臺(tái)積電第四季度凈利潤(rùn)1428億新臺(tái)幣 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展前景分析

• 2021年1月14日 HaoChenChong來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 602 34
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據(jù)悉，臺(tái)積電發(fā)布了截至12月31日的2020年第四季度財(cái)報(bào)，總營(yíng)收為3615.3億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)14.0%。凈利潤(rùn)為1427.7億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)23.0%。

臺(tái)積電第四季度凈利潤(rùn)1428億新臺(tái)幣

據(jù)悉，臺(tái)積電發(fā)布了截至12月31日的2020年第四季度財(cái)報(bào)，總營(yíng)收為3615.3億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)14.0%。凈利潤(rùn)為1427.7億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)23.0%。

財(cái)報(bào)顯示，臺(tái)積電2020年第四季度營(yíng)收為3615.3億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)14.0%，環(huán)比增長(zhǎng)1.4%。凈利潤(rùn)為1427.7億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)23.0%，環(huán)比增長(zhǎng)4.0%。每股攤薄收益5.51元新臺(tái)幣(相當(dāng)于每股ADR攤薄收益0.97美元)，同比增長(zhǎng)23.0%。

按美元計(jì)算，臺(tái)積電2020年第四季度營(yíng)收126.8億美元，同比增長(zhǎng)22.0%，環(huán)比增長(zhǎng)4.4% 。

第四季度，臺(tái)積電毛利潤(rùn)率54.0%，運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)率為43.5%，凈利潤(rùn)率為39.5%。

中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代

根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，目前在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)材料的使用率不足15%，先進(jìn)工藝制程和先進(jìn)封裝領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)化率更低。在設(shè)備方面，國(guó)內(nèi)自足率低、需求缺口極大，當(dāng)前在中端設(shè)備實(shí)現(xiàn)突破，初步產(chǎn)業(yè)鏈成套布局，但高端產(chǎn)品仍是攻克難題。

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)中有按照半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝可分為設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三個(gè)細(xì)分行業(yè)?！溉A潤(rùn)微電子」、「睿創(chuàng)微納」、「敏芯微電子」為MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造廠商。其中「華潤(rùn)微電子」專用集成電路、MEMS傳感器及紅外成像產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與制造，擁有1401項(xiàng)專利，根據(jù)HIS Markit統(tǒng)計(jì)，華潤(rùn)微電子的銷售額在中國(guó)MOSFET市場(chǎng)排名第三，僅次于英飛凌和安森美;「睿創(chuàng)微納」主營(yíng)業(yè)務(wù)為集成電路、MEMS傳感器及紅外成像產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與制造，目前擁有132項(xiàng)專利技術(shù)，合作客戶有?？低暤?「敏芯微電子」同樣生產(chǎn)MEMS芯片，是我國(guó)第三大、全球第四大的MEMS麥克風(fēng)供應(yīng)商。

我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的尷尬現(xiàn)狀是，作為全球最大的集成電路消費(fèi)市場(chǎng)，大部分產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口：據(jù)中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)2018年中國(guó)集成電路貿(mào)易逆差達(dá)到1933億美元，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)為109億元，自給率僅約為12%。除去LED、面板、光伏等設(shè)備，實(shí)際上國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)備的國(guó)內(nèi)自給率僅有5%左右。

中國(guó)擁有世界上最龐大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的60%左右，但高端芯片的需求自給率低僅為 10%。通過(guò)梳理科創(chuàng)板上市的半導(dǎo)體公司發(fā)現(xiàn)，雖然中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中中國(guó)在應(yīng)用和系統(tǒng)的部分水平與全球領(lǐng)軍企業(yè)水平持平，在材料和制造環(huán)節(jié)距龍頭企業(yè)還有大幅的差距。 雖然在科創(chuàng)板中也不乏涉足AI+高端芯片，諸如為云服務(wù)器和邊緣計(jì)算設(shè)備提供AI芯片解決方案的「寒武紀(jì)」和為AI、云計(jì)算提供以芯片為主解決方案的「瀾起科技」等公司?？偟膩?lái)看，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)技術(shù)仍然有面向中低端市場(chǎng)、材料配方工藝落后、實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破難的特點(diǎn)。而決定半導(dǎo)體行業(yè)能力缺陷在于短板有多短，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈短板是因?yàn)橹圃飙h(huán)節(jié)關(guān)鍵材料依賴進(jìn)口，產(chǎn)生了業(yè)內(nèi)高呼“國(guó)產(chǎn)替代”的局面。而所謂“國(guó)產(chǎn)替代”：一類是替代性需求，一類是新需求。

