提高工業(yè)CO2 激光加工機(jī)輸出光束的質(zhì)量,從而改善和提高激光加工質(zhì)量和水平,而且還將促進(jìn)整個激光加工行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步(采用金剛石窗口可以容許更高功率的激光輸出,促進(jìn)高功率CO2激光器的研發(fā),使激光加工能力進(jìn)一步提升)。此外, 諸如高檔“鉆石表殼”之類的高檔消費(fèi)品也可能具有意想不到的市場前景。雖然和國外相比仍有不小差距,但我國在金剛石光學(xué)應(yīng)用方面已經(jīng)開始具有市場應(yīng)用研發(fā)的能力。
國內(nèi)從“八五”計劃開始進(jìn)行金剛石膜的熱學(xué)應(yīng)用研發(fā),主要應(yīng)用目標(biāo)是高功率激光二極管陣列熱沉。但是,由于一些相關(guān)的技術(shù)問題,如金剛石膜的拋光和金屬化以及與器件半導(dǎo)體工藝的兼容性等問題沒有很好解決,至今仍未實現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用。但是,近年來國內(nèi)在大面積高熱導(dǎo)率級別金剛石自支撐膜的制備方面取得了較大進(jìn)展,已有能力制備8w/cm·K-19W/cm·k的各種熱導(dǎo)率級別的金剛石熱沉片。國外近年來對金剛石熱沉片的需求不斷增加,而我國在金剛石熱沉片的制備方面具有非常明顯的成本優(yōu)勢。無論是熱絲CVD、熱陰極CVD還是高功率DC Arc Plasma Jet CVD都有可能以僅相當(dāng)于國外1/2-1/3 左右的價格向國外市場大批量提供各種規(guī)格的熱沉片(熱絲CVD和熱陰極CVD僅能制備15 W/cm·K以下級別的熱沉片,更高熱導(dǎo)率級別熱沉片需要采用DC Arc Plasma Jet CVD)。但是,目前國內(nèi)的設(shè)備水平還暫時不能滿足大批量金剛石熱沉片的生產(chǎn)要求,需要研發(fā)適合于工業(yè)化批量生產(chǎn)的大面積高質(zhì)量金剛石自支撐膜沉積設(shè)備。除高功率激光二極管陣列以外,國外還將金剛石膜熱沉用于MCMs(多芯片三維組裝技術(shù))和功率半導(dǎo)體器件(Power ICs) 的金剛石封裝。金剛石膜的極高熱導(dǎo)率使其在器件的小型化和微型化方面具有非常好的應(yīng)用前景。對于國外來說,目前主要技術(shù)障礙是金剛石膜的制備和加工成本,假如國內(nèi)能夠在最近2年—3年形成向國外市場批量提供各種熱導(dǎo)率級別廉價金剛石膜熱沉晶片的能力,就可能迅速進(jìn)入國際市場,并保持較強(qiáng)的競爭能力。
國內(nèi)在金剛石膜主動電子器件、金剛石膜探測器和傳感器及金剛石膜電化學(xué)應(yīng)用等方面的研究沒有太大的進(jìn)展。但近年來在冷陰極場發(fā)射和真空微電子器件、聲表面波器件(SAW)等方面的研究相當(dāng)活躍。但與國外相比有不小差距, 特別是在器件研制和實際應(yīng)用研發(fā)方面。
納米金剛石膜是近年來才出現(xiàn)的在CVD金剛石膜研究領(lǐng)域的一個新熱點。與通常的金剛石膜(也稱微米晶粒金剛石膜,晶粒尺寸從0.3μm-數(shù)百μm)相比,納米金剛石膜晶粒尺寸僅為0.2μm-幾個nm。因此納米金剛石膜表面極其光滑平整, 表面粗糙度可在Ra 20nm以下,摩擦系數(shù)僅為0.06-0.1,比通常微米金剛石膜還低(大約 0.1)。納米金剛石膜的晶界由sp2雜化的碳原子組成, 大量晶界的存在便納米金剛石膜的電學(xué)性質(zhì)與微米金剛石膜大不相同,納米金剛石膜的電阻率與硼重?fù)诫s的微米金剛石膜相當(dāng),并使其具有極其優(yōu)異的冷陰極場發(fā)射性能和電化學(xué)性能。納米金剛石膜在金剛石涂層工具、摩擦磨損、場發(fā)射、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))、重要紅外光學(xué)材料防護(hù)涂層和電化學(xué)等許多高新技術(shù)領(lǐng)域都可能有優(yōu)于普通微米金剛石膜的應(yīng)用前景。目前我國不少單位已在進(jìn)行相關(guān)的研究開發(fā)工作,并已取得可喜的研究進(jìn)展。
3 對我國CVD金剛石膜產(chǎn)業(yè)化的建議;
根據(jù)以上介紹的情況和我國 (特別是北京地區(qū))技術(shù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的特點和現(xiàn)有的研究開發(fā)基礎(chǔ),建議:
(1)為適應(yīng)北京地區(qū)汽車工業(yè)、機(jī)電和國防工業(yè)的飛速發(fā)展, 建議對金剛石薄膜涂層硬質(zhì)合金工具產(chǎn)業(yè)化予以立項支持,重點應(yīng)放在:、俳饎偸∧ね繉佑操|(zhì)合金工具工業(yè)化涂層設(shè)備( 單臺設(shè)備年生產(chǎn)能力:金剛石涂層硬質(zhì)合金刀片或鉆頭10萬只以上)及配套工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)研發(fā);
、诮饎偸∧ね繉佑操|(zhì)合金工具質(zhì)量監(jiān)測和控制技術(shù)研發(fā);
、壑攸c產(chǎn)品研制及工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)研發(fā):
A.用于汽車工業(yè)和國防工業(yè)用高硅鋁合金和各種難加工材料(復(fù)合材料、陶瓷、高分子聚合物材料)高效精密加工的精密切削工具;
B.用于集成電路板卡加工(鉆孔)的金剛石薄膜涂層硬質(zhì)合金微型鉆頭及工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)研發(fā);
C.金剛石薄膜涂層木工工具及工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)。 (2) 為適應(yīng)國內(nèi)和北京地區(qū)微電子和光電子技術(shù)的飛速發(fā)展和器件小型化的趨勢,建議: ①研發(fā)可用于大面積(F100mm以上)光學(xué)級、熱沉級和工具級金剛石自支撐膜批量生產(chǎn)的工業(yè)化金剛石膜沉積設(shè)備(單臺設(shè)備年生產(chǎn)金剛石白文撐膜(工具級) 能力約30000克拉)及相應(yīng)的生產(chǎn)技術(shù),盡快(力爭在2年左右) 建立可首先向國外市場批量提供上述產(chǎn)品的工業(yè)化生產(chǎn)能力;②開展采用高導(dǎo)熱金剛石基板的MCMs技術(shù)和功率半導(dǎo)體(Power ICs) 金剛石封裝技術(shù)研究,促進(jìn)微電子和光電子器件小型化和升級換代,并形成市場應(yīng)用;③開展采用金剛石膜基板的聲表面波器件研究,研發(fā)新一代高性能移動通訊技術(shù)。
