存儲器芯片作為各類智能終端產品不可缺少的元器件，一直掌握在三星、SK海力士、美光等巨頭手里，是我國集成電路產業(yè)鏈的主要短板之一。近年來，在我國大力發(fā)展半導體產業(yè)的背景下，實現存儲器芯片國產化已是大勢所趨。

?　　半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NANDFlash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。
　　大力發(fā)展存儲器不僅是市場需求，同時也是信息安全和產業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。存儲器國產化是芯片產業(yè)國產化邁出的重要一步，是中國政府在信息安全自主可控政策領域的實踐之一，作為信息技術的基礎產業(yè)，半導體集成電路持續(xù)受到國家政策的扶持，近期從國家層面到地方層面的政策及資本投資都是持續(xù)不斷的。
　　實現“零”突破
　　2016年年底，總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢光谷開工。該項目位于武漢東湖高新區(qū)未來科技城，將建設3座3DNANDFlashFAB廠房。項目一期計劃2018年建成投產；2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片／月，年產值將超過100億美元。
　　據悉，國家存儲器基地項目將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產品設計、技術研發(fā)、晶圓生產與測試、銷售于一體。項目建成后，以此為龍頭將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業(yè)相關環(huán)節(jié)的發(fā)展，將為中國打破主流存儲器領域空白，實現產業(yè)和經濟跨越發(fā)展提供重要支撐。
　　紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國接受采訪時表示，國家存儲器基地動工建設，標志著中國存儲芯片產業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破，這是“國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作”新模式的成功探索。未來，這里將建起“航母級芯片工廠”。
　　機遇與挑戰(zhàn)
　　三大挑戰(zhàn)
　　存儲器進入壁壘高：傳統(tǒng)的DRAM，NANDFlash，NORFlash已經是一個高度壟斷的市場，而且資金、技術門檻極高，三、四家龍頭公司霸占了全球90%以上的市場，這樣的市場進入壁壘極高。
　　存儲器技術進步快，追趕壓力大：存儲器技術按照摩爾定律發(fā)展，每1~2年技術進步一代，三星、美光等領頭羊的量產技術不斷進步，大陸在技術、人才非常落后的情況下追趕的難度可想而知。
　　海外技術封鎖：半導體技術是信息技術的核心，是美日等國對中國大陸技術封鎖的主要領域，大陸企業(yè)在需求海外收購和技術合作方面存在困難。紫光集團通過收購美光等海外企業(yè)或與海外企業(yè)合作開發(fā)存儲技術的努力迄今未取得很大的進展(不排除后續(xù)取得較大突破的可能性)。
　　三大機遇
　　發(fā)展存儲器產業(yè)的堅定決心：無論是從信息安全，還是芯片國產化的角度，大力發(fā)展存儲器產業(yè)已經成為共識。
　　存儲器產業(yè)迎來變革，提供彎道超車機會：傳統(tǒng)2D結構的DRAM和Flash技術在成本、性能等方面存在不足。3DNAND已經量產，3DDRAM、PCM，3DXPoint，RRAM，MRAM等各類新存儲器技術日益成熟，有望取代傳統(tǒng)DRAM和Flash成為主流的半導體存儲器。
　　新型存儲器領域的差距小，有望打破行業(yè)壟斷局面：最近10多年來，大陸的高校、研究所、企業(yè)等機構在PCRAM、RRAM、3DNAND等新型存儲器領域不斷取得進步，與全球頂尖機構的差距較小，有望成為彎道超車的突破口。
　　國產存儲器要實現量產還需時日，但是當前的產業(yè)政策支持和各地產學研的不斷努力，在DRAM和NANDFlash領域周期調整之際是我們加入的好時機，加之現在互聯(lián)網技術的發(fā)展和云端技術的不斷成熟，假以時日，我國的存儲器也會在國際上有一席之地。