2021年全球內(nèi)存芯片價(jià)格走勢(shì) dram內(nèi)存芯片龍頭企業(yè)最新排名

• 2021年8月2日 HuangJiang來(lái)源：新浪 651 37
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電腦用 DDR4 8Gb 2133MHz 芯片價(jià)格漲幅高達(dá) 7.89%，平均價(jià)格為 4.1 美元(約 26.49 元人民幣)。這種顆粒單顆容量 1GB，可以用于制造電腦內(nèi)存條。與 DDR4 內(nèi)存相比，DDR5 將帶寬輕松提升了一倍以上。回想從 DDR3 到 DDR4 的 2013 年，初期的內(nèi)存帶3

2021年全球內(nèi)存芯片價(jià)格走勢(shì) dram內(nèi)存芯片龍頭企業(yè)最新排名

DRAM芯片即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，DRAM?只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，所以需要定時(shí)刷新。DRAM?分為很多種，常見(jiàn)的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等。

近日發(fā)布了今年 7 月存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格統(tǒng)計(jì)信息。結(jié)果顯示，7 月以來(lái)全球內(nèi)存芯片價(jià)格環(huán)比小幅上漲，其中電腦用 DDR4 8Gb 2133MHz 芯片價(jià)格漲幅高達(dá) 7.89%，平均價(jià)格為 4.1 美元(約 26.49 元人民幣)。這種顆粒單顆容量 1GB，可以用于制造電腦內(nèi)存條。內(nèi)存芯片價(jià)格上漲的原因是，7 月為第三季度的起始月份，廠商往往在當(dāng)月簽訂新合同，因此會(huì)推高內(nèi)存價(jià)格。

SK 海力士在 2021 年 2 季度財(cái)報(bào)中證實(shí)，該公司將與未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn) DDR5 內(nèi)存顆粒。SK 海力士將開(kāi)始用極紫外光刻(EUV)技術(shù)來(lái)量產(chǎn) 1a nm 的 DRAM 內(nèi)存顆粒，并專注于打造 64GB 以上的大容量服務(wù)器內(nèi)存模組。

與 DDR4 內(nèi)存相比，DDR5 將帶寬輕松提升了一倍以上?；叵霃?DDR3 到 DDR4 的 2013 年，初期的內(nèi)存帶寬僅增加了 33%(1600 MHz 到 2133 MHz)。

三星公布第二季財(cái)報(bào)，凈利為9.6萬(wàn)億韓元，年增率達(dá)73.4%，跟7月初公布的財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)符合。同時(shí)，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)年增54.3%，達(dá)12.6萬(wàn)億韓元，同時(shí)營(yíng)收增長(zhǎng)20.2%，達(dá)到63.7萬(wàn)億韓元，創(chuàng)歷史新高。

由于內(nèi)存芯片價(jià)格上漲和德州芯片代工廠產(chǎn)能恢復(fù)，使三星第二季利潤(rùn)超出分析師預(yù)期。以季增長(zhǎng)來(lái)看，三星第二季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)季增33.9%，但營(yíng)收卻比第一季還少2.6%。

三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)年增28%至6.93萬(wàn)億韓元。三星表示，因?yàn)镈RAM與NAND這些內(nèi)存產(chǎn)品平均銷售價(jià)格上漲，同時(shí)出貨量超過(guò)預(yù)期，獲利才會(huì)如此亮眼。

三星電子近日宣布，正在開(kāi)發(fā)單顆24GB DDR5內(nèi)存顆粒，以滿足企業(yè)用戶，尤其是云數(shù)據(jù)中心等客戶的需求。使用32顆顆粒制造的內(nèi)存條，可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)容量為768GB的單個(gè)內(nèi)存條，可以大大增加服務(wù)器的內(nèi)存容量。

三星此前展示了單個(gè)512GB的RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條原型，使用32片16GB顆粒。

據(jù)外媒報(bào)道，三星的24GB DDR5內(nèi)存顆?？赡懿捎?-Hi疊片工藝制造。目前最新的服務(wù)器CPU和工作站CPU大多有8個(gè)內(nèi)存通道。如果使用單個(gè)768GB DDR5內(nèi)存，每個(gè)通道使用兩個(gè)內(nèi)存，總共16個(gè)內(nèi)存可以實(shí)現(xiàn)單CPU高達(dá)12TB的內(nèi)存容量。

目前三星的16GB內(nèi)存顆?？梢粤慨a(chǎn)，但24GB內(nèi)存顆粒的研發(fā)成功還需要一段時(shí)間。此外，三星還公布了EUV工藝的最新進(jìn)展，并表示其最新的14nm工藝是同級(jí)最先進(jìn)的工藝。預(yù)計(jì)下半年將采用EUV工藝制造5層堆疊16GB DDR5 DRAM內(nèi)存芯片。

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