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          當(dāng)前位置:中研網(wǎng) > 結(jié)果頁(yè)

          大廠減產(chǎn)效果顯現(xiàn) NAND漲價(jià)再超預(yù)期 3D堆疊成未來(lái)發(fā)展方向 閃存卡行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

          • 李波 2023年11月30日 來(lái)源:中研普華集團(tuán)、央視財(cái)經(jīng)、中研網(wǎng) 219 6
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          據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體工商時(shí)報(bào)報(bào)道,存儲(chǔ)芯片大廠減產(chǎn)保價(jià)策略十分奏效,四季度合約價(jià)報(bào)價(jià)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,其中DDR5上漲15-20%,DDR4上漲10-15%,DDR3上漲10%,而原先預(yù)估僅5-10%。同時(shí),NAND每家平均漲幅至少在20-25%,漲幅明顯更高。

          據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體工商時(shí)報(bào)報(bào)道,存儲(chǔ)芯片大廠減產(chǎn)保價(jià)策略十分奏效,四季度合約價(jià)報(bào)價(jià)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,其中DDR5上漲15-20%,DDR4上漲10-15%,DDR3上漲10%,而原先預(yù)估僅5-10%。同時(shí),NAND每家平均漲幅至少在20-25%,漲幅明顯更高。

          此前為應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)下行,三星、美光、海力士等存儲(chǔ)大廠通過(guò)縮減資本開(kāi)支來(lái)控制行業(yè)產(chǎn)能,減少虧損幅度。東莞證券表示,進(jìn)入四季度,在晶圓廠大力控產(chǎn)和手機(jī)等下游需求超預(yù)期等等多重因素影響下,廠商減產(chǎn)效應(yīng)開(kāi)始顯現(xiàn),部分存儲(chǔ)芯片價(jià)格出現(xiàn)強(qiáng)勁反彈。

          甬興證券也表示,從NAND盈利角度來(lái)看,原廠控制存儲(chǔ)供應(yīng)并強(qiáng)勢(shì)漲價(jià)是大勢(shì)所趨,現(xiàn)貨市場(chǎng) NAND 供應(yīng)趨緊、價(jià)格緩漲的市況在一段時(shí)間里或成為常態(tài)。

          此外,隨著市場(chǎng)對(duì)NAND容量擴(kuò)展的要求,3D堆疊技術(shù)已成為NAND Flash發(fā)展的主要方向,廣發(fā)證券[000776.SZ、01776.HKEX]指出,高深寬比刻蝕是3D NAND的核心技術(shù)環(huán)節(jié)。

          隨著本土晶圓產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望依托自身的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力、廣闊的份額增長(zhǎng)空間和品類擴(kuò)張能力,加速提升相關(guān)領(lǐng)域的份額國(guó)產(chǎn)化替代。

          公司方面,據(jù)上市公司互動(dòng)平臺(tái)表示,東芯股份:公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM完整解決方案的公司。德明利:主營(yíng)NAND主控+模組等。

          數(shù)字經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展帶來(lái)存儲(chǔ)行業(yè)新增長(zhǎng)點(diǎn),數(shù)字經(jīng)濟(jì)已上升至國(guó)家戰(zhàn)略高度,“十四五”規(guī)劃綱要將“加快數(shù)字化發(fā)展,建設(shè)數(shù)字中國(guó)”單獨(dú)成篇,并首次提出數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心產(chǎn)業(yè)增加值占GDP比重這一新經(jīng)濟(jì)指標(biāo),目標(biāo)到2025年我國(guó)數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心產(chǎn)業(yè)增加值占GDP比重由2020年的7.8%提升至10%。

          據(jù)華為官網(wǎng),在華為全聯(lián)接大會(huì)2023巴黎站上,華為董事、ICT產(chǎn)品與解決方案總裁楊超斌正式發(fā)布OceanStor Pacific 9920和OceanStor Dorado 2100兩款全閃存新品。

          NAND Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。NandFlash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)。

          Yole預(yù)計(jì),中國(guó)作為全球第二大Nand閃存需求地區(qū),預(yù)計(jì)2026年國(guó)內(nèi)閃存產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)3032億元,國(guó)內(nèi)模組廠商將擁有十分廣闊的成長(zhǎng)空間。方正證券研報(bào)指出,預(yù)計(jì)隨著2023年下半年國(guó)內(nèi)手機(jī)品牌開(kāi)始陸續(xù)推出新品、PC需求復(fù)蘇以及新服務(wù)器平臺(tái)的加速滲透,原廠出貨壓力將逐步緩解,存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格拐點(diǎn)已至。

          根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年國(guó)內(nèi)閃存卡行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及發(fā)展策略研究報(bào)告》顯示:

          閃存卡是利用閃存技術(shù)達(dá)到存儲(chǔ)電子信息的存儲(chǔ)器,一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī),掌上電腦,MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲(chǔ)介質(zhì),所以樣子小巧,有如一張卡片,所以稱之為閃存卡。

          閃存技術(shù)快速發(fā)展,助力傳統(tǒng)存儲(chǔ)突破性能瓶頸,支撐企業(yè)用戶關(guān)鍵業(yè)務(wù)應(yīng)用?;陂W存技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)具備高性能、高可靠、低延遲、低功耗等優(yōu)點(diǎn),能夠快速響應(yīng)企業(yè)用戶需求,已逐漸取代機(jī)械硬盤(HDD)成為下一代主流數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。

