當(dāng)下IGBT國產(chǎn)化率還是很低的,2019年只有12%,據(jù)說2022年可能會(huì)突破30%,國產(chǎn)替代的空間是相當(dāng)大的。國產(chǎn)廠商目前鉚足了勁擴(kuò)產(chǎn),憑借性價(jià)比、本土供應(yīng)鏈便利性是很有可能趁機(jī)擴(kuò)大市場(chǎng)份額的。從我國IGBT應(yīng)用結(jié)構(gòu)情況來看,工業(yè)控制、新能源汽車、新能源發(fā)電已然是IGBT
從20世紀(jì)80年代至今,IGBT芯片經(jīng)歷了6代升級(jí),從平面穿通型到溝槽型電場(chǎng)到截止型,芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化,斷態(tài)電壓也從600V提高到了6500V以上。IGBT是誕生于20世紀(jì)80年代的功率半導(dǎo)體分立器件,進(jìn)入工業(yè)應(yīng)用時(shí)間較晚,雖然目前占整體功率半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)份額較小,但它代表了未來的發(fā)展方向,市場(chǎng)規(guī)模增長很快。其中IGBT7作為最新一代技術(shù),其溝道密度更高,元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì),并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù),從而實(shí)現(xiàn)5kv/us下的最佳開關(guān)性能。
隨著近年來全球IGBT行業(yè)發(fā)展向好,其市場(chǎng)規(guī)模也隨之逐年遞增。據(jù)資料顯示,2021年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為70.9億美元,同比增長6.6%。2021年我國IGBT產(chǎn)量為2580萬只,同比增長27.7%;需求量為13200萬只,同比增長20%。
當(dāng)下IGBT國產(chǎn)化率還是很低的,2019年只有12%,據(jù)說2022年可能會(huì)突破30%,國產(chǎn)替代的空間是相當(dāng)大的。國產(chǎn)廠商目前鉚足了勁擴(kuò)產(chǎn),憑借性價(jià)比、本土供應(yīng)鏈便利性是很有可能趁機(jī)擴(kuò)大市場(chǎng)份額的。從我國IGBT應(yīng)用結(jié)構(gòu)情況來看,工業(yè)控制、新能源汽車、新能源發(fā)電已然是IGBT主要的應(yīng)用領(lǐng)域。其中新能源汽車占比約為31%,工業(yè)控制占比約為20%,新能源發(fā)電占比約為11%。
根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國IGBT市場(chǎng)現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor,GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
作為電力電子重要大功率主流器件之一,IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面,如交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽能設(shè)備,以及用于自動(dòng)控制的變頻器。在消費(fèi)電子方面,IGBT用于家用電器、相機(jī)和手機(jī)。
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2022-2027年中國IGBT市場(chǎng)現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)組成的...
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