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          中國(guó)行業(yè)研究網(wǎng)行業(yè)分析
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          美光科技將在日本廣島量產(chǎn)尖端DRAM DRAM行業(yè)深度分析

          • 2022年6月13日 LiuMingYue來(lái)源:日經(jīng)中文網(wǎng) 1069 68
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          日經(jīng)中文網(wǎng)6月13日消息,美國(guó)大型存儲(chǔ)器企業(yè)美光科技首席商務(wù)官(CBO)Sumit Sadana表示,公司計(jì)劃于2022年內(nèi)在日本廣島工廠量產(chǎn)暫時(shí)保存數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體DRAM的尖端產(chǎn)品。關(guān)于被該公司稱為“1β”的尖端DRAM,Sumit Sadana表示“正與日本政府和(設(shè)備企業(yè)等)合作伙伴進(jìn)2

          美光科技將在日本廣島量產(chǎn)尖端DRAM

          日經(jīng)中文網(wǎng)6月13日消息,美國(guó)大型存儲(chǔ)器企業(yè)美光科技首席商務(wù)官(CBO)Sumit Sadana表示,公司計(jì)劃于2022年內(nèi)在日本廣島工廠量產(chǎn)暫時(shí)保存數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體DRAM的尖端產(chǎn)品。關(guān)于被該公司稱為“1β”的尖端DRAM,Sumit Sadana表示“正與日本政府和(設(shè)備企業(yè)等)合作伙伴進(jìn)行溝通,將在2022年底前啟動(dòng)量產(chǎn)”。

          美光科技DRAM行業(yè)收入分析

          今年上半年,DRAM和NAND Flash量?jī)r(jià)齊升,但美光預(yù)警下個(gè)季度出貨量將減少。

          截止到2021年8月31日的2021年第四財(cái)季中,美光創(chuàng)造了歷史季度營(yíng)收第二高的紀(jì)錄,達(dá)到83億美元,同比增長(zhǎng)37%,環(huán)比增長(zhǎng)11%;其中NAND Flash收入和嵌入式部門(mén)收入均創(chuàng)季度高點(diǎn)。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為31億美元,環(huán)比增長(zhǎng)30%,同比增長(zhǎng)136%;凈利潤(rùn)為28億美元,環(huán)比增長(zhǎng)28%,同比增長(zhǎng)126%。

          本財(cái)季DRAM收入為61億美元,環(huán)比增長(zhǎng)12%,同比增長(zhǎng)39%。DRAM Bit出貨量環(huán)比低個(gè)位數(shù)成長(zhǎng),ASP環(huán)比高個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)。2021年DRAM bit需求成長(zhǎng)20%左右,2022年成長(zhǎng)15%以上。

          本財(cái)季NAND Flash收入20億美元,環(huán)比增長(zhǎng)9%,同比增長(zhǎng)29%。NAND Flash Bit出貨量環(huán)比低個(gè)位數(shù)成長(zhǎng),ASP環(huán)比增長(zhǎng)5%。2021年NAND bit需求成長(zhǎng)35%以上,2022年成長(zhǎng)接近30%。

          據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告《2021-2026年DRAM行業(yè)深度分析及投資戰(zhàn)略研究咨詢報(bào)告》分析

          據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),今年全球存儲(chǔ)器的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)1500億美金,其中NAND Flash大約在650億美元左右,而DRAM大概在911億美元。從現(xiàn)貨指數(shù)來(lái)看,今年前8個(gè)月整個(gè)NAND Flash和DRAM的綜合價(jià)格指數(shù)分別上漲了12.4%和18.4%。

          未來(lái)隨著智能手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心等對(duì)存儲(chǔ)器需求不斷增長(zhǎng),從2020年到2025年全球NAND Flash容量將維持在30%左右高增長(zhǎng),DRAM容量將以20%左右的增長(zhǎng)率成長(zhǎng)。

          從全球DRAM行業(yè)市場(chǎng)格局來(lái)看,在NAND Flash與DRAM生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,以韓國(guó)、美國(guó)、日本作為第一梯隊(duì),而中國(guó)臺(tái)灣作為第二梯隊(duì),中國(guó)大陸則是新進(jìn)選手

          與所有半導(dǎo)體產(chǎn)品一樣,少數(shù)公司傾向于控制特定產(chǎn)品的多數(shù)市場(chǎng)份額,DRAM也不例外,存儲(chǔ)器行業(yè)科技含量高,高昂的研發(fā)成本使得資本支出大且增速高于其他行業(yè),從而壟斷格局牢固,巨頭優(yōu)勢(shì)下馬太效應(yīng)愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨頭已經(jīng)在DRAM領(lǐng)域形成了“高市占率→高營(yíng)業(yè)額→研發(fā)投入大→技術(shù)領(lǐng)先→搶占市場(chǎng)”的良性循環(huán)。據(jù)統(tǒng)計(jì),2020年Q3三星占據(jù)41.3%市場(chǎng)份額,SK海力士占據(jù)28.2%市場(chǎng)份額,美光占據(jù)25%市場(chǎng)份額,其他占比5.5%。

          目前國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)器制造商分別是長(zhǎng)江存儲(chǔ),福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫。長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要負(fù)責(zé)NAND Flash技術(shù)研發(fā),福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫則負(fù)責(zé)DRAM領(lǐng)域。

          下半年福建晉華投產(chǎn)之后,被美國(guó)商務(wù)部以國(guó)家安全為由列入出口管制清單,美國(guó)三大半導(dǎo)體制造商在禁令當(dāng)天撤出福建晉華12寸廠,隨后技術(shù)合作方臺(tái)灣聯(lián)電表態(tài)終止合作,福建晉華于2019年3月停產(chǎn)。目前國(guó)產(chǎn)替代DRAM最大希望就在合肥長(zhǎng)鑫。

          據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),今年全球存儲(chǔ)器的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)1500億美金,其中NAND Flash大約在650億美元左右,而DRAM大概在911億美元。未來(lái)隨著智能手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心等對(duì)存儲(chǔ)器需求不斷增長(zhǎng),從2020年到2025年全球NAND Flash容量將維持在30%左右高增長(zhǎng),DRAM容量將以20%左右的增長(zhǎng)率成長(zhǎng)。

          更多行業(yè)消息,請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華研究院出版的《2021-2026年DRAM行業(yè)深度分析及投資戰(zhàn)略研究咨詢報(bào)告》。

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