硅光電子芯片市場前景如何?2023-2029期間年復(fù)合增長率(CAGR)為 %。就銷量而言,硅光電子芯片和器件銷量為 ,預(yù)計2029年將達(dá)到 ,年復(fù)合增長率為 %。
硅光電子芯片市場前景如何?近?10?年來,硅基光電子集成的關(guān)鍵材料和器件研究引起了科學(xué)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注,僅美國?Intel?公司對硅基光電子的研發(fā)投入就高達(dá)數(shù)十億美元。硅基光電異質(zhì)集成技術(shù)不僅擁有硅材料可大規(guī)模?CMOS?制造的特點,硅基光電子同時充分發(fā)揮不同材料的優(yōu)異光電特性,可實現(xiàn)傳統(tǒng)硅光技術(shù)無法媲美的器件指標(biāo),進(jìn)而實現(xiàn)真正意義上的硅基光電子單片集成系統(tǒng)。
在“863?計劃”“973?計劃”和國家自然科學(xué)基金等支持下,我國也加大了硅基異質(zhì)集成方向的研究力度,在硅基關(guān)鍵光電子集成器件等方面取得了一系列重要成果,調(diào)制、探測、復(fù)用與解復(fù)用等分立器件已經(jīng)研制成功,異質(zhì)集成襯底、光源、高速光電調(diào)制器等方向取得了一系列重要進(jìn)展。
全球硅光子芯片和器件市場規(guī)模大約為 百萬美元,預(yù)計2029年達(dá)到 百萬美元,2023-2029期間年復(fù)合增長率(CAGR)為 %。就銷量而言,硅光電子芯片和器件銷量為 ,預(yù)計2029年將達(dá)到 ,年復(fù)合增長率為 %。得益于硅基材料在短波中紅外波段的高透明度、高光學(xué)非線性和成熟的CMOS制作工藝等優(yōu)勢,硅基光子技術(shù)有望為實現(xiàn)低成本、大規(guī)模單片光電子集成應(yīng)用提供一種極具前景的解決方案。
現(xiàn)階段重點布局6G通信、腦科學(xué)、元宇宙、區(qū)塊鏈、量子科技、新一代人工智能、開源指令集架構(gòu)(RISC-V)等領(lǐng)域和方向,鼓勵未知領(lǐng)域新產(chǎn)業(yè)新業(yè)態(tài)的探索和發(fā)展,大力支持企業(yè)家、科學(xué)家、投資者等多元主體開展未來技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)業(yè),打造特色鮮明、引領(lǐng)發(fā)展的未來產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)示范區(qū)。
聚焦高端芯片、關(guān)鍵設(shè)備、基礎(chǔ)原材料、基礎(chǔ)軟件等領(lǐng)域,突破存儲芯片、超高速光收發(fā)模塊專用芯片、功率半導(dǎo)體芯片、傳感芯片、光纖傳感網(wǎng)絡(luò)用特種光芯片與器件、OLED有機(jī)發(fā)光材料、超快激光器種子源、工業(yè)基礎(chǔ)軟件等一批產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)。
2024年底前完成硅光工藝平臺通線和工藝設(shè)計套件(PDK)開發(fā)。到2025年,完成12英寸基礎(chǔ)硅光流片工藝開發(fā),形成國際領(lǐng)先的硅光晶圓代工和生產(chǎn)制造能力。到2030年,打造12英寸硅基光電融合工藝線,建成全球前三的硅光芯片特色工藝線,器件性能達(dá)到國際領(lǐng)先,形成廣泛的光電子芯片加工能力。
中研研究院出版的《2023-2028年中國硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測報告》顯示
硅光助力解決相干模塊尺寸與成本問題。未來硅光通信向著高速率、集成化方向邁進(jìn)。另外,從互聯(lián)和計算來看,光互連可為計算提供高性能I/O接口,硅光計算產(chǎn)業(yè)整體處于初步探索階段,預(yù)計將先在部分特定應(yīng)用市場中形成產(chǎn)品競爭力。成為使后摩爾時代計算技術(shù)突破傳統(tǒng)微電子計算極限的可選方案,可實現(xiàn)更低能耗、更小延遲以及更大帶寬。
