2022存儲器行業(yè)市場需求及發(fā)展前景分析

• 2021年12月18日 ZouJunRong來源：互聯(lián)網(wǎng) 906 56
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隨著智能制造的發(fā)展，我們的生活正在改變，圖像識別、語音識別、人機(jī)大戰(zhàn)、智能機(jī)器人、深度學(xué)習(xí)、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用層出不窮，數(shù)據(jù)作為這些技術(shù)的核心力量，而存儲器的需求也處于爆炸式增長的階段。

2022存儲器行業(yè)市場需求及發(fā)展前景分析

存儲器，顧名思義就是用來存儲計(jì)算機(jī)指令和數(shù)據(jù)的器件，一般是由電磁元件和很多電子器件組成電路，達(dá)到存儲的目的。也是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中，一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中，具有實(shí)物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器，如內(nèi)存條、TF卡等。在計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會(huì)保存在存儲器里，可以說存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。

存儲器行業(yè)龍頭有哪些?兆易創(chuàng)新：存儲器龍頭。從事存儲器及相關(guān)芯片的集成電路設(shè)計(jì)，致力于各種高速和低功耗存儲器的研究、開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

由于存儲器的種類繁多，但是有很多的共性，比如存儲器往往最小的存儲單位是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路，當(dāng)然了，也有的是一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料存儲元。存儲量的增加其實(shí)就是存儲電路的疊加，很多存儲器形成了更多的存儲節(jié)點(diǎn)，這樣存儲的數(shù)據(jù)量增加，可能導(dǎo)致存儲速度變慢，這本身就是一個(gè)矛盾的綜合體。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院公布《2022-2027年存儲器行業(yè)市場深度分析及發(fā)展規(guī)劃咨詢綜合研究報(bào)告》顯示

據(jù)統(tǒng)計(jì)，存儲器在整個(gè)半導(dǎo)體市場規(guī)模中的占比超過三分之一，智能手機(jī)等消費(fèi)級產(chǎn)品的存儲容量配置持續(xù)提升，數(shù)據(jù)中心對存儲耗用量也在持續(xù)提升，整體存儲位元的需求持續(xù)增長。

DRAM是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，存儲速度快、存儲容量大，在計(jì)算機(jī)中常作為主存儲器。三星展出的14納米DDR5內(nèi)存，是業(yè)內(nèi)首款基于14納米EUV技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，容量可達(dá)512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達(dá)7200MHz，能滿足超級計(jì)算機(jī)、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等方面的需求，并通過提高性能和降低功耗，滿足IT行業(yè)對綠色發(fā)展的要求。

近年來，中國陸續(xù)攻克了3D NAND Flash和DRAM技術(shù)。DRAM現(xiàn)在的發(fā)展按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型(Legacy/SDR)DRAM。NAND Flash的主流應(yīng)用為SSD等大容量存儲領(lǐng)域，使用MLC、TLC 2D NAND或3D NAND等。

目前市場上DRAM的應(yīng)用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm。另外，NAND Flash的發(fā)展方向是3D堆疊，國外先進(jìn)企業(yè)均已紛紛開發(fā)出100層以上堆疊的NAND Flash。

隨著智能制造的發(fā)展，我們的生活正在改變，圖像識別、語音識別、人機(jī)大戰(zhàn)、智能機(jī)器人、深度學(xué)習(xí)、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用層出不窮，數(shù)據(jù)作為這些技術(shù)的核心力量，而存儲器的需求也處于爆炸式增長的階段。

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