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          半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展,中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)深度分析及發(fā)展前景

          • 2018年12月11日 LiuDaiFeng來源:互聯(lián)網(wǎng) 488 26
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          半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展,中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)深度分析及發(fā)展前景

          功率分立器件從最初的二極管到高端 IGBT、MOS 類器件,根據(jù)耐壓、工作頻率不同,各自適用于不同領(lǐng)域。其中 MOS 類器件占據(jù)著整個(gè)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)單類產(chǎn)品的最大份額,約為25%; IGBT 是目前最熱門且最具潛力的功率半導(dǎo)體器件, 2015 年 IGBT 分立器件約占 10%的市場(chǎng)份額,相關(guān)模組產(chǎn)品約占 30%;晶閘管是目前耐壓容量最高(12kV)與電流容量最大(10kA)的功率器件。

          2015年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為123億美元,2016年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)重新回穩(wěn),銷售金額比2015年成長(zhǎng)1%,達(dá)124億美元。2017年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為150億美元。值得注意的是,在各類功率半導(dǎo)體元件中,未來成長(zhǎng)力道最強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是高壓MOSFET(超過200V)與IGBT模組,兩類產(chǎn)品在2015~2020年期間的復(fù)合年成長(zhǎng)率 (CAGR)預(yù)估分別為4.7%與4.0%。

          功率半導(dǎo)體分立器件為半導(dǎo)體行業(yè)的主要組成部分,更是發(fā)電、輸電、變配電、用電、儲(chǔ)能、家用電器、IT產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域的基礎(chǔ)核心部件,隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等電子信息產(chǎn)業(yè)新領(lǐng)域的發(fā)展,中高階的功率半導(dǎo)體器件也將迎來新一輪的發(fā)展高峰。

          中國(guó)占據(jù)全球功率器件 40%市場(chǎng)份額,多領(lǐng)域應(yīng)用持續(xù)支撐需求上漲整體來看,近年來由于工業(yè)控制、家電產(chǎn)品、充電設(shè)備等終端應(yīng)用不斷追求更高能源效率,功率器件下游產(chǎn)品范圍的穩(wěn)步擴(kuò)張、產(chǎn)量的大幅增長(zhǎng)以及功率器件技術(shù)的快速更新,功率器件市場(chǎng)在全球范圍尤其是中國(guó)地區(qū)都保持穩(wěn)步增長(zhǎng)。 近五年來,中國(guó)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 27.8%,是半導(dǎo)體產(chǎn)品中市場(chǎng)發(fā)展相對(duì)較快的產(chǎn)品。我國(guó)市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度高于全球水平,2017年我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到60億美元,同比增長(zhǎng)21%。

          一、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析

          功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈可以大致分為電路設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝及測(cè)試三個(gè)主要環(huán)節(jié)。

          芯片設(shè)計(jì):芯片設(shè)計(jì)是芯片的研發(fā)過程,是通過系統(tǒng)設(shè)計(jì)和電路設(shè)計(jì),將設(shè)定的芯片規(guī)格形成設(shè)計(jì)版圖的過程;芯片設(shè)計(jì)公司對(duì)芯片進(jìn)行寄存器級(jí)的邏輯設(shè)計(jì)和晶體管級(jí)的物理設(shè)計(jì)后,將不同規(guī)格和效能的芯片提供給下游廠商。

          晶圓制造:晶圓制造指在制備的晶圓材料上構(gòu)建完整的物理電路。

          封裝測(cè)試:是將生產(chǎn)出來的合格晶圓進(jìn)行切割、焊線、塑封,使芯片電路與外部器件實(shí)現(xiàn)電氣連接,并為芯片提供機(jī)械物理保護(hù),并利用集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)提供的測(cè)試工具,對(duì)封裝完畢的芯片進(jìn)行功能和性能測(cè)試。


          中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)深度分析及發(fā)展前景

          圖表:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

          數(shù)據(jù)來源:中研普華產(chǎn)業(yè)研究院

          碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈

          國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈初具雛形碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈可分為三個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié),一是上游襯底,二是中游外延片,三是下游器件制造。

          國(guó)外供應(yīng)鏈體系主要有:

          襯底:Cree、Rohm、EPISIL

          EPI 外延片:Cree、Rohm、英飛凌、GE、三菱器件:英飛凌、Cree、Rohm、意法半導(dǎo)體、美高森美、GenSiC、三菱

          碳化硅器件方面,國(guó)際上碳化硅 SBD、碳化硅 MOSFET 均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),產(chǎn)品耐壓范圍 600v-1700v,單芯片電流超過 50A。

          國(guó)內(nèi)已經(jīng)形成相對(duì)完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈體系。

