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          2022半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展趨勢及市場現(xiàn)狀分析

          • 2022年4月24日 zengyan來源:互聯(lián)網(wǎng) 928 58
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          半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展趨勢及市場現(xiàn)狀如何?近年來,隨著國際貿(mào)易摩擦加速了國產(chǎn)替代的進(jìn)程,越來越多的下游新能源汽車、工業(yè)控制領(lǐng)域等廠商開始主動嘗試接受國產(chǎn) IGBT產(chǎn)品,國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)企業(yè)市場份額逐步擴(kuò)大。

          2022半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展趨勢及市場現(xiàn)狀分析

          半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展趨勢及市場現(xiàn)狀如何?近年來,隨著國際貿(mào)易摩擦加速了國產(chǎn)替代的進(jìn)程,越來越多的下游新能源汽車、工業(yè)控制領(lǐng)域等廠商開始主動嘗試接受國產(chǎn) IGBT產(chǎn)品,國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)企業(yè)市場份額逐步擴(kuò)大。

          近日,宏微科技發(fā)布業(yè)績快報,報告期內(nèi),公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 5.23億元,較上年同期增長 57.76%;實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 6382.88萬元,較上年同期增長 139.62%。在雙碳和國產(chǎn)替代政策趨勢推動下,公司下游應(yīng)用如新能源、電動汽車、工控等領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,對國產(chǎn) IGBT、 FRED功率半導(dǎo)體器件需求旺盛。

          宏微科技成功開發(fā)的宏微第三代 M3i、宏微第四代 M4i的 IGBT以及 FRED產(chǎn)品等,各項性能指標(biāo)與英飛凌同類產(chǎn)品接近,屬于國內(nèi)進(jìn)口主流產(chǎn)品的技術(shù)水平,推動了我國功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品技術(shù)水平的提升。

          憑借領(lǐng)先的芯片技術(shù)和先進(jìn)的模塊封裝技術(shù),宏微科技形成了“芯片、單管、模塊和電源模組”產(chǎn)品鏈,掌握的核心技術(shù)全部應(yīng)用于主營業(yè)務(wù),多項產(chǎn)品已通過諸多國內(nèi)外知名企業(yè)驗(yàn)證,在行業(yè)內(nèi)具有獨(dú)特的競爭優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用場景。

          據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院出版的《2022-2027年版半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)政府戰(zhàn)略管理與區(qū)域發(fā)展戰(zhàn)略研究咨詢報告》統(tǒng)計分析顯示:

          根據(jù)IHSMarkit預(yù)測,2019年全球功率器件市場規(guī)模約為404億美元,預(yù)計至2021年市場規(guī)模將增長至441億美元,2018年至2021年的年化增速為4.09%。

          功率半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體器件的重要組成部分,是電力電子應(yīng)用裝備的基礎(chǔ)和核心器件,主要用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、變頻等,具有應(yīng)用范圍廣、用量大等特點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品,其中晶體管是市場份額最大的種類,晶體管又可以分為IGBT、MOSFET和雙極型晶體管等。功率半導(dǎo)體器件作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電和電能質(zhì)量管理、汽車電子和汽車充電樁等領(lǐng)域,尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域起著無法替代的關(guān)鍵作用。

          推動該市場增長的關(guān)鍵驅(qū)動因素包括促進(jìn)創(chuàng)新應(yīng)用的GaN材料的寬間隙特性、GaN在射頻功率電子產(chǎn)品中的成功以及GaN射頻半導(dǎo)體器件的日益普及用于國防和航空航天應(yīng)用等。

          報告顯示,全球氮化鎵半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模將從2021年的201億美元,增長到2026年的263億美元,復(fù)合年增長率為5.5%。推動該市場增長的關(guān)鍵驅(qū)動因素包括促進(jìn)創(chuàng)新應(yīng)用的GaN材料的寬間隙特性、GaN在射頻功率電子產(chǎn)品中的成功以及GaN射頻半導(dǎo)體器件的日益普及用于國防和航空航天應(yīng)用等。

          預(yù)計到2026年,亞太地區(qū)將占據(jù)GaN半導(dǎo)體器件市場的最大份額。亞太地區(qū)的工業(yè)活動在中國等亞洲國家的代工廠、晶圓、制造、組裝、測試和封裝設(shè)施數(shù)量方面呈指數(shù)級增長。隨著這些產(chǎn)品的國內(nèi)消費(fèi)量不斷增長,該地區(qū)的電動汽車制造和進(jìn)口也在增加。隨著電動汽車的普及以及該地區(qū)電動汽車充電站的建立,預(yù)計未來氮化鎵半導(dǎo)體器件市場的機(jī)會將加速增長。

          未來行業(yè)市場發(fā)展前景和投資機(jī)會在哪?欲了解更多關(guān)于行業(yè)具體詳情可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的報告《2022-2027年版半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)政府戰(zhàn)略管理與區(qū)域發(fā)展戰(zhàn)略研究咨詢報告》。報告對行業(yè)相關(guān)各種因素進(jìn)行具體調(diào)查、研究、分析,洞察行業(yè)今后的發(fā)展方向、行業(yè)競爭格局的演變趨勢以及技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、市場規(guī)模、潛在問題與行業(yè)發(fā)展的癥結(jié)所在,評估行業(yè)投資價值、效果效益程度,提出建設(shè)性意見建議,為行業(yè)投資決策者和企業(yè)經(jīng)營者提供參考依據(jù)。

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