(3)研發(fā)高功率工業(yè)CO2激光窗口產(chǎn)品及工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù),向國內(nèi)外市場提供廉價光學(xué)級金剛石白支撐膜窗口,并促進(jìn)國內(nèi)激光加工行業(yè)技術(shù)進(jìn)步;
(4)開展納米金剛石膜制備、表征和應(yīng)用開發(fā)研究,鼓勵納米金剛石膜在工具、摩擦磨損、MEMS、場發(fā)射平板顯示和光學(xué)涂層等高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。
4 結(jié)語
在過去十幾年間CVD金剛石膜技術(shù)研究已經(jīng)取得了極其巨大的進(jìn)展,目前在工具、熱學(xué)、光學(xué)等一些應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)開始進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用階段。國內(nèi)外都已開始有一些金剛石膜新興產(chǎn)業(yè)涌現(xiàn)。
根據(jù)國內(nèi)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和國內(nèi) (北京地區(qū))技術(shù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展特點,除已有的金剛石自支撐膜工具(和摩擦磨損)應(yīng)用之外,金剛石薄膜涂層工具和金剛石熱沉基片有可能在近期內(nèi)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,且市場前景更佳。光學(xué)級金剛石自支撐膜工業(yè)CO2 激光窗口、采用高導(dǎo)熱金剛石基片的MCMs和功率半導(dǎo)體(Power ICs)的金剛石封裝, 場發(fā)射顯示器件和聲表面波器件(SAW)及納米金剛石膜的應(yīng)用等也將陸續(xù)進(jìn)入市場。 金剛石膜的產(chǎn)業(yè)化不僅將會產(chǎn)生巨大的市場經(jīng)濟(jì)效益,而且還將有可能對我國和北京地區(qū)諸多高新技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展和相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步帶來深刻影響。而以上項目目標(biāo)的實現(xiàn),除政府有關(guān)部門的文持和廣大科技人員的不懈努力外,還需企業(yè)界有識之士的積極參與。近年來在CVD金剛石膜研究領(lǐng)域取得的進(jìn)展是確實無疑的,與過去幾年相比,現(xiàn)在的技術(shù)更加接近了市場應(yīng)用,盡管仍有一定風(fēng)險,但已到了可以預(yù)測和承受的程度。由于金剛石膜的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊,因此在金剛石膜產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域的風(fēng)險不會是災(zāi)難性的,對那些想要涉足這一領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化開發(fā)的企業(yè)來說,關(guān)鍵是必須擁有一支有良好素質(zhì)的研發(fā)隊伍和一個強(qiáng)大的研發(fā)基地(中心)。因此,在未來金剛石膜新興產(chǎn)業(yè)的建設(shè)中,“產(chǎn)、學(xué)、研”的模式仍然是最佳的選擇。
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- ·2011-2016年中國多功能配電柜行業(yè)投資項目分析及前景發(fā)展戰(zhàn)略報告
- ·2011-2016年中國多層片式電感器行業(yè)投資項目分析及前景發(fā)展戰(zhàn)略報告
- ·2011-2016年中國多表抄表器行業(yè)投資項目分析及前景發(fā)展戰(zhàn)略報告
- ·2011-2016年中國感應(yīng)塞行業(yè)投資項目分析及前景發(fā)展戰(zhàn)略報告
- ·2011-2016年中國扶梯節(jié)電控制器行業(yè)投資項目分析及前景發(fā)展戰(zhàn)略報告
- ·2011-2016年中國獨立支撐導(dǎo)向件行業(yè)投資項目分析及前景發(fā)展戰(zhàn)略報告
- ■ 市場分析
- ■ 行業(yè)新聞
- ■ 經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
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- ·2011年1-5月四川起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2011年1-5月重慶起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2011年1-5月湖南起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2011年1-5月湖北起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2011年1-5月江西起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2011年1-5月福建起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
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