AI帶動需求暴增 存儲巨頭預(yù)測它未來目標(biāo)出貨超億顆 2023全球存儲芯片市場狀況與供需局面

• 李波 2023年11月15日 來源：中研普華集團(tuán)、央視財經(jīng)、中研網(wǎng) 620 35
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據(jù)新浪財經(jīng)，韓國政府周二公布的數(shù)據(jù)顯示，其(ICT)產(chǎn)品出口同比下降4.5%，但內(nèi)存芯片出口額同比增長1%，為16個月以來首次增長。此外，SK海力士近期透露，預(yù)計到2030年公司高帶寬內(nèi)存(HBM)出貨量將達(dá)到每年1億顆。

據(jù)新浪財經(jīng)，韓國政府周二公布的數(shù)據(jù)顯示，其(ICT)產(chǎn)品出口同比下降4.5%，但內(nèi)存芯片出口額同比增長1%，為16個月以來首次增長。此外，SK海力士近期透露，預(yù)計到2030年公司高帶寬內(nèi)存(HBM)出貨量將達(dá)到每年1億顆。

民生及方正證券證券指出，與DDR對比，HBM基于TSV工藝與處理器封裝于同一中介層，在帶寬、面積、功耗等多方面更具優(yōu)勢，緩解了數(shù)據(jù)中心能耗壓力及帶寬瓶頸。

最新的HBM3E產(chǎn)品可提供超過1TB/s的數(shù)據(jù)帶寬，具有8Gb/s的I/O速率，緩解了因內(nèi)存部件延遲而阻礙算力增長的問題。受益AI需求催化，HBM用量需求大幅提升。

由于HBM高門檻，目前僅海力士、三星和美光穩(wěn)定供應(yīng)，據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2022年三者份額分別為50%、40%、10%。

民生證券認(rèn)為，在HBM需求快速增長的背景下，國內(nèi)廠商有望在相關(guān)材料、設(shè)備、封測、代理商四個環(huán)節(jié)受益。經(jīng)歷漫長的下行周期之后,存儲芯片市場價格止跌,部分型號存儲芯片價格出現(xiàn)反彈。存儲芯片周期拐點何時到來?產(chǎn)業(yè)發(fā)展有何新趨勢?

存儲芯片市場價格反彈

存儲芯片市場價格的反彈信號，讓行業(yè)人士看到“曙光”。在2024年存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示：“2023年，原廠產(chǎn)能策略步調(diào)一致，均以去庫存為目標(biāo)。目前實際生產(chǎn)量已經(jīng)低于需求，預(yù)計第四季度庫存去化將加速。展望明年，供需將逐步走向平衡，帶動價格緩步上漲?！?/p>

國家專精特新“小巨人”企業(yè)時創(chuàng)意董事長倪黃忠在接受采訪時表示：“近2年來，全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了過山車行情，從2021年的缺貨，供不應(yīng)求，到2022年的產(chǎn)能過剩，2023年第三季度開始出現(xiàn)反轉(zhuǎn)信號，存儲芯片春天即將到來?！?/p>

進(jìn)入第四季度，多個型號的存儲芯片呈現(xiàn)漲價之勢。根據(jù)集邦咨詢最新研究數(shù)據(jù)，今年第四季Mobile DRAM(移動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)合約價季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13%至18%。

NAND Flash(閃存存儲器)方面，eMMC(嵌入式多媒體存儲芯片)、UFS(通用閃存存儲芯片)第四季合約價漲幅約10%至15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。

存儲賽道上市公司對周期的研判也備受關(guān)注。存儲芯片頭部企業(yè)兆易創(chuàng)新加大去庫存的力度，近幾個季度以來存貨呈逐步下降的趨勢。

2023全球存儲芯片市場狀況與供需局面

由于存儲芯片市場持續(xù)低迷，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應(yīng)商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度運(yùn)營虧損。不過該公司表示，各大存儲芯片制造商減產(chǎn)后，將從今年下半年開始改善市場狀況。

