內(nèi)存條價格一年漲三倍 存儲市場因價生亂 中國成存儲市場最大變數(shù)

• 2017年10月18日 lihuizhen來源：太平洋電腦網(wǎng) 1044 66
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近的8GB DDR4內(nèi)存條一路從600元漲到了900元，幾乎是一周大漲一次。

　　內(nèi)存條忽然之間就成了投資風口。星巴克的咖啡廳里時常能聽到有人談創(chuàng)業(yè)，說是做了個APP或者網(wǎng)站就能拿到多少風投，還有什么天使輪、A輪、B輪融資，外人聽了不免羨慕現(xiàn)在還可以這么賺錢!

　　不過最近的風向可能變了，有些人談的不再是互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)業(yè)，而是內(nèi)存條，因為最近的8GB DDR4內(nèi)存條一路從600元漲到了900元，幾乎是一周大漲一次。在電子產(chǎn)品日益白菜價的今天，內(nèi)存逆市漲價而且還能漲這么兇猛可真是一個奇跡，只不過這個奇跡讓存儲廠商喜笑顏開，廣大人民群眾可就苦了，這種逆天的漲價何時才是個頭，誰又能來終結三星、東芝等廠商的瘋狂呢?

　　2016年內(nèi)存、閃存價格還在不斷下滑，廠商叫苦不迭，但是到了下半年形式就急轉直下，一路上漲，不僅漲價幅度高，而且持續(xù)時間也創(chuàng)造了記錄，這背后總得有什么原因吧。圍繞這件事也鬧出了各種陽謀，陰謀，有說是供不應求，有說是三星、Hynix、美光等廠商聯(lián)合串通，那么導致這一輪大漲價的原因都有哪些呢?

　　普通的8GB DDR4cs從要900多元了，實在瘋了

　?、伲菏袌鲲L向改變，移動設備需求大增

　　過去幾年大家一直在談的都是PC市場不行，除了游戲PC市場還有點看頭之外，其他市場銷量各種下滑，移動市場也從藍海殺到紅海，增速也放緩，但是廠商的競爭并沒有停止，反而為了提高吸引力不斷推高配置。這兩年中智能手機內(nèi)存從之前的2-3GB快速增加到4-6GB，旗艦機甚至上了8GB內(nèi)存，而閃存容量也從之前的16GB、32GB變成了64GB起，高端點的甚至上了128GB、256GB存儲。不只是安卓陣營如此，蘋果的iPhone、iPad也是如此，手機內(nèi)存上了2GB、3GB，iPad Pro內(nèi)存大幅提升到4GB，存儲容量也是64GB、128GB以及256GB，今年的iPhone 8及iPhone X更狠，直接就是64GB、256GB兩種容量，128GB的都給取消了。

　　考慮到蘋果iPhone手機每年2億多的銷量，存儲容量這樣翻倍成長，對整個市場需求的影響是非常大的，而國產(chǎn)廠商也紛紛加入競爭中，中低端手機內(nèi)存、閃存容量都在大幅成長，3+32GB都是入門低配了。

　　移動市場是這一輪閃存、內(nèi)存漲價的主要誘因，再加上服務器、數(shù)據(jù)中心市場的內(nèi)存、SSD銷量也在增加，整個存儲芯片市場的需求是逆勢上揚，PC市場雖然下滑，但是改變不了大趨勢，畢竟移動設備的銷量早已超過PC市場，所以說PC內(nèi)存漲價很大程度上是遭受了池魚之殃，DIY玩家這次是慘到家了。

　?、冢褐瞥剔D換進展不利，產(chǎn)能受影響

　　市場需求大漲，供應鏈廠商正常的做法應該是加大生產(chǎn)力度以滿足市場需求才對，可他們偏偏在這樣重要的關頭掉了鏈子。2016年三星、美光、SK Hynix、東芝等廠商面臨著技術升級——內(nèi)存轉向20nm以下制程、閃存也從2D閃存轉向3D閃存，并不斷提升堆棧層數(shù)，但是這個過程并不順利，導致廠商的產(chǎn)能并沒有快速提升。

