西部數(shù)據(jù)正開(kāi)發(fā)低延遲閃存 閃存和固態(tài)硬盤(pán)的區(qū)別有哪些？

• 2019年3月14日 ZhangHongYuan來(lái)源：綜合 1343 88
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外媒報(bào)道稱(chēng)，存儲(chǔ)大廠西部數(shù)據(jù)(WD)正在開(kāi)發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來(lái)更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。

外媒報(bào)道稱(chēng)，存儲(chǔ)大廠西部數(shù)據(jù)(WD)正在開(kāi)發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來(lái)更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。在本周的 Storage Field Day 上，西數(shù)透露該技術(shù)介于 3D NAND 與 DRAM 之間，類(lèi)似于英特爾傲騰和三星 Z-NAND 。其訪問(wèn)延遲在微妙級(jí)，使用 1-bit 或 2-bit 的存儲(chǔ)單元。

作為一款性能向的定制設(shè)備，LLF 存儲(chǔ)的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照當(dāng)下的每 GB 價(jià)格計(jì)算，其成本是 3D NAND 存儲(chǔ)的 20 倍。換言之，這項(xiàng)技術(shù)只會(huì)在數(shù)據(jù)中心或高端工作站普及開(kāi)來(lái)。

西數(shù)沒(méi)有透露其低延遲閃存的所有細(xì)節(jié)，也無(wú)法說(shuō)明它是否與去年推出的東芝 XL-Flash 低延遲3D NAND 或其它特殊類(lèi)型的閃存的關(guān)聯(lián)有關(guān)。

至于實(shí)際的 LLF 產(chǎn)品將于何時(shí)上市，該公司不愿表態(tài)。即便西數(shù)的 LLF 基于 BiCS4 的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù)打造，即日起開(kāi)始生產(chǎn)的難度也不大。

有趣的是，盡管西數(shù)的低延遲閃存將與英特爾傲騰和三星 Z-NAND SSD 展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)，但該公司并未將 LLF 稱(chēng)為“存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存”(SCM)。

從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，西數(shù)正在秘密開(kāi)發(fā)基于 ReRAM 的存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存產(chǎn)品，并與惠普攜手開(kāi)發(fā)基于憶阻器的 SCM 硬件。

當(dāng)然，研發(fā)往往需要多年。在下一代技術(shù)投入使用前，業(yè)界還是會(huì)著力于更成熟的 NAND 閃存，來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)于容量和性能的需求。

閃存和固態(tài)硬盤(pán)的區(qū)別

簡(jiǎn)單一點(diǎn)，閃存是存儲(chǔ)芯片，它本身不能直接寫(xiě)入文件，需要主控才能實(shí)現(xiàn)，例如U盤(pán)，各種存儲(chǔ)卡以及固態(tài)硬盤(pán)都是包含1個(gè)或多個(gè)閃存實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)功能，也就是說(shuō)它是存儲(chǔ)設(shè)備的一部分。

固態(tài)硬盤(pán)是都多片閃存通過(guò)主控實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)功能，一般至少2通道(2個(gè)閃存)，還有4通道、8通道以上的，同樣主控和閃存的情況下通道越多速度越快，多通道的閃存芯片間類(lèi)似硬盤(pán)RAID0，所以當(dāng)然要快些。

固態(tài)硬盤(pán)和機(jī)械硬盤(pán)的區(qū)別

固態(tài)硬盤(pán)，簡(jiǎn)稱(chēng)固盤(pán)，固態(tài)硬盤(pán)用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤(pán)，由控制單元和存儲(chǔ)單元組成。固態(tài)硬盤(pán)在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤(pán)的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤(pán)一致。被廣泛應(yīng)用于軍事、車(chē)載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。

機(jī)械硬盤(pán)即是傳統(tǒng)普通硬盤(pán)，主要由:盤(pán)片，磁頭，盤(pán)片轉(zhuǎn)軸及控制電機(jī)，磁頭控制器，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，接口，緩存等幾個(gè)部分組成。

機(jī)械硬盤(pán)的體積要比固態(tài)硬盤(pán)大，所以重量也要比固態(tài)硬盤(pán)重，從輕便的角度來(lái)說(shuō)，固態(tài)硬盤(pán)有優(yōu)勢(shì)。

在售價(jià)方面，固態(tài)硬盤(pán)售價(jià)要比機(jī)械硬盤(pán)貴很多。

機(jī)械硬盤(pán)的內(nèi)部部件要比固態(tài)硬盤(pán)復(fù)雜，內(nèi)部存在固態(tài)硬盤(pán)沒(méi)有的馬達(dá)和風(fēng)扇，所以在這方面固態(tài)硬盤(pán)就要比機(jī)械硬盤(pán)占有很大的優(yōu)勢(shì)了，而固態(tài)硬盤(pán)要比機(jī)械硬盤(pán)在工作的時(shí)候安靜許多。在功耗方面，固態(tài)硬盤(pán)也要低于傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)。

在硬盤(pán)重要的讀寫(xiě)速度方面，固態(tài)硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度要比機(jī)械硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度高，一般要高2倍左右的速度讀寫(xiě)能力，SLC只有10萬(wàn)次的讀寫(xiě)壽命，成本低廉的MLC，讀寫(xiě)壽命僅有1萬(wàn)次，比起傳統(tǒng)硬盤(pán)毫無(wú)優(yōu)勢(shì)可言。另外有一點(diǎn)很重要的是，固態(tài)硬盤(pán)內(nèi)部都是使用閃存顆粒的芯片，而機(jī)械硬盤(pán)是將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在磁碟扇區(qū)里，當(dāng)使用的時(shí)候出現(xiàn)碰撞的問(wèn)題，固態(tài)硬盤(pán)能夠?qū)?shù)據(jù)丟失的可能性降到最小，相比這點(diǎn)機(jī)械硬盤(pán)就要差很多了。

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