          襯底材料:山東天岳、天科合達(dá) 、河北同光晶體、北京世紀(jì)金光

          EPI 硅片:東莞天域半導(dǎo)體、廈門瀚天天成

          器件:泰科天潤(rùn)、瀚薪、揚(yáng)杰科技、中電 55 所、中電 13 所、科能芯、中車時(shí)代電氣

          模組:嘉興斯達(dá)、河南森源、常州武進(jìn)科華、中車時(shí)代電氣

          目前碳化硅市場(chǎng)處于起步階段,國(guó)內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小,國(guó)內(nèi)企業(yè)有望在本土市場(chǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)彎道超車。

          國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)在碳化硅 SBD 形成銷售收入,碳化硅 MOSFET 的產(chǎn)業(yè)化尚在原型器件研制階段。

          另外國(guó)內(nèi)已經(jīng)開發(fā)出 1700V/1200A的混合模塊(硅 IGBT 與碳化硅 SBD 混合使用)、4500V/50A 等大容量全 SiC 功率模塊。

          二、主要環(huán)節(jié)的增值空間

          國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金簡(jiǎn)介2014年6月24日《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》正式發(fā)布實(shí)施,明確提出設(shè)立國(guó)家產(chǎn)業(yè)投資基金。同年9月26日國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司成立,注冊(cè)資本987.2億元,公司實(shí)際融資1378億元。至2017年11月底,大基金已實(shí)際出資約人民幣794億元,成為IC領(lǐng)域快速投資促進(jìn)上、下游協(xié)同發(fā)展的重要資金來源。在大基金的帶動(dòng)下各地提出或已成立子基金,合計(jì)總規(guī)模超過3,000億元,相當(dāng)于實(shí)現(xiàn)近1:5的放大效應(yīng)。目前大基金二期已經(jīng)在募資中。大基金二期籌資設(shè)立方案總規(guī)模為1500-2000億元。其中,中央財(cái)政直接出資200-300億元,國(guó)開金融公司出資300億元左右,中國(guó)煙草總公司出資200億元左右,中國(guó)移動(dòng)公司等央企出資200億元左右,中國(guó)保險(xiǎn)投資基金出資200億元,國(guó)家層面出資不低于1200億元。

          目前,大基金在制造、設(shè)計(jì)、封測(cè)、裝備材料等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)進(jìn)行投資布局全覆蓋,各環(huán)節(jié)承諾投資占總投資的比重分別為 63%、20%、10%、7%。


          中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)深度分析及發(fā)展前景

          圖表:大基金在制造、設(shè)計(jì)、封測(cè)、裝備材料等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)進(jìn)行投資布局

          數(shù)據(jù)來源:中研普華產(chǎn)業(yè)研究院

          回顧過去,全球 IC 封測(cè)行業(yè)增長(zhǎng)明顯受到經(jīng)濟(jì)波動(dòng)的影響,但增長(zhǎng)速率高于半導(dǎo)體行業(yè)的整體水平,2010 年到 2017 年復(fù)合增長(zhǎng)率為 3.5%。封測(cè)行業(yè)屬于電子代工行業(yè),具有明顯的規(guī)模效應(yīng),因此近年全球封測(cè)行業(yè)并購事件接連不斷。受惠于政策資金的大力扶持,我國(guó)封測(cè)企業(yè)也逐步開啟海內(nèi)外并購步伐,不斷擴(kuò)大公司規(guī)模,其中長(zhǎng)電科技聯(lián)合產(chǎn)業(yè)基金、芯電半導(dǎo)體收購新加坡封測(cè)廠星科金朋,華天科技收購美國(guó) FCI,通富微電聯(lián)合大基金收購AMD 蘇州和檳城封測(cè)廠,國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)借助出海并購,行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力顯著提升。

          相比半導(dǎo)體其他子行業(yè),大陸封測(cè)行業(yè)發(fā)展較早,產(chǎn)值占比較大,國(guó)家一直通過專項(xiàng)、政策和資金進(jìn)行長(zhǎng)期有效的扶持。大陸封測(cè)產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)顯現(xiàn),本土企業(yè)發(fā)展迅速。大陸是全球第一大 IC 消費(fèi)市場(chǎng),產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)封測(cè)占比最高。多年來,我國(guó)封測(cè)行業(yè)成長(zhǎng)率顯著高于全球平均水平,未來受設(shè)計(jì)與制造的國(guó)產(chǎn)化轉(zhuǎn)移趨勢(shì)影響,我國(guó)封測(cè)行業(yè)將獲得進(jìn)一步加速的動(dòng)力。國(guó)內(nèi)上市公司巨頭已躋身世界一流行業(yè),短期內(nèi)的財(cái)務(wù)波動(dòng)宜淡化。

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          功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)需求與發(fā)展前景如何?怎樣做價(jià)值投資?

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