智能手機(jī)迎首次漲價(jià)潮 儲(chǔ)存器寡頭格局成主要誘因

　　存儲(chǔ)器漲價(jià)從2016年下半年開(kāi)始，根據(jù)IC Insights的預(yù)計(jì)，2017年內(nèi)存(DRAM)價(jià)格漲幅將達(dá)到39%，閃存(Flash)漲幅也有望達(dá)到25%。這是由于需求增長(zhǎng)和供給收縮。一方面，國(guó)產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)增長(zhǎng)，以及新一代iPhone產(chǎn)品推出，存儲(chǔ)器產(chǎn)能正被大量消耗;另一方面，以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場(chǎng)存儲(chǔ)器創(chuàng)新競(jìng)賽，將二維閃存(2D NAND Flash)轉(zhuǎn)移至三維閃存(3D NAND Flash)的技術(shù)革命，這導(dǎo)致產(chǎn)能增長(zhǎng)放緩。這是一個(gè)得存儲(chǔ)器者得天下的時(shí)代。存儲(chǔ)器被普遍稱(chēng)為“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的皇冠”。如今正成為手機(jī)、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級(jí)的重要賣(mài)點(diǎn)。在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的寡頭競(jìng)爭(zhēng)中，隨著存儲(chǔ)器價(jià)格攀升，三星成為最大贏家，一路高歌猛進(jìn)，而由此巨虧的東芝(Toshiba)半導(dǎo)體卻陷入尷尬境地。同時(shí)，漲價(jià)侵蝕著原本競(jìng)爭(zhēng)激烈、利潤(rùn)微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)，一路打價(jià)格戰(zhàn)的智能手機(jī)企業(yè)將迎來(lái)史上首次漲價(jià)潮。

　　在這樣的格局中，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器正在南京、武漢、晉江三地建構(gòu)著三足鼎立之勢(shì)。國(guó)家已經(jīng)下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，通過(guò)自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，在全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)刻，能否實(shí)現(xiàn)“彎道超車(chē)”？

　　寡頭格局

　　存儲(chǔ)器是幾乎所有電子產(chǎn)品的關(guān)鍵元器件，承擔(dān)著信息記憶的功能。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照產(chǎn)品類(lèi)型可分為內(nèi)存(DRAM)和閃存(Flash)兩大類(lèi)。電子產(chǎn)品斷電后，DRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，F(xiàn)lash則不會(huì)消失，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)保留下來(lái)，供下次使用。DRAM常見(jiàn)的產(chǎn)品形態(tài)主要是內(nèi)存條，F(xiàn)lash在生活中隨處可見(jiàn)，主要包括micro　SD卡、UFS(通用閃存存儲(chǔ))、EMMC(嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡)、U盤(pán)、SSD(固態(tài)硬盤(pán))等。存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，覆蓋范圍從消費(fèi)電子到工業(yè)、汽車(chē)、航空航天、軍事、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域。

　　存儲(chǔ)器屬于半導(dǎo)體三大產(chǎn)品類(lèi)別之一，市場(chǎng)規(guī)模巨大，約占全球半導(dǎo)體總產(chǎn)值的23%。數(shù)據(jù)顯示，2015年全球 DRAM產(chǎn)值約450億美元，全球NAND閃存市場(chǎng)規(guī)模約為300億美元，DRAM和NAND閃存總產(chǎn)值在全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的比重高達(dá)95%。同時(shí)，存儲(chǔ)器是標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)品，從歷史上看，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)隨著庫(kù)存、需求、產(chǎn)能等因素變化具有明顯的周期性，而且存儲(chǔ)器毛利率隨著行業(yè)周期性波動(dòng)而劇烈變動(dòng)。關(guān)鍵的是，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的高度集中下，全球呈現(xiàn)寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局。DRAM的主要市場(chǎng)玩家有限，主要包括三星、SK海力士、美光等企業(yè)，韓國(guó)目前為全球第一大存儲(chǔ)器制造國(guó)。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，截至2016年三季度，全球NAND　Flash市場(chǎng)份額分布為三星(37%)、東芝(20%)、閃迪(17%)、美光(10%)、海力士(10%)、英特爾(6%)，全球DRAM市場(chǎng)份額分布為三星(50.2%)、海力士(24.8%)、美光(18.5%)、南亞(3.1%)、華邦電子(1.7%)、力晶科技(0.6%)、其他(1.2%)。內(nèi)存模組廠商包括金士頓、美光等，金士頓是全球第一大內(nèi)存模組廠商，2015年市占率高達(dá)68%。

　　隨著文字、圖片、語(yǔ)音、視頻等多種類(lèi)型的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器在消費(fèi)電子產(chǎn)品中的地位越來(lái)越重要，同時(shí)也是手機(jī)、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級(jí)的重要賣(mài)點(diǎn)。目前筆記本電腦內(nèi)存容量一般為2G~16G，閃存容量為64G~512G，智能手機(jī)內(nèi)存容量為2G~8G，閃存容量為16G~256G。同一個(gè)廠家推出的同一款智能手機(jī)僅僅因?yàn)榇鎯?chǔ)器容量的不同，價(jià)格可能相差數(shù)百元到一兩千元。由此可見(jiàn)存儲(chǔ)器對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要性。

　　從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史看，在上個(gè)世紀(jì)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從美國(guó)到日本再到韓國(guó)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移過(guò)程。存儲(chǔ)器最早起源于美國(guó)，20世紀(jì)50年代美國(guó)開(kāi)發(fā)出全球首個(gè)DRAM芯片，美國(guó)曾在DRAM領(lǐng)域長(zhǎng)期保持領(lǐng)頭羊的地位。為了集中力量發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，日本政府在70年代中期聯(lián)合日立、東芝、富士通等五家日本最大的計(jì)算機(jī)公司成立超大規(guī)模集成電路研究協(xié)會(huì)，到80年代中期日本存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)趕超美國(guó) 。韓國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)以三星為代表，三星從20世紀(jì)80年代初期進(jìn)入集成電路產(chǎn)業(yè)，在國(guó)外的技術(shù)授權(quán)許可下，通過(guò)10年的自主研發(fā)創(chuàng)新和不懈努力，在1994年成為全球第一的內(nèi)存制造商和第七大半導(dǎo)體制造商。