功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析及增值空間

• 2018年11月15日 WuZhiCong來源：互聯(lián)網(wǎng) 1084 69
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功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析

一、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)分析

功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈可以大致分為電路設(shè)計、芯片制造、封裝及測試三個主要環(huán)節(jié)。

芯片設(shè)計：芯片設(shè)計是芯片的研發(fā)過程，是通過系統(tǒng)設(shè)計和電路設(shè)計，將設(shè)定的芯片規(guī)格形成設(shè)計版圖的過程;芯片設(shè)計公司對芯片進(jìn)行寄存器級的邏輯設(shè)計和晶體管級的物理設(shè)計后，將不同規(guī)格和效能的芯片提供給下游廠商。

晶圓制造：晶圓制造指在制備的晶圓材料上構(gòu)建完整的物理電路。

封裝測試：是將生產(chǎn)出來的合格晶圓進(jìn)行切割、焊線、塑封，使芯片電路與外部器件實現(xiàn)電氣連接，并為芯片提供機械物理保護(hù)，并利用集成電路設(shè)計企業(yè)提供的測試工具，對封裝完畢的芯片進(jìn)行功能和性能測試。

圖表：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

數(shù)據(jù)來源：中研普華產(chǎn)業(yè)研究院

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈

國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈初具雛形碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈可分為三個產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)，一是上游襯底，二是中游外延片，三是下游器件制造。

國外供應(yīng)鏈體系主要有:

襯底:Cree、Rohm、EPISIL

EPI 外延片:Cree、Rohm、英飛凌、GE、三菱器件:英飛凌、Cree、Rohm、意法半導(dǎo)體、美高森美、GenSiC、三菱

碳化硅器件方面，國際上碳化硅 SBD、碳化硅 MOSFET 均已實現(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)品耐壓范圍 600v-1700v，單芯片電流超過 50A。

國內(nèi)已經(jīng)形成相對完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈體系。

襯底材料:山東天岳、天科合達(dá) 、河北同光晶體、北京世紀(jì)金光

EPI 硅片:東莞天域半導(dǎo)體、廈門瀚天天成

器件:泰科天潤、瀚薪、揚杰科技、中電 55 所、中電 13 所、科能芯、中車時代電氣

模組:嘉興斯達(dá)、河南森源、常州武進(jìn)科華、中車時代電氣

目前碳化硅市場處于起步階段，國內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小，國內(nèi)企業(yè)有望在本土市場應(yīng)用中實現(xiàn)彎道超車。

國內(nèi)企業(yè)已經(jīng)在碳化硅 SBD 形成銷售收入，碳化硅 MOSFET 的產(chǎn)業(yè)化尚在原型器件研制階段。

另外國內(nèi)已經(jīng)開發(fā)出 1700V/1200A的混合模塊(硅 IGBT 與碳化硅 SBD 混合使用)、4500V/50A 等大容量全 SiC 功率模塊。

二、主要環(huán)節(jié)的增值空間

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金簡介2014年6月24日《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》正式發(fā)布實施，明確提出設(shè)立國家產(chǎn)業(yè)投資基金。同年9月26日國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司成立，注冊資本987.2億元，公司實際融資1378億元。至2017年11月底，大基金已實際出資約人民幣794億元，成為IC領(lǐng)域快速投資促進(jìn)上、下游協(xié)同發(fā)展的重要資金來源。在大基金的帶動下各地提出或已成立子基金，合計總規(guī)模超過3,000億元，相當(dāng)于實現(xiàn)近1:5的放大效應(yīng)。目前大基金二期已經(jīng)在募資中。大基金二期籌資設(shè)立方案總規(guī)模為1500-2000億元。其中，中央財政直接出資200-300億元，國開金融公司出資300億元左右，中國煙草總公司出資200億元左右，中國移動公司等央企出資200億元左右，中國保險投資基金出資200億元，國家層面出資不低于1200億元。

目前，大基金在制造、設(shè)計、封測、裝備材料等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)進(jìn)行投資布局全覆蓋，各環(huán)節(jié)承諾投資占總投資的比重分別為 63%、20%、10%、7%。

圖表：大基金在制造、設(shè)計、封測、裝備材料等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)進(jìn)行投資布局

數(shù)據(jù)來源：中研普華產(chǎn)業(yè)研究院

回顧過去，全球 IC 封測行業(yè)增長明顯受到經(jīng)濟波動的影響，但增長速率高于半導(dǎo)體行業(yè)的整體水平，2010 年到 2017 年復(fù)合增長率為 3.5%。封測行業(yè)屬于電子代工行業(yè)，具有明顯的規(guī)模效應(yīng)，因此近年全球封測行業(yè)并購事件接連不斷。受惠于政策資金的大力扶持，我國封測企業(yè)也逐步開啟海內(nèi)外并購步伐，不斷擴大公司規(guī)模，其中長電科技聯(lián)合產(chǎn)業(yè)基金、芯電半導(dǎo)體收購新加坡封測廠星科金朋，華天科技收購美國 FCI，通富微電聯(lián)合大基金收購AMD 蘇州和檳城封測廠，國內(nèi)封測企業(yè)借助出海并購，行業(yè)競爭力顯著提升。

相比半導(dǎo)體其他子行業(yè)，大陸封測行業(yè)發(fā)展較早，產(chǎn)值占比較大，國家一直通過專項、政策和資金進(jìn)行長期有效的扶持。大陸封測產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)顯現(xiàn)，本土企業(yè)發(fā)展迅速。大陸是全球第一大 IC 消費市場，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)封測占比最高。多年來，我國封測行業(yè)成長率顯著高于全球平均水平，未來受設(shè)計與制造的國產(chǎn)化轉(zhuǎn)移趨勢影響，我國封測行業(yè)將獲得進(jìn)一步加速的動力。國內(nèi)上市公司巨頭已躋身世界一流行業(yè)，短期內(nèi)的財務(wù)波動宜淡化。

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