　　以內(nèi)存為例，三星是最早量產(chǎn)20nm工藝，去年初又宣布了18nm工藝，正常計劃是在2016年底量產(chǎn)，不過18nm工藝進展不如預期，早前還傳出了18nm內(nèi)存芯片良率不行，被緊急召回的消息，盡管三星官方予以否認，但是這事依然給新工藝轉換蒙上了陰影。除了三星，SK Hynix、美光因為資金、技術實力不如三星，20nm、18nm工藝轉換過程比三星更為艱難。

　　閃存市場也是如此，2016年廠商的閃存開始從2D TLC轉向3D MLC/TLC，主流堆棧層數(shù)開始從24、48層轉向64層，但是這個轉換過程中廠商的產(chǎn)能也受到了影響，而要想獲得容量、成本的均衡，閃存堆棧至少要達到64層，這才能彌補轉產(chǎn)3D閃存導致的2D產(chǎn)能損失。

　　即便到了今年，產(chǎn)能不足的影響依然存在。從IC Insights公布的數(shù)據(jù)來看，2017年DRAM內(nèi)存芯片的位元容量增長不過15-20%，這點增長相對市場需求來說只是杯水車薪，并不能改變供不應求的局面，導致市場長期處于供應不足的狀態(tài)，價格自然就水漲船高了。

　?、郏簝?nèi)存廠商、經(jīng)銷商囤積居奇，二次盤剝

　　上游廠商的產(chǎn)能以及下游的需求是決定內(nèi)存、閃存漲價與否的關鍵，但在這場漲價災難中，上游廠商并不是唯一的元兇，整個產(chǎn)業(yè)鏈的廠商都參與漲價了，為的就是趁著漲價大賺特賺。

　　從集邦科技統(tǒng)計的結果來看，從去年Q2季度到今年Q2季度，DDR4內(nèi)存顆粒的漲價幅度約為100%，但是我們看到的內(nèi)存漲價幅度可不止如此，去年上半年DDR4內(nèi)存8GB版售價也就是200元左右，但是現(xiàn)在的8GB內(nèi)存條售價接連突破了600元、700元乃至800元大關，還在往900元上一路狂奔，哪天突破1000元也不讓人意外。

　　從這里我們也可以看出，上游的內(nèi)存、閃存顆粒漲價只是這次漲價的一部分，內(nèi)存廠商、經(jīng)銷商在這個過程中也“功不可沒”。根據(jù)我的了解，越是在供應不足、售價上漲的情況下，部分廠商越不愿意出貨，反而囤積居奇，有些經(jīng)銷商也是如此，手頭有貨也不出，賭的就是價格繼續(xù)漲，而廠商、經(jīng)銷商認為的限制出貨，又進一步加大了市場空缺，從而形成了惡性循環(huán)。

　　④：時機微妙的工廠意外，漲價的幕后推手

　　對于存儲芯片漲價，還有一個不容忽視的因素，本來它只是小概率事件，正常時候絕不會影響大局，但是現(xiàn)在也變得非常敏感了，這就是工廠意外。當年SK Hynix無錫大火、泰國洪災影響了內(nèi)存、硬盤價格走勢，這一幕在今天也不時出現(xiàn)，代表的就有三星西安NAND工廠的停電、美光臺灣工廠的氮氣污染、東芝10萬片晶圓報廢等等。搞笑的是廠商官方的態(tài)度從來都是安撫性的，表示意外事故并不會嚴重影響產(chǎn)能，不會導致市場空缺，但這些事無一例外都被廣泛傳播，人為傳播內(nèi)存、閃存又要漲價的消息，導致市場恐慌。

　　這些事故放在平時不會有多大影響，但在當前局面下，一丁點的事故都有可能被人利用，成為缺貨、漲價的借口，而普通人對此又無力反駁，只能接受挨宰。

　　內(nèi)存、閃存價格瘋漲的影響：廠商笑開花，消費者叫苦

　　盡管這次存儲芯片行業(yè)大漲價跟PC行業(yè)沒多大關系，但是傾巢之下焉有完卵，缺貨、漲價迅速發(fā)酵之后影響的是整個行業(yè)，PC市場也不得不承受這些代價，而這次的漲價也改變了整個市場局面，廠商因為漲價而賺的盆滿缽滿，消費者則是苦痛不堪，裝機都要買不起內(nèi)存了。