這家全球第二大存儲芯片制造商公布，今年一季度營業(yè)虧損3.4萬億韓元(合25.4億美元)，上年同期盈利2.9萬億韓元。這一結(jié)果符合分析師的預(yù)期。這是SK集團(tuán)自2012年收購海力士以來的最大虧損，也是繼去年第四季度虧損1.9萬億韓元后，連續(xù)兩個季度出現(xiàn)虧損。

財報顯示，該公司一季度營收同比下降58%，至5.1萬億韓元。

SK海力士表示，公司虧損進(jìn)一步擴(kuò)大，主要是因為全球經(jīng)濟(jì)放緩令第一季度存儲芯片供過于求的局面惡化，導(dǎo)致價格下跌。盡管SK海力士錄得創(chuàng)紀(jì)錄虧損，但由于公司表示未來存儲芯片市場將反彈，該公司股價周三早盤錄得上漲，目前上漲約3%。

存儲芯片的價格周期

從DRAM的價格周期看，自2012 年至今DRAM已經(jīng)經(jīng)歷了三輪周期。

*輪周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2為周期上行，主要驅(qū)動力為智能手機(jī)爆發(fā)，對 DRAM 的需求增長;2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因為各廠商擴(kuò)產(chǎn)落地導(dǎo)致供大于求。

第二輪周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驅(qū)動力為主要的存儲芯片廠商轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至3D NAND Flash，DRAM 無擴(kuò)產(chǎn)計劃;2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中國和美國貿(mào)易摩擦導(dǎo)致全球下游需求萎靡，服務(wù)器、PC、筆記本電腦等需求不佳，DRAM供過于求。

第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2為周期上行，主要驅(qū)動力為疫情下，線上經(jīng)濟(jì)、居家辦公等需求拉動服務(wù)器、TV、PC 出貨激增， 5G 手機(jī)升級驅(qū)動單機(jī)容量升級，帶動 DRAM 價格回升。

2021年Q3至今為周期下行，原因是隨著智能手機(jī)等消費(fèi)電子需求步入低迷，存儲廠商持續(xù)去庫存。NAND Flash與DRAM的價格周期波動情況相似，自2012年至今也經(jīng)歷了三輪周期。

根據(jù)中研普華研究院《2023-2028年國內(nèi)存儲設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》顯示：

從2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash兩大內(nèi)存芯片價格已經(jīng)下跌長達(dá)20個月。各存儲芯片廠商正在集中減產(chǎn)、應(yīng)對庫存問題、節(jié)約資本開支，并推遲先進(jìn)技術(shù)的進(jìn)展，以應(yīng)對存儲器需求的疲軟。

為了應(yīng)對 3DNAND 和 DRAM 內(nèi)存需求放緩的問題，美光宣布將DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%，除此之外，美光還宣布將在2023年削減30%的資本開支。

SK 海力士也宣布削減2023年的資本支出50%以上，并對收益較低的存儲產(chǎn)品進(jìn)行減產(chǎn)。隨后在今年年初，有臺媒報道SK海力士已調(diào)降供國內(nèi)設(shè)施使用的晶圓產(chǎn)量10%。鎧俠也做出了減產(chǎn)動作，調(diào)整日本四日市和北上NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，晶圓生產(chǎn)量將減少約30%。

西部數(shù)據(jù)宣布NAND閃存產(chǎn)量減少30%。

就在近日，三星一改之前堅決不減產(chǎn)的態(tài)度，宣布對存儲芯片進(jìn)行減產(chǎn)。三星電子表示，將把內(nèi)存芯片產(chǎn)量削減至“合理水平”，主要以PC內(nèi)存“DDR4”等通用產(chǎn)品為中心推進(jìn)。

隨著各家存儲器大廠紛紛大幅減產(chǎn)，存儲芯片供給端過?，F(xiàn)象將進(jìn)一步改善。近期，從海外三大存儲巨頭的預(yù)測來看，市場情況正在出現(xiàn)微妙變化。