當(dāng)前國內(nèi)負(fù)極材料生產(chǎn)企業(yè)眾多,這必然導(dǎo)致負(fù)極材料市場競爭的加劇。未來,負(fù)極材料市場競爭格局將聚焦于各龍頭之間的競爭,低端產(chǎn)能將被逐步出清,擁有核心技術(shù)和優(yōu)勢客戶渠道的企業(yè)將會獲得更多市場份額,硅基光電子市場集中度將進(jìn)一步提升。
從市場格局來看,國內(nèi)主要硅基負(fù)極材料生產(chǎn)企業(yè)包括貝特瑞、上海杉杉、江西紫宸、江西正拓、中科電氣、深圳斯諾等,其中能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)較少。作為國內(nèi)最早量產(chǎn)硅基負(fù)極材料的企業(yè)之一,目前貝特瑞的硅碳負(fù)極材料已經(jīng)突破至第三代產(chǎn)品,比容量從第一代的650mAh/g提升至第三代的1500mAh/g,并且正在開發(fā)更高容量的第四代硅碳負(fù)極材料產(chǎn)品。
硅光芯片市場在未來幾年可能會出現(xiàn)爆炸性增長,2026年硅光電子芯片市場增長的11億美元,并預(yù)測,從2021年開始的五年內(nèi),復(fù)合年增長率為49%。硅光平臺將會出現(xiàn)多種新應(yīng)用,且認(rèn)為增長最快的將是醫(yī)療健康和光計算領(lǐng)域的應(yīng)用。
目前硅光電子芯片正于螺旋上升的狀態(tài),是一個嶄新的技術(shù)。預(yù)計到2026年,全球硅光市場規(guī)模將超過70億美元。未來硅基光電子技術(shù)進(jìn)入芯片間互連及物聯(lián)網(wǎng),其應(yīng)用領(lǐng)域及規(guī)模將呈指數(shù)性增長。
目前我國十四五政策上來看,上海市明確提出發(fā)展光子芯片與器件,重點突破硅光子、光通訊器件、光子芯片等新一代光子器件的研發(fā)與應(yīng)用,對光子器件模塊化技術(shù)、基于CMOS的硅光子工藝、芯片集成化技術(shù)、光電集成模塊封裝技術(shù)等方面的研究開展重點攻關(guān)。湖北省、重慶市、蘇州市等政府都把硅光芯片作為“十四五”期間的重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)。
中研普華研究院預(yù)計,硅基光電子材料的銷售將從2023年真正開始,到2025年,全球硅負(fù)極材料的需求將以70%的復(fù)合年增長率增長,硅光電子芯片行業(yè)未來幾年將處于高增長態(tài)勢。
中國硅光電子芯片行業(yè)市場的發(fā)展現(xiàn)狀,通過公司資深研究團(tuán)隊對市場各類資訊進(jìn)行整理分析,行業(yè)研究報告可以幫助投資者合理分析硅光電子芯片行業(yè)的市場現(xiàn)狀,為投資者進(jìn)行投資作出行業(yè)前景預(yù)判,挖掘投資價值,同時提出行業(yè)投資策略和營銷策略等方面的建議。
中國硅光電子芯片行業(yè)的內(nèi)外部環(huán)境、行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r、市場供需、競爭格局、發(fā)展策略與投資建議等進(jìn)行了分析。未來硅光電子芯片市場現(xiàn)狀如何呢?請查看,中研研究院出版的《2023-2028年中國硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測報告》。
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2023-2028年中國硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預(yù)測報告
硅基光電子技術(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)80年代,Soref發(fā)現(xiàn)了晶體硅中的等離子色散效應(yīng),為硅基電光調(diào)制提供了理論基礎(chǔ)。硅光子技術(shù)其核心理念是“以光代電”,即利用激光束代替電子信號進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。...
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