　　①：三星東芝美光業(yè)績大漲，盈利驚人

　　漲價受益最大的就是上游廠商了，去年上半年SK Hynix、美光發(fā)財報的時候還提到存儲芯片降價導致盈利下滑甚至大幅虧損，下半年之后廠商的財報畫風就完全變了，價格一路漲漲漲，盈利也是升升升，美光有錢收購華亞科、SK Hynix也有錢收購東芝了。

　　三星在內(nèi)存、閃存市場都占有最大份額，是這次漲價中最大的贏家，我們就來看看他們的財報吧。今年Q2季度，三星超越Intel成為全球最大的半導體公司，過去二十年來這個殊榮一直都是Intel公司的，但是現(xiàn)在三星因為內(nèi)存、閃存大幅漲價，Q2季度運營利潤127億美元，首次超過最能賺錢的蘋果公司，成為科技界的新霸主，而Q2凈利潤也達到了97億美元，同比增長85%。

　　為三星營收、盈利做了最大貢獻的就是半導體業(yè)務中的存儲芯片，整個半導體業(yè)務營收126億美元，同比增長65%，而運營利潤72億美元，同比增長200%，如果沒有存儲芯片大漲價，正常業(yè)績是不可能有這么高盈利增長的。

　　這還不算完，因為存儲芯片漲價還在繼續(xù)，三星Q3季度盈利又要創(chuàng)造歷史記錄了，官方尚未發(fā)布財報，但分析師預測當季運營利潤可達128億美元，比去年同期增長180%左右，考慮到去年這時候三星因為Note 7召回承受了數(shù)十億美元損失，但是這一年來閃存、內(nèi)存漲價已經(jīng)讓三星賺了數(shù)倍了，損失早就彌補回來了。

　　也正因為此，三星點的股價、市值今年也一路上漲，上周股價突破270萬韓元，總市值達到了350萬億韓元，這兩天進一步升值到了399萬億韓元，折合人民幣2.3萬億，市值跟國內(nèi)的工商銀行差不多，可想這是多么恐怖的結果。

　?、冢捍鎯κ袌鲆騼r生亂，黑芯門事件爆發(fā)

　　漲價讓上游廠商笑開了花，但是對其他人來說就不是什么好事了，缺貨、漲價甚至扭曲了市場，出現(xiàn)了很多以次充好等造假問題，前不久爆發(fā)的黑芯門事件就是個例子。

　　以往存儲芯片不缺貨的時候，內(nèi)存、SSD價格不斷走低，廠商沒必要、也沒價格空間去造假，但是現(xiàn)在價格高漲，128GB硬盤也要400、500塊，中小廠商又沒能力拿到穩(wěn)定的閃存顆粒，所以為了賺錢就采取了一些不靠譜的辦法，比如使用質(zhì)量一般的白片、黑片，甚至用洋垃圾拆機閃存以次充好。這樣的SSD硬盤質(zhì)量不可靠，使用壽命也要打個問號，消費者不加以辨別的話很容易中招。

　　③：DIY玩家苦不堪言，省錢有絕招

　　現(xiàn)在的內(nèi)存、閃存市場如此畸形，也讓人DIY玩家叫苦不迭，眼看著內(nèi)存、閃存漲價到買不起的地步，為了省錢也不得不腦洞大開——既然DDR4內(nèi)存大漲價，那就買DDR3內(nèi)存吧，它本來是要被淘汰了，但是這一年來DDR4大漲價，DDR3漲幅沒這么高，200多還能買4GB DDR3，裝機的話也能省一筆錢。

　　還有玩家為了省錢，甚至考慮入手一些配備內(nèi)存的準系統(tǒng)了，不過這些事都不是長久之計，且不說性能差距，即將退市的DDR3最近也一樣在漲價，京東上DDR3-1600 8GB內(nèi)存也要快700塊錢了，部分型號也超過了800元，可見現(xiàn)在的情況下，玩家的省錢絕招只能治標，不能治本。

　　閃存、內(nèi)存未來：廠商加大投資，2018年將成轉折點

　　解鈴還需系鈴人，要想徹底解決內(nèi)存、閃存漲價的問題，還需要讓市場回到供應平衡的狀態(tài)，目前終端需求無解，手機內(nèi)存、閃存容量提升是大勢所趨，服務器、桌面市場也是如此，注定了未來的需求還會成長，所以問題的關鍵是上游廠商增加產(chǎn)能。