據(jù)美光透露，存儲芯片庫存已至高點，后續(xù)有望迎來行業(yè)拐點。雖然目前存儲價格仍在下行，但廠商庫存壓力已達(dá)到峰值，后續(xù)有望逐步下降至安全水位。

SK海力士日前在股東大會上也透露，預(yù)計存儲芯片需求將在今年下半年復(fù)蘇，但不確定性依舊存在，公司今年資本開支將減半，不會進(jìn)一步減產(chǎn)。

鎧俠也認(rèn)為隨著今年中國經(jīng)濟(jì)全面重啟，客戶庫存水平逐季降低，市場需求將于今年下半年復(fù)蘇。在近日召開的CFMS 2023峰會上，中國存儲龍頭長江存儲的首席運(yùn)營官程衛(wèi)華在演講中也提到，得益于智能手機(jī)、服務(wù)器和個人電腦制造商的需求訂單，全球NAND閃存市場的供需將在今年下半年達(dá)到平衡。

國產(chǎn)存儲芯片擴(kuò)展到了8Gb

國產(chǎn)芯片又傳來好消息，近日，存儲芯片企業(yè)江波龍表示，其自主研發(fā)了SLC閃存芯片，容量從512Mb擴(kuò)展到了8Gb。

目前，存儲芯片中DRAM與閃存合計占比達(dá)到了95%，其中DRAM占比為52%，閃存芯片中，NAND占40%，NOR3%。

NOR閃存與NAND閃存有很大的區(qū)別，NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價格比較貴，容量比較小，主要用來存儲代碼及少量數(shù)據(jù)，比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，NOR閃存通常用于瘦客戶機(jī)、機(jī)頂盒、打印機(jī)和驅(qū)動器控制器。

而NAND型更像硬盤，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，成本要低一些，而容量大得多，主要用來存儲資料。

那么今天我們要說的就是NAND閃存。

NAND閃存芯片又通常分為SLC、MLC、TLC以及QLC四種，他們之間有一定區(qū)別，各有優(yōu)缺點。其中的SLC=Single-Level Cell，其優(yōu)點是速度快、壽命長，約10萬次擦寫壽命，缺點是價格貴，成本約是MLC的3倍以上。

MLC=Multi-Level Cell，速度和壽命一般，約3000-10000次擦寫壽命，價格也一般。

TLC=Trinary-Level Cell，速度慢、壽命短，約1500-3000次擦寫壽命，價格便宜。

QLC=Quad-Level Cell，速度慢、壽命短，約500-1000次擦寫壽命，但成本最低。

在機(jī)械硬盤中磁道是存儲的構(gòu)建塊，而在固態(tài)硬盤中，相同的功能則由單元提供，單元本質(zhì)上是一個門電路。每個單元可以存儲多少取決于固態(tài)硬盤使用的單元類型，也就是SLC單層單元、MLC兩層單元、TLC三層單元和QLC四層單元。

換句話說，SLC每個單元只能存儲一位，MLC能存儲兩個，TLC存儲三個，QLC存儲四個。表面上是一種越大越好的情況，但實際并非如此。

例如，雖然使用QLC可以增加容量，但對于相同的存儲量，它需要的單元數(shù)是SLC的1/4。二將多個位寫入單個單元需要更多時間，這樣就會影響固態(tài)硬盤的耐用性，這意味著SLC實際上是最快同時也最可靠的，但也要貴多。

具體到實際產(chǎn)品種，U盤一般采用TLC芯片。

固態(tài)硬盤中，主流的都采用MLC顆粒，價格適中，速度與壽命相對較好。但價格較低的固態(tài)硬盤，普遍采用TLC芯片顆粒，速度和壽命都一般。

《2023-2028年國內(nèi)存儲設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》由中研普華研究院撰寫，本報告對該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析，重點分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競爭力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢預(yù)測等等。報告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動態(tài)，對行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

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