中國(guó)公司12月量產(chǎn)內(nèi)存閃存 2021全球內(nèi)存芯片公司市場(chǎng)份額

• 2021年8月20日 HuangJiang來(lái)源：新浪 1047 66
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在過(guò)去的兩年中，中國(guó)公司也開(kāi)始加入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫在2019年下半年分別量產(chǎn)了3D閃存及內(nèi)存芯片，現(xiàn)在還在加速追趕中，不過(guò)技術(shù)及產(chǎn)能上跟全球巨頭還有很大的差距。

中國(guó)公司量產(chǎn)內(nèi)存閃存 2021全球內(nèi)存芯片公司市場(chǎng)份額

全球內(nèi)存、閃存芯片市場(chǎng)價(jià)值超過(guò)1000億美元，基本上被美日韓公司壟斷，三星、SK海力士、美光三家公司就占了全球內(nèi)存95%的份額。

在過(guò)去的兩年中，中國(guó)公司也開(kāi)始加入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫在2019年下半年分別量產(chǎn)了3D閃存及內(nèi)存芯片，現(xiàn)在還在加速追趕中，不過(guò)技術(shù)及產(chǎn)能上跟全球巨頭還有很大的差距。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪(fǎng)中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

內(nèi)存芯片一般指內(nèi)存顆粒。很多時(shí)候，常聽(tīng)人們說(shuō)到“內(nèi)存顆?！?，其實(shí)這是港臺(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱(chēng)呼(僅對(duì)內(nèi)存)，其他的芯片，港臺(tái)則稱(chēng)為“晶片”。

摩根士丹利分析師Joseph Moore寫(xiě)道，芯片行業(yè)正進(jìn)入周期的后期階段，即內(nèi)存供過(guò)于求的階段，存儲(chǔ)設(shè)備制造商明年將面臨艱難的定價(jià)環(huán)境。

美國(guó)芯片股應(yīng)聲大跌。周四，美國(guó)最大的電腦內(nèi)存芯片廠商美光科技(Micron Technology)盤(pán)中一度下跌8%，最終收跌6.37%，為連續(xù)第四日下跌。希捷科技(Seagate Technology)下跌3.5%，英特爾(Intel)也下跌1%。

摩根士丹利警告稱(chēng)，全球芯片短缺導(dǎo)致的大量需求已經(jīng)開(kāi)始回調(diào)， 供應(yīng)正在趕上需求，價(jià)格上升趨勢(shì)可能從明年開(kāi)始扭轉(zhuǎn)向下，尤其是DRAM存儲(chǔ)行業(yè)。

DRAM合約價(jià)格在今年第二季度上漲了20-25%，但隨著加密貨幣需求的快速放緩促使許多下游供應(yīng)商提前調(diào)整庫(kù)存水平，價(jià)格有望停止下跌。

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