　　好在三星、東芝、美光、SK Hynix公司也意識到這個問題的嚴重性了，這一年賺了大錢，他們也有更多預算投入新工廠建設以提升內(nèi)存、閃存產(chǎn)能了。三星今年6月份在韓國平澤市啟用了號稱全球最大的閃存工廠，這是2015年就定下的125億美元投資的一部分，主要生產(chǎn)64層堆棧3D閃存，今年下半年正在加速量產(chǎn)。在韓國本土之外，中國西安也是三星重要的閃存產(chǎn)地，此前在西安投資70億美元建設的閃存工廠已經(jīng)在2016年底投產(chǎn)，8月底三星又宣布在西安投資70億美元升級工廠，預計三年內(nèi)投產(chǎn)。

　　全球第二大閃存廠商東芝雖然賣身給財團，還與西數(shù)還存在法律糾紛，但也在加大投資力度，預計在日本四日市的Fab 6工廠投資18億美元以提升產(chǎn)能。

　　美光在去年收購華亞科之后也承諾增加對臺灣的投資，預計每年投資20億美元，要把臺灣工廠打造成全球內(nèi)存芯片制造中心，制程工藝也會從目前的25nm逐步提升到1xnm工藝。

　　SK Hynix今年初也宣布了新的投資計劃，其內(nèi)存芯片的主產(chǎn)地是在中國無錫，占了全球內(nèi)存芯片15%的產(chǎn)能，去年底投資9500億韓元升級車間，今年則會投資36億美元建設第二工廠。此外，SK Hynix還將在韓國投資2.2萬億韓元(約合128億人民幣)建設閃存工廠，未來也會將主力從36層、48層堆棧提升到72層堆棧。

　　Intel公司2015年也宣布在中國大連投資55億美元建設閃存工廠，去年工廠建設基本完工，開始試產(chǎn)3D NAND閃存。

　　可以說全球主要的內(nèi)存、閃存廠商這一兩年都宣布了新的工廠擴建計劃，考慮到建設一座12英寸晶圓廠需要2-3年時間，那么大部分工廠會在2018年投產(chǎn)?，F(xiàn)在重點來了，讓廣大DIY玩家期盼的內(nèi)存、閃存從上漲變成持平甚至降價的轉折點就在2018年，屆時3D閃存將完全取代平面閃存，64層及更高的72層、96層堆棧成為主流，閃存在容量、成本之間取得均衡、存儲密度更高的QLC閃存也會進入市場，這將大幅提升閃存的位元容量，緩解市場需求。同樣地，內(nèi)存廠商大部分也會完成20nm及以下工藝的轉換升級，內(nèi)存產(chǎn)量也會邁上一個臺階。

　　中國成存儲市場最大變數(shù)，國產(chǎn)廠商能否終結三星東芝?

　　2018年閃存、內(nèi)存產(chǎn)能提升之后就不會再出現(xiàn)類似的大漲價了嗎?我很想回答說是，但是整個閃存、內(nèi)存市場的問題在于高度集中，市場壟斷在少數(shù)幾家廠商中，重量級的廠商加起來不會超過10家，并不利于競爭。

　　這樣的結果對中國來說尤其痛苦，因為中國作為最大的存儲芯片市場卻沒有任何話語權，去年進口了130多億美元的閃存從芯片，存儲芯片的對外依賴度超過90%，以致于中國廠商只能任由三星、東芝、美光等公司開價。

　　好在中國現(xiàn)在已經(jīng)加大了半導體產(chǎn)業(yè)投資，首選領域就是存儲芯片。2015年國家決定在武漢建設存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地，由武漢新芯公司主導，整個項目投資高達240億美元，2016年紫光公司收購了新芯公司，在此基礎上成立了長江存儲科技，成為了國內(nèi)自主存儲芯片發(fā)展的第一梯隊。按照規(guī)劃，武漢一期工程占地1平方公里，主要生產(chǎn)3D閃存，2018年建成時產(chǎn)能為每月20萬片晶圓，之后還會進軍內(nèi)存市場，2020年時月產(chǎn)能將達到30萬片晶圓，而到了 2030年，武漢還會進入代工市場，總產(chǎn)能達到100萬片晶圓/月。