          隨著主流存儲(chǔ)介質(zhì)從HDD向SSD切換,基于高性能SSD打造的全閃存存儲(chǔ)將成為未來(lái)主流的數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)。全閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)可以提供百萬(wàn)級(jí)的IOPS以及毫秒級(jí)的延遲,具備較高的安全性和穩(wěn)定性,已在金融聯(lián)機(jī)交易系統(tǒng)、醫(yī)療HIS系統(tǒng)、運(yùn)營(yíng)商BOSS系統(tǒng)等關(guān)鍵重載業(yè)務(wù)領(lǐng)域得到較好的應(yīng)用。

          全球NAND閃存卡行業(yè)一直被三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù) (閃迪)、美國(guó)、英特爾和海力士六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng)。

          閃存卡行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

          隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能等技術(shù)快速發(fā)展,閃存存儲(chǔ)憑借其高速、高效、高可靠性的特點(diǎn),可以更好地滿足日益增長(zhǎng)的性能和效能需求。

          閃存卡的數(shù)據(jù)傳輸速度,主要取決于閃存芯片的讀寫速度和控制器的性能。閃存芯片的讀寫速度,受到閃存芯片的制造工藝、芯片結(jié)構(gòu)、電路設(shè)計(jì)等因素的影響。

          而控制器則負(fù)責(zé)管理閃存芯片的讀寫操作,以及數(shù)據(jù)的緩存、加密、校驗(yàn)等功能,控制器的性能越好,閃存卡的數(shù)據(jù)傳輸速度就越快。

          閃存卡目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,包括數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等。隨著科技的發(fā)展,閃存卡還將進(jìn)一步發(fā)展壯大。

          手機(jī)攝影日益流行,高清視頻和大型應(yīng)用程序的使用也呈上升趨勢(shì),使得用戶對(duì)于大容量的閃存卡的需求不斷增加。此外,隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)和智能設(shè)備的普及,對(duì)小型高性能閃存卡的需求也在增加。

          進(jìn)口閃存卡主要來(lái)自于國(guó)外制造商,如韓國(guó)、日本、美國(guó)等國(guó)家。這些國(guó)家在閃存卡制造技術(shù)方面具有較高的水平,因此,我國(guó)市場(chǎng)對(duì)進(jìn)口閃存卡的需求量較大。此外,進(jìn)口閃存卡在品質(zhì)、性能等方面具有一定的優(yōu)勢(shì),這也是我國(guó)消費(fèi)者選擇進(jìn)口閃存卡的原因之一。

          近年來(lái),隨著國(guó)內(nèi)閃存卡產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,我國(guó)已經(jīng)具備了一定的生產(chǎn)能力和技術(shù)水平,部分企業(yè)的產(chǎn)品在國(guó)際市場(chǎng)上具有競(jìng)爭(zhēng)力。此外,隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)閃存卡需求的不斷增長(zhǎng),出口閃存卡成為了我國(guó)企業(yè)拓展市場(chǎng)的重要途徑。

          然而,出口閃存卡面臨的競(jìng)爭(zhēng)壓力也不容忽視,尤其是在國(guó)際市場(chǎng)上,我國(guó)企業(yè)需要不斷提高產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)含量,以應(yīng)對(duì)來(lái)自其他國(guó)家的競(jìng)爭(zhēng)。

          2021年中國(guó)全閃存陣列(AFA)市場(chǎng)規(guī)模約13億美元,同比增速超存儲(chǔ)市場(chǎng)整體;預(yù)計(jì)每年將以20%的復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng),到2025年實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)規(guī)模翻倍。

          未來(lái),市場(chǎng)需求將不斷擴(kuò)大,閃存卡的容量、讀寫速度和穩(wěn)定性等方面也將不斷提升。此外,隨著物聯(lián)網(wǎng)和5G時(shí)代的到來(lái),閃存卡的應(yīng)用范圍也將進(jìn)一步擴(kuò)大,成為各類智能設(shè)備和系統(tǒng)中不可或缺的重要組成部分。

          本研究咨詢報(bào)告由中研普華咨詢公司領(lǐng)銜撰寫,在大量周密的市場(chǎng)調(diào)研基礎(chǔ)上,主要依據(jù)了國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、國(guó)家商務(wù)部、國(guó)家發(fā)改委、國(guó)家經(jīng)濟(jì)信息中心、國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心、國(guó)家海關(guān)總署、全國(guó)商業(yè)信息中心、中國(guó)經(jīng)濟(jì)景氣監(jiān)測(cè)中心、中國(guó)行業(yè)研究網(wǎng)、全國(guó)及海外多種相關(guān)報(bào)紙雜志的基礎(chǔ)信息等公布和提供的大量資料和數(shù)據(jù),客觀、多角度地對(duì)中國(guó)閃存卡市場(chǎng)進(jìn)行了分析研究。

          在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中,企業(yè)及投資者能否做出適時(shí)有效的市場(chǎng)決策是制勝的關(guān)鍵。報(bào)告準(zhǔn)確把握行業(yè)未被滿足的市場(chǎng)需求和趨勢(shì),有效規(guī)避行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn),更有效率地鞏固或者拓展相應(yīng)的戰(zhàn)略性目標(biāo)市場(chǎng),牢牢把握行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的主動(dòng)權(quán)。

          想要了解更多行業(yè)詳情請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年國(guó)內(nèi)閃存卡行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及發(fā)展策略研究報(bào)告》。


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