外傳三星砸錢擴產(chǎn) DRAM，引發(fā)市場恐慌，不過最新消息稱，三星新廠用途未定，不確定要生產(chǎn) DRAM或是系統(tǒng)半導體。與此同時，外資出面緩頰，強調光是擴產(chǎn)消息，不足以撼動市場供需平衡。

韓媒 BusinessKorea 表示，三星斥資 10 兆韓元(約 87 億美元)擴充 DRAM 產(chǎn)能，預定兩年后完工。

然而韓國先驅報說法不同，先驅報稱，半導體界透露，三星正在評估年度投資計劃，有意在韓國華城(Hwaseong)的 17 號廠內(nèi)部增加產(chǎn)線，并在 17 號廠旁邊另蓋新工廠。外界對于新產(chǎn)能用途看法不一，有人認為三星會增產(chǎn)DRAM、也有人說要生產(chǎn)系統(tǒng)半導體。

三星發(fā)言人表示，目前為時過早，無法確認投資計劃和新產(chǎn)線用途，詳細內(nèi)容敲定后，會在本月底或 4 月初宣布。

各方看法不一，可能由于華城廠產(chǎn)線多元，17 號廠興建之初只生產(chǎn)系統(tǒng)芯片，但是三星兩度擴建 17 號廠，增加了 DRAM 和 3D NAND 產(chǎn)線，這次擴產(chǎn)目的難以判斷。有人猜測，17 廠內(nèi)部的新增產(chǎn)線可能用于生產(chǎn) 10 納米系統(tǒng)芯片、新工廠則生產(chǎn) 7 納米系統(tǒng)芯片。

三星擴產(chǎn)對象還不明朗，就算三星真的擴產(chǎn) DRAM，Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 信心喊話，指出光是擴產(chǎn)宣言不至于動搖市場，需求才是觀察重點。

巴倫周刊(Barronˋs)15 日報導，Hosseini 說，三星 2014 年宣布興建韓國平澤廠(Pyeongtaek)，生產(chǎn) 3D NAND，但是直到今年下半平澤廠才放量生產(chǎn)，距離宣布時間相隔 3 年。

SK 海力士 2014 年宣布增加 DRAM 產(chǎn)能，對市場供需也影響不大。2015 年、2016 年上半，PC 需求不振，才是 DRAM 供需失衡的主因。

Hosseini 強調，需要用更全面的觀點看待供需，當前存儲器多頭市場能否持續(xù)，取決于終端市場需求、3D NAND 良率、各公司技術進展和成本曲線，不能單看擴產(chǎn)宣言。

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