　　這個產(chǎn)能到底是什么概念呢?三星在中國西安的閃存工廠月產(chǎn)能就在10萬片晶圓左右，SK Hynix在無錫的內(nèi)存工廠月產(chǎn)能在10-15萬片晶圓，這已經(jīng)是Hynix全球15%左右的內(nèi)存產(chǎn)能了。2030年的100萬片晶圓產(chǎn)能更加夸張，臺積電去年產(chǎn)能也就是100萬片晶圓/月，紫光在武漢的投資幾乎是再造一個臺積電產(chǎn)能規(guī)模的晶圓廠，要知道臺積電一家就占了去年全球整個晶圓代工市場的60%，武漢的存儲芯片基地野心極大。

　　不過放在全國來說，武漢只是眾多存儲芯片基地之一，紫光還在南京、深圳規(guī)劃投資數(shù)百億美元建設新的存儲芯片工廠，三地總投資預計會達到700億美元，其中南京投資300億美元，一期工程產(chǎn)能同樣高達20萬片晶圓/月。

　　紫光公司可以說是閃存芯片產(chǎn)業(yè)投資的國家隊，除此之外還有不少地方隊也在投資存儲芯片。合肥有長鑫公司主導投資的72億美元項目，月產(chǎn)能達到了12.5萬片晶圓。在福建，省政府背景的晉華集團聯(lián)手臺灣聯(lián)電公司也在開展閃存、內(nèi)存芯片研發(fā)、生產(chǎn)，未來的投資也是數(shù)十億甚至上百億美元。

　　由于有國家大基金在背后支持，國內(nèi)上馬閃存、內(nèi)存項目并不缺錢，不過關鍵的問題還是技術、人才。在上述項目中，目前進展最好的還是長江存儲，根據(jù)該公司CEO楊士寧的表態(tài)，他們與中科院微電子研究所合作研發(fā)出了32層堆棧的3D閃存，性能、可靠性等指標符合預期，預計在2019年量產(chǎn)，2020年他們的目標是跟國際一流水平接軌。

　　國家如此大手筆投資半導體產(chǎn)業(yè)，其實對半導體產(chǎn)業(yè)也是有要求的，希望到2020年將國產(chǎn)化率提升到40%，2025年提升到70%，如果對比現(xiàn)在幾乎90%都依賴進口的存儲芯片市場，這個要求真不低，這也是相關公司不惜巨資投資的原因?？梢灶A見，一旦未來兩年國產(chǎn)3D閃存、內(nèi)存芯片投入生產(chǎn)，以中國公司殺價搶市場的作風來說，內(nèi)存、閃存市場將會迎來劇變，美日韓壟斷市場的局面將會被打破，他們要么跟中國公司拼價格，要么就拼產(chǎn)能，這讓人想到了中國公司在光伏、LCD液晶屏市場的成功之路——盡管過程很曲折，但是中國公司最終是殺出重圍了，中國的LCD液晶屏產(chǎn)量已經(jīng)是全球第二，與第一的韓國相差不多了。

　　總的來說，閃存、內(nèi)存市場眼下還會繼續(xù)上漲，但是這種狀況很快就要被打破，也應該被打破，因為不斷上漲的價格也會抑制市場需求，照這么漲下去，年底8GB內(nèi)存就要突破一千元了，消費者最后的選擇就是不買，反正裝機需求也不是那么強烈。到了2018年，隨著各大廠商產(chǎn)能的提升，預計內(nèi)存、閃存價格會穩(wěn)定下來，不會像現(xiàn)在這樣瘋狂了，不過2018年期待內(nèi)存、閃存大降價也是不現(xiàn)實的，這就跟房價一樣，漲上去之后要想降回來不那么容易。真正能給閃存、內(nèi)存市場價格帶來扭轉的機會還得看中國公司，只要他們在技術上不會出現(xiàn)太大的問題，以中國公司投資的力度，閃存、內(nèi)存產(chǎn)能將會急劇擴張，進而推動市場降價，消費者期待的8GB內(nèi)存白菜價才有可能重現(xiàn)。

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