替代性需求是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)加大，例如初全球芯片生產(chǎn)面臨“停擺”的危機(jī)，客觀產(chǎn)生的“進(jìn)口替代”效應(yīng);另外中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料的軟肋也存在投資研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)的“替代”需求。面目前中國(guó)的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司大部分還是通過(guò)“模仿”來(lái)進(jìn)行“替代”。目前中國(guó)對(duì)外依賴程度較高的高端芯片的提供商主要是IDM企業(yè)，在芯片制造中半導(dǎo)體設(shè)備及關(guān)鍵材料又是其中最“卡脖子”的環(huán)節(jié)。目前半導(dǎo)體材料中90%的成分為硅，半導(dǎo)體材料成本中60%為硅材料購(gòu)買成本。但由于硅提純的技術(shù)壁壘高、所需材料純度高，僅有少數(shù)企業(yè)能夠生產(chǎn)高純度硅材料，導(dǎo)致供貨渠道被SK、SUMCO等少數(shù)國(guó)外材料生產(chǎn)商壟斷，而將電路蝕刻在硅晶圓裸片上又需要先進(jìn)工藝，這類硅晶圓需要依賴三星、英特爾、臺(tái)積電等境外廠商進(jìn)口;而在制造環(huán)節(jié)是通過(guò)中國(guó)半導(dǎo)體材料設(shè)備行業(yè)制造行業(yè)發(fā)展較晚，尤其是用來(lái)去除晶圓表面掩膜的光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化程度低于10%，主要被荷蘭ASML和日本AMEC所占據(jù)。

新需求是指的新興系統(tǒng)、設(shè)備發(fā)展和針對(duì)下游諸如電子行業(yè)的強(qiáng)大需求而做的自主創(chuàng)新。 物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新技術(shù)興起使智能化成為社會(huì)生活各個(gè)領(lǐng)域的主流趨勢(shì)，傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)面臨轉(zhuǎn)型升級(jí)。半導(dǎo)體是產(chǎn)業(yè)智能化進(jìn)程中必不可少的關(guān)鍵電子元件，是新產(chǎn)品智能化功能實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)平臺(tái)，新技術(shù)應(yīng)用的核心載體。例如，華為發(fā)展通信領(lǐng)域5G基站的需求讓海思應(yīng)運(yùn)而生。另外，在摩爾定律推動(dòng)下新材料的迭代引發(fā)了半導(dǎo)體代次更迭。

例如前段時(shí)間，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表炙手可熱的第三代半導(dǎo)體概念股的異軍突起，被普遍唱興為中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展歐美日韓超車的機(jī)會(huì)。相比于第一代、二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體在電子器件、射頻電子器件、功率電子器件三大領(lǐng)域有熱導(dǎo)效率高、穩(wěn)定性好(耐高溫、耐高壓、耐大電流)、抗腐蝕的優(yōu)勢(shì)。但第三代半導(dǎo)體材料更適合應(yīng)用在高頻的大功率器件，例如新基建下的通信、人工智能、云端服務(wù)等領(lǐng)域。在電子器件領(lǐng)域，中國(guó)高端芯片仍面臨“自給困境”。

國(guó)務(wù)院發(fā)布的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)芯片自給率2019年僅為30%左右。眼下，正視差距才是想要實(shí)現(xiàn)“趕超”的第一步。在半導(dǎo)體行業(yè)被公開(kāi)認(rèn)可投資邏輯是“天時(shí)地利人和”。

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