中國存儲器行業(yè)消費需求 中國存儲器行業(yè)投資前景預測

• 周迅 2023年6月8日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 650 37
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DRAM是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，存儲速度快、存儲容量大，在計算機中常作為主存儲器。三星展出的14納米DDR5內(nèi)存，是業(yè)內(nèi)首款基于14納米EUV技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，容量可達512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達7200MHz，能滿足超級計算機、機器學習、人工智能等方面的需

存儲器，顧名思義就是用來存儲計算機指令和數(shù)據(jù)的器件，一般是由電磁元件和很多電子器件組成電路，達到存儲的目的。也是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備。

中國存儲器行業(yè)消費需求 中國存儲器行業(yè)投資前景預測

概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO。

由于中國擁有龐大內(nèi)需市場優(yōu)勢，目前已成為全球最大集成電路消費市場。中國集成電路產(chǎn)業(yè)是獲得中國政府大力支持的一個戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，歷年集成電路設計公司規(guī)模持續(xù)增長及設計能力顯著提升。盡管中國集成電路設計公司的平均規(guī)模仍落后于世界頂尖的集成電路企業(yè)，但差距已日益縮小。

存儲器作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領(lǐng)域之一，勢必會在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的布局，集成電路相關(guān)政策的發(fā)布，更是為存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了市場、政策等基礎(chǔ)。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國存儲器行業(yè)發(fā)展分析與投資前景預測報告》顯示：

產(chǎn)業(yè)環(huán)境方面，目前閃存(NAND Flash)和內(nèi)存(DRAM)市場主要被美韓日等國外幾家企業(yè)所壟斷，如韓國三星、海力士、美國鎂光、日本東芝等，其中國際DRAM市場中，三星連續(xù)10多年蟬聯(lián)世界第一，市占率維持在60%。從全球DRAM芯片市場銷售區(qū)域來看，中國是全球第二大DRAM消費市場，僅次于美國，市場前景較好。

DRAM是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，存儲速度快、存儲容量大，在計算機中常作為主存儲器。三星展出的14納米DDR5內(nèi)存，是業(yè)內(nèi)首款基于14納米EUV技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，容量可達512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達7200MHz，能滿足超級計算機、機器學習、人工智能等方面的需求，并通過提高性能和降低功耗，滿足IT行業(yè)對綠色發(fā)展的要求。

公開資料顯示，截止2021年，全球DRAM總產(chǎn)能大約是150萬片/月，預測到2022年底，會提升至160萬片/月左右。

近年來，中國陸續(xù)攻克了3D NAND Flash和DRAM技術(shù)。DRAM現(xiàn)在的發(fā)展按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型(Legacy/SDR)DRAM。NAND Flash的主流應用為SSD等大容量存儲領(lǐng)域，使用MLC、TLC 2D NAND或3D NAND等。

目前市場上DRAM的應用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm。另外，NAND Flash的發(fā)展方向是3D堆疊，國外先進企業(yè)均已紛紛開發(fā)出100層以上堆疊的NAND Flash。

從外部發(fā)展環(huán)境來看，我國在應用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導體等數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域都面臨“卡脖子”問題，亟須構(gòu)筑存儲領(lǐng)域發(fā)展長板。當前我國在電存儲和磁存儲領(lǐng)域尚不具備國際競爭優(yōu)勢，特別是磁盤存儲市場被美國和日本企業(yè)壟斷。當前全球光存儲技術(shù)及產(chǎn)業(yè)尚未進入成熟期，我國領(lǐng)軍企業(yè)與研發(fā)機構(gòu)有望與國際領(lǐng)先水平同步創(chuàng)新，甚至引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展方向。

從技術(shù)路線來看，全息光存儲被視為下一代光存儲技術(shù)。全息光存儲是一種高密度三維光存儲技術(shù)，采用與傳統(tǒng)二維存儲完全不同的機理。與目前存儲方式相比，全息光存儲技術(shù)將提供超過TB(太字節(jié))級的存儲容量，能夠滿足更大數(shù)據(jù)量的存儲需求，為數(shù)據(jù)的讀取提供更快的速度。

由于中國擁有龐大內(nèi)需市場優(yōu)勢，目前已成為全球最大集成電路消費市場。中國集成電路產(chǎn)業(yè)是獲得中國政府大力支持的一個戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，歷年集成電路設計公司規(guī)模持續(xù)增長及設計能力顯著提升。盡管中國集成電路設計公司的平均規(guī)模仍落后于世界頂尖的集成電路企業(yè)，但差距已日益縮小。

但是存儲器作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領(lǐng)域之一，勢必會在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的布局，集成電路相關(guān)政策的發(fā)布，更是為存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了市場、政策等基礎(chǔ)。

本報告由中研普華咨詢公司領(lǐng)銜撰寫，在大量周密的市場調(diào)研基礎(chǔ)上，主要依據(jù)了國家統(tǒng)計局、國家商務部、國家發(fā)改委、國家經(jīng)濟信息中心、國務院發(fā)展研究中心、全國商業(yè)信息中心、中國經(jīng)濟景氣監(jiān)測中心、中國行業(yè)研究網(wǎng)、國內(nèi)外相關(guān)報刊雜志的基礎(chǔ)信息以及存儲器專業(yè)研究單位等公布和提供的大量資料。

對我國存儲器行業(yè)作了詳盡深入的分析，為存儲器產(chǎn)業(yè)投資者尋找新的投資機會。為戰(zhàn)略投資者選擇恰當?shù)耐顿Y時機和公司領(lǐng)導層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據(jù)，同時對銀行信貸部門也具有極大的參考價值。

了解更多行業(yè)數(shù)據(jù)詳情，可以點擊查閱中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2023-2028年中國存儲器行業(yè)發(fā)展分析與投資前景預測報告》。

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