全球半導(dǎo)體儲(chǔ)存器產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)格局 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展前景

• 2021年11月9日 HuangJiang來(lái)源：新浪 655 38
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據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)測(cè)，全球DRAM(半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的一種)價(jià)格將結(jié)束今年年初以來(lái)一直上漲的趨勢(shì)，第四季度將環(huán)比下降3%～8%，特別是明年將進(jìn)一步下跌，預(yù)計(jì)將比今年下降15%～20%。受行業(yè)負(fù)面預(yù)測(cè)影響，在全球DRAM市場(chǎng)占據(jù)第一和第二位的三星電子和SK海力士近

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體集成電路工藝制成的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。它由大量相同的存儲(chǔ)單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。

RAM包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。

半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2021年Q3，包括DRAM和NAND閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)(Mos Memory)的出貨額并未超過(guò)2018年Q3的峰值(441億美元)。但從2020年Q4到2021年Q2出貨量的急劇上漲，不免令人心生恐懼，因?yàn)檫@個(gè)斜率與2016-2018年Q3的內(nèi)存泡沫相當(dāng)。

據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)測(cè)，全球DRAM(半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的一種)價(jià)格將結(jié)束今年年初以來(lái)一直上漲的趨勢(shì)，第四季度將環(huán)比下降3%～8%，特別是明年將進(jìn)一步下跌，預(yù)計(jì)將比今年下降15%～20%。但也有人預(yù)測(cè)稱，即使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器價(jià)格有所調(diào)整，也不會(huì)出現(xiàn)價(jià)格暴跌或行業(yè)蕭條的局面，明年第二季度將再次反彈。

受行業(yè)負(fù)面預(yù)測(cè)影響，在全球DRAM市場(chǎng)占據(jù)第一和第二位的三星電子和SK海力士近期股價(jià)走弱。據(jù)悉，DRAM銷售在三星電子半導(dǎo)體部門和SK海力士存儲(chǔ)器部門所占比重分別為90%和50%。韓業(yè)界人士表示，韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)不應(yīng)被DRAM價(jià)格下跌論所束縛，而應(yīng)提高新一代DRAM和半導(dǎo)體代工的競(jìng)爭(zhēng)力。

根據(jù)中研普華出版的《2021-2026年半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)深度分析及投資價(jià)值研究咨詢報(bào)告》顯示：

據(jù)統(tǒng)計(jì)，存儲(chǔ)器在整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模中的占比超過(guò)三分之一，智能手機(jī)等消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量配置持續(xù)提升，數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)耗用量也在持續(xù)提升，整體存儲(chǔ)位元的需求持續(xù)增長(zhǎng)。

全球半導(dǎo)體儲(chǔ)存器產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)格局

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)格局高度集中，主流存儲(chǔ)器DRAM、NAND市場(chǎng)額均高度集中于三星、海力士、美光、鎧俠等海外廠商，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)尚處于起步階段。

三星是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的巨頭企業(yè)。近日，三星第四次參加第四屆北京進(jìn)博會(huì)。隨著全球數(shù)據(jù)量以指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)、數(shù)據(jù)類型逐漸多元，數(shù)據(jù)處理需要更加安全、高效的存儲(chǔ)和讀取技術(shù)。本屆進(jìn)博會(huì)上，三星展示了多款面向大數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的存儲(chǔ)產(chǎn)品。

DRAM是最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，存儲(chǔ)速度快、存儲(chǔ)容量大，在計(jì)算機(jī)中常作為主存儲(chǔ)器。三星展出的14納米DDR5內(nèi)存，是業(yè)內(nèi)首款基于14納米EUV技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，容量可達(dá)512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達(dá)7200MHz，能滿足超級(jí)計(jì)算機(jī)、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等方面的需求，并通過(guò)提高性能和降低功耗，滿足IT行業(yè)對(duì)綠色發(fā)展的要求。

NAND閃存方面，三星展出了新一代企業(yè)級(jí)SSD硬盤PM9A3系列，使用三星第六代V-NAND閃存技術(shù)，容量最高達(dá)7.68TB，速度可達(dá)6500MB/s，存儲(chǔ)一部5GB的高清電影僅需約0.7秒，對(duì)需要高速處理大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的用戶及企業(yè)來(lái)說(shuō)，可大幅提升工作效率。

面向AI時(shí)代對(duì)超高速處理速度的需求，三星展示了針對(duì)AI效率提升的存儲(chǔ)產(chǎn)品。代號(hào)為“Flashbolt”的HBM2E存儲(chǔ)芯片，容量是上一代8GB“Aquabolt”HBM2的兩倍，速度提高1.5倍，AI訓(xùn)練效率提高6倍，同時(shí)可顯著提高帶寬及電源效率，這將極大提升下一代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的性能。

中國(guó)半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)發(fā)展前景

根據(jù)資料，2017年，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所與北京航空航天大學(xué)聯(lián)合成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(STT-MRAM)器件，對(duì)我國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)的技術(shù)突破形成了具有實(shí)際意義的推動(dòng)作用...

之后，國(guó)內(nèi)開(kāi)始布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)?；?，中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器公司陸續(xù)成立，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)有望迎來(lái)新的發(fā)展和機(jī)遇。

近年來(lái)，中國(guó)陸續(xù)攻克了3D NAND Flash和DRAM技術(shù)。DRAM現(xiàn)在的發(fā)展按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型(Legacy/SDR)DRAM。NAND Flash的主流應(yīng)用為SSD等大容量存儲(chǔ)領(lǐng)域，使用MLC、TLC 2D NAND或3D NAND等。

目前市場(chǎng)上DRAM的應(yīng)用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm。另外，NAND Flash的發(fā)展方向是3D堆疊，國(guó)外先進(jìn)企業(yè)均已紛紛開(kāi)發(fā)出100層以上堆疊的NAND Flash。

想知道更多半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)具體分析，可點(diǎn)擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院出版的《2021-2026年半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)深度分析及投資價(jià)值研究咨詢報(bào)告》

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  2021-2026年半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)深度分析及投資價(jià)值研究咨詢報(bào)告

  半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析半導(dǎo)體儲(chǔ)存器未來(lái)的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢(shì)，挖掘半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)的市場(chǎng)潛力，基于重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的深度研究，提供...

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