第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資布局熱潮遍及國(guó)內(nèi)外,尤其是在國(guó)內(nèi),各地紛紛上馬第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目。第三代半導(dǎo)體上下游公司,臺(tái)基股份、安泰科技、露笑科技、海特高新等表現(xiàn)活躍。面對(duì)國(guó)外龍頭企業(yè)在先進(jìn)工藝上的布局與接下來(lái)的量產(chǎn),工藝提升帶來(lái)的成本降低,無(wú)疑將給國(guó)內(nèi)企業(yè)
第三代半導(dǎo)體投資布局機(jī)會(huì)分析 2021第三代半導(dǎo)體制造上市龍頭
碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體脫穎而出,或成為后摩爾時(shí)代集成電路領(lǐng)域最具顛覆性的技術(shù)之一。第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資布局熱潮遍及國(guó)內(nèi)外,尤其是在國(guó)內(nèi),各地紛紛上馬第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目。第三代半導(dǎo)體上下游公司,臺(tái)基股份、安泰科技、露笑科技、海特高新等表現(xiàn)活躍。
但在技術(shù)先進(jìn)性上國(guó)內(nèi)與國(guó)外仍然存在顯著差距,面對(duì)國(guó)外龍頭企業(yè)在先進(jìn)工藝上的布局與接下來(lái)的量產(chǎn),工藝提升帶來(lái)的成本降低,無(wú)疑將給國(guó)內(nèi)企業(yè)帶來(lái)巨大的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)壓力。
碳化硅、氮化鎵具有許多優(yōu)異的特性,如更高的功率轉(zhuǎn)換效率、更高的工作頻率、更小的芯片面積、單個(gè)器件更好的耐壓特性等。而在 5G 基站、電源轉(zhuǎn)換、雷達(dá)探測(cè)、航空航天、電動(dòng)汽車、光伏逆變等新興應(yīng)用的推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體開始從研發(fā)階段走向大規(guī)模量產(chǎn),產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)入快速發(fā)展期。
當(dāng)前,中國(guó)正在發(fā)力實(shí)施5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算和人工智能新一代信息技術(shù)及其帶動(dòng)車聯(lián)網(wǎng)、工聯(lián)網(wǎng)、智能制造,智慧能源、智慧城市、醫(yī)療健康、軌道交通等垂直行業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)發(fā)展的新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)(新基建),推動(dòng)中國(guó)經(jīng)濟(jì)社會(huì)創(chuàng)新發(fā)展、高質(zhì)量發(fā)展。
5G時(shí)代新基建需求的牽引,成為第三代半導(dǎo)體繼21世紀(jì)初順應(yīng)世界能源與環(huán)境發(fā)展戰(zhàn)略需求迎來(lái)以LED半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)為特征的發(fā)展機(jī)遇之后,又迎來(lái)以第三代半導(dǎo)體電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)為特征的新一輪新發(fā)展機(jī)遇。
第三代半導(dǎo)體電子技術(shù)以其高能效、低功耗、高極端性能和耐惡劣環(huán)境的不可替代性優(yōu)勢(shì)在微波射頻和功率電子兩個(gè)領(lǐng)域?qū)?G信息技術(shù)發(fā)展、新基建實(shí)施從技術(shù)底層發(fā)揮其重要的支撐作用。
第三代半導(dǎo)體成為我國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)的對(duì)象,為促進(jìn)第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,國(guó)家鼓勵(lì)政策頻發(fā),地方積極響應(yīng)。
2020年,我國(guó)各地方發(fā)布第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策16條,覆蓋了12個(gè)省(含直轄市)。從2020年各省市發(fā)布的相關(guān)政策來(lái)看,雖然2020年度沒有頒布專項(xiàng)政策,但第三代半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)方向,得到了各省市的系統(tǒng)布局和重視。
8月12日,深圳市屬國(guó)企深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司完成深圳方正微電子有限公司重組變更的全部法律程序并正式進(jìn)駐,在半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域再下一城,將助力深圳進(jìn)一步打造第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新高地。
據(jù)了解,深圳市在近日印發(fā)《廣東省制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規(guī)劃》,提出要打造我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展第三極,建成具有國(guó)際影響力的半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。
方正微電子成立于2003年12月,致力于推動(dòng)電源管理芯片和新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化。方正微電子擁有兩條6英寸晶圓生產(chǎn)線,年產(chǎn)能達(dá)60萬(wàn)片。
第三代半導(dǎo)體是一個(gè)“新領(lǐng)域”,在實(shí)際應(yīng)用中也占據(jù)著十分重要的地位,在軍事、新能源和高頻通信等領(lǐng)域都有重要作用和巨大的應(yīng)用潛力,尤其是在新能源汽車和5G領(lǐng)域,我國(guó)是該領(lǐng)域中市場(chǎng)應(yīng)用最大的國(guó)家,有著廣泛的市場(chǎng)前景。
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2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告
第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬...
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