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碳芯片技術(shù)商業(yè)化前景點(diǎn)評
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http://shiquanmuye.com 發(fā)稿日期:2009-7-14
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2009-2012年中國鑄造機(jī)械產(chǎn)業(yè)運(yùn)行態(tài)勢及投資前景 【出版日期】 2009年7月 【報(bào)告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個(gè) 【印2009-2012年中國照相機(jī)產(chǎn)業(yè)市場調(diào)研及投資前景預(yù) 【出版日期】 2009年7月 【報(bào)告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個(gè) 【印2009-2012年中國印刷機(jī)械產(chǎn)業(yè)市場走勢及投資前景 【出版日期】 2009年7月 【報(bào)告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個(gè) 【印2009-2012年中國壓路機(jī)行業(yè)格局及投資前景展望分 【出版日期】 2009年7月 【報(bào)告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個(gè) 【印二維架構(gòu)的碳,是厚度3埃(angstrom)的單分子層,又稱為石墨烯(graphene),則可藉由比硅高十倍的電子遷移率,達(dá)到兆兆赫(terahertz)等級(jí)的頻率表現(xiàn)。至于一維架構(gòu)的碳,則是直徑1nm的納米管(nanotube),其超越硅的特長則在于速度,可達(dá)到有機(jī)晶體管的10倍。
還有零維架構(gòu)的碳,是一種60個(gè)原子大小的中空球體,稱為富勒烯(fullerenes);這種材料則能解決硅無法達(dá)到高溫超導(dǎo)體的問題。與堿金屬(alkali-metal)原子插層(Intercalation)排列、緊密封裝的富勒烯,能在38K溫度下達(dá)到超導(dǎo)。
在接下來的幾年內(nèi),碳制程技術(shù)就可能取代幾乎所有的電路材料,例如互連組件用的導(dǎo)體、我們熟知的半導(dǎo)體,以及隔離裝置用的絕緣體。但產(chǎn)業(yè)界最快何時(shí)會(huì)開始大量使用碳材料,特別是在眼前不明朗的經(jīng)濟(jì)情勢下,還有待觀察。
Gartner的Freeman指出,有兩家美國公司Nantero與SVTC曾合作為無晶圓廠IC供貨商提供業(yè)界首創(chuàng)的納米管薄膜開發(fā)代工服務(wù),旨在為商業(yè)CMOS芯片添加納米管薄膜制做的高性能導(dǎo)線。Nantero雖已用碳納米管開發(fā)出數(shù)款組件,卻找不到有意將這些組件商業(yè)化的客戶。
“碳納米管已經(jīng)被22納米制程以下的CMOS組件,視為最可行的導(dǎo)線材料;這意味著還需要至少五年才會(huì)看到其商業(yè)化!盕reeman表示。
包括杜邦(DuPont)等大公司也開發(fā)過碳納米管薄膜,NEC還曾將其實(shí)際應(yīng)用在采用軟性塑料基板的電子組件上。還有Nanocomp等公司則是將納米管嵌入碳纖維板中,可感測裂縫或是其它的結(jié)構(gòu)缺陷;此外正在開發(fā)的納米管纜線不但在導(dǎo)電性上媲美銅,重量還能減輕80%。
正在公司內(nèi)部主導(dǎo)碳晶體管技術(shù)研究的IBM院士PhaedonAvouris則表示,納米碳管已經(jīng)被用來制造導(dǎo)電、散熱性更好的各種材料,而他認(rèn)為在軟性基板上制造具備微米級(jí)信道的薄膜晶體管,會(huì)是納米碳管的首度商業(yè)化應(yīng)用。
碳電子組件的開發(fā)者并不是打算跟發(fā)展成熟的硅半導(dǎo)體技術(shù)打?qū)ε_(tái),而是希望創(chuàng)造出一個(gè)具備全新電子功能的族系;從讓人憶起舊時(shí)大型硅晶體管的微米尺寸組件開始。
現(xiàn)在已有美國業(yè)者廠商如AppliedNanotech開發(fā)出印刷式的納米管墨水(ink),可搭配如Optomec等公司提供、采用非接觸式懸浮微粒噴墨印刷機(jī)的低溫沉積系統(tǒng);這些成本低廉的生產(chǎn)設(shè)備能鎖定諸如塑料太陽能電池、RFID卷標(biāo)等對價(jià)格敏感的市場。
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