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          離子注入行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及競(jìng)爭(zhēng)格局分析2023

          在電子工業(yè)中,離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù),也是控制MOSFET閾值電壓的一個(gè)重要手段。因此在當(dāng)代制造大規(guī)模集成電路中,可以說是一種必不可少的手段。

          離子注入是指當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí),離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面,這個(gè)現(xiàn)象叫做濺射;而當(dāng)離子束射到固體材料時(shí),從固體材料表面彈了回來,或者穿出固體材料而去,這些現(xiàn)象叫做散射;另外有一種現(xiàn)象是,離子束射到固體材料以后,受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來,并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象叫作離子注入。

          在電子工業(yè)中,離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù),也是控制MOSFET閾值電壓的一個(gè)重要手段。因此在當(dāng)代制造大規(guī)模集成電路中,可以說是一種必不可少的手段。

          離子注入行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀分析

          離子注入的方法就是在真空中、低溫下,把雜質(zhì)離子加速(對(duì)Si,電壓≥105 V),獲得很大動(dòng)能的雜質(zhì)離子即可以直接進(jìn)入半導(dǎo)體中;同時(shí)也會(huì)在半導(dǎo)體中產(chǎn)生一些晶格缺陷,因此在離子注入后需用低溫進(jìn)行退火或激光退火來消除這些缺陷。離子注入的雜質(zhì)濃度分布一般呈現(xiàn)為高斯分布,并且濃度最高處不是在表面,而是在表面以內(nèi)的一定深度處。

          離子注入的優(yōu)點(diǎn)是能精確控制雜質(zhì)的總劑量、深度分布和面均勻性,而且是低溫工藝(可防止原來雜質(zhì)的再擴(kuò)散等),同時(shí)可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)(以減小電容效應(yīng))。

          根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2020-2025年中國(guó)離子注入行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃研究報(bào)告》顯示:

          在工藝流程中,光刻的下一道工序就是刻蝕或離子注入。在做離子注入時(shí),有光刻膠保護(hù)的地方,離子束無法穿透光刻膠;在沒有光刻膠的地方離子束才能被注入到襯底中實(shí)現(xiàn)摻雜。因此,用于離子注入工藝的光刻膠必須要能有效地阻擋離子束。

          根據(jù)中國(guó)海關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2019年1-12月中國(guó)制造半導(dǎo)體器件或集成電路用的離子注入機(jī)進(jìn)口數(shù)量為171臺(tái),進(jìn)口金額為40068.56萬(wàn)美元;2019年1-12月制造半導(dǎo)體器件或集成電路用的離子注入機(jī)出口數(shù)量為74臺(tái),出口金額為425.9萬(wàn)美元。2015-2019年中國(guó)制造半導(dǎo)體器件或集成電路用的離子注入機(jī)進(jìn)口數(shù)量與進(jìn)口金額總體呈上升趨勢(shì);2015-2019年中國(guó)制造半導(dǎo)體器件或集成電路用的離子注入機(jī)出口數(shù)量與出口金額均在2018年達(dá)到最高值。

          2015-2019年中國(guó)制造半導(dǎo)體器件或集成電路用的離子注入機(jī)出口金額小于進(jìn)口金額,進(jìn)出口逆差規(guī)模2019年擴(kuò)大至最大值;2015-2019年中國(guó)制造半導(dǎo)體器件或集成電路用的離子注入機(jī)進(jìn)口平均單價(jià)波動(dòng)明顯,漲跌幅度較大,出口平均單價(jià)均小于進(jìn)口平均單價(jià)。

          離子注入技術(shù)又是近30年來在國(guó)際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性技術(shù)。其基本原理是:用能量為100keV量級(jí)的離子束入射到材料中去,離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用,入射離子逐漸損失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化,從而優(yōu)化材料表面性能,或獲得某些新的優(yōu)異性能。

          數(shù)據(jù)顯示,2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1026.4億美元,經(jīng)歷了2019年產(chǎn)業(yè)的整體萎縮,產(chǎn)業(yè)回彈規(guī)模更快。2020-2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度回升,離子注入機(jī)市場(chǎng)規(guī)??焖贁U(kuò)張,2019年達(dá)18億美元左右,根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備總體規(guī)模變化情況預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)2021年全球離子注入機(jī)市場(chǎng)規(guī)模將超過30億美元,2022年上半年來看,主要晶圓廠訂單減少。

          數(shù)據(jù)顯示,大束流離子注入機(jī)占全部離子注入機(jī)市場(chǎng)份額的61%,中低束流離子注入機(jī)及高能離子注入機(jī)分別占比20%和18%。2016年中國(guó)離子注入機(jī)的市場(chǎng)規(guī)模約為23.22億元,2020年增長(zhǎng)至44.53億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率為17.68%,近3年復(fù)合增長(zhǎng)率為28.23%。離子注入機(jī)進(jìn)口量增加154臺(tái),進(jìn)口金額增長(zhǎng)48.5%至9.13億美元,出口而言雖然出口量有所上升,但產(chǎn)品主要為中低端產(chǎn)品,對(duì)比進(jìn)出口均價(jià)而言,單臺(tái)離子注入機(jī)進(jìn)口均價(jià)是出口均價(jià)的40倍以上。2021年我國(guó)從美國(guó)進(jìn)口234臺(tái)離子注入機(jī),金額達(dá)6.11億美元,除此之外,日韓等半導(dǎo)體發(fā)展較快的發(fā)達(dá)國(guó)家也是進(jìn)口關(guān)鍵來源國(guó),分別從日本和韓國(guó)進(jìn)口74和35臺(tái)。

          離子注入行業(yè)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析

          這項(xiàng)高技術(shù)是一個(gè)方興未艾的新興產(chǎn)業(yè),硬件設(shè)備的處理能力和效率有待進(jìn)一步提高,在軟件(離子注入材料表面改性技術(shù))方面,也有待進(jìn)一步深化和細(xì)化,其應(yīng)用范圍也有待不斷擴(kuò)大。

          全球離子注入機(jī)的領(lǐng)先企業(yè)主要分布在中國(guó)、美國(guó)和日本,其中,中國(guó)大陸擁有凱世通和中科信兩家離子注入機(jī)行業(yè)的龍頭企業(yè),凱世通在光伏離子注入機(jī)方面遙遙領(lǐng)先。而美國(guó)則擁有近乎壟斷IC離子注入機(jī)市場(chǎng)的應(yīng)用材料,以及漢辰科技、Axcelis、intevac等企業(yè)。日本也擁有日新、日本真空、住友重工等離子注入機(jī)知名廠商。

          離子注入設(shè)備行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手,分析離子注入設(shè)備未來的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢(shì),挖掘離子注入設(shè)備行業(yè)的市場(chǎng)潛力,基于重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的深度研究,提供對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、產(chǎn)業(yè)盈利水平等多個(gè)角度市場(chǎng)變化的生動(dòng)描繪,清晰發(fā)展方向。

          中研普華利用多種獨(dú)創(chuàng)的信息處理技術(shù),對(duì)市場(chǎng)海量的數(shù)據(jù)進(jìn)行采集、整理、加工、分析、傳遞,為客戶提供一攬子信息解決方案和咨詢服務(wù),最大限度地降低客戶投資風(fēng)險(xiǎn)與經(jīng)營(yíng)成本,把握投資機(jī)遇,提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。想要了解更多最新的專業(yè)分析請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2020-2025年中國(guó)離子注入行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃研究報(bào)告》。

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