傳統(tǒng)淡季爆大單 機(jī)構(gòu)預(yù)測NAND存儲(chǔ)芯片平均漲價(jià)高達(dá)25% 存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場競爭分析報(bào)告

• 李波 2024年3月7日 來源：中研普華集團(tuán)、央視財(cái)經(jīng)、中研網(wǎng) 703 41
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據(jù)集邦咨詢研究顯示，盡管第一季為傳統(tǒng)淡季，但受惠訂單規(guī)模持續(xù)放大，激勵(lì)NAND Flash合約價(jià)平均漲幅高達(dá)25%，故預(yù)估第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收仍會(huì)季增兩成。

據(jù)集邦咨詢研究顯示，盡管第一季為傳統(tǒng)淡季，但受惠訂單規(guī)模持續(xù)放大，激勵(lì)NAND Flash合約價(jià)平均漲幅高達(dá)25%，故預(yù)估第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收仍會(huì)季增兩成。

東吳證券表示，隨著數(shù)字化的發(fā)展，智能手機(jī)、智能穿戴設(shè)備、PC、服務(wù)器等產(chǎn)品需求量增加，使存儲(chǔ)芯片成長動(dòng)能充足。

其進(jìn)一步指出，NAND顆粒價(jià)格均自23四季度起漲，Wafer漲價(jià)趨勢明顯，隨著海外大廠積極減產(chǎn)提價(jià)疊加AI催化，下游拉貨意愿強(qiáng)烈，存儲(chǔ)市場供不應(yīng)求行情顯著。隨著需求的進(jìn)一步回暖，漲價(jià)有望持續(xù)，量價(jià)齊升。此外，HBM、DDR5等高附加值產(chǎn)品滲透率逐步提升，有望拉動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格進(jìn)一步上漲。

另據(jù)Gartner預(yù)測，2024年全球存儲(chǔ)行業(yè)市場規(guī)模同比增長66.3%，增速位列半導(dǎo)體各細(xì)分領(lǐng)域第一名。其中，NAND FLASH合約價(jià)在2024年一季度到四季度分別環(huán)比上漲18-23%、3-8%、8-13%、0-5%，2024年全年有望上漲31-58%。

公司方面，據(jù)上市公司互動(dòng)平臺表示，兆易創(chuàng)新： 國內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)龍頭，中國大陸領(lǐng)先的閃存芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，閃存月產(chǎn)能全球前五。東芯股份：公司是國內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM完整解決方案的公司。

根據(jù)集邦咨詢的研究，盡管第一季度是傳統(tǒng)淡季，但由于訂單規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，NAND Flash合約價(jià)的平均漲幅高達(dá)25%。因此，機(jī)構(gòu)預(yù)測第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收仍會(huì)實(shí)現(xiàn)兩成的季度增長。東吳證券也表示，隨著數(shù)字化的發(fā)展，智能手機(jī)、智能穿戴設(shè)備、PC、服務(wù)器等產(chǎn)品對存儲(chǔ)芯片的需求量增加，使得存儲(chǔ)芯片的成長動(dòng)能充足。

在需求進(jìn)一步回暖的情況下，漲價(jià)趨勢有望持續(xù)，形成量價(jià)齊升的局面。此外，HBM、DDR5等高附加值產(chǎn)品的滲透率逐步提升，有望拉動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格進(jìn)一步上漲。

請注意，市場變化莫測，雖然目前機(jī)構(gòu)對NAND存儲(chǔ)芯片的價(jià)格走勢有較為樂觀的預(yù)測，但實(shí)際情況仍可能受到多種因素的影響，包括供應(yīng)鏈狀況、全球經(jīng)濟(jì)形勢、技術(shù)革新等。因此，對于投資者和相關(guān)企業(yè)來說，需要密切關(guān)注市場動(dòng)態(tài)，以便及時(shí)做出調(diào)整。

NAND閃存(NAND Flash)是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片，其中“NAND”代表“與非門”邏輯器件，因?yàn)樗捎昧硕鄠€(gè)并聯(lián)的與非門電路來存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的Nor閃存不同，NAND閃存以頁面方式進(jìn)行讀取和編程操作，使其在密集數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面擁有更高的速度和容量。NAND以閃存單元作為存儲(chǔ)單位，每個(gè)閃存單元可存儲(chǔ)多個(gè)位信息。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，尤其在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具吸引力。NAND存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括SSD(固態(tài)硬盤)、手機(jī)、平板、服務(wù)器、USB驅(qū)動(dòng)器和存儲(chǔ)卡等。

此外，NAND閃存芯片與SSD(Solid State Drive)有所不同。NAND是一種存儲(chǔ)器芯片，主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，而SSD則是一種集成了控制器和NAND芯片的存儲(chǔ)設(shè)備，具有讀取、寫入、擦除等功能，并用于替代傳統(tǒng)機(jī)械式硬盤。

總之，NAND存儲(chǔ)芯片以其高速度、大容量和非易失性等特點(diǎn)，在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著重要的作用，滿足了人們對于更高效、更輕便的存儲(chǔ)解決方案的需求。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年中國存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報(bào)告》顯示：

2022年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為5740.84億美元，集成電路占比達(dá)83%，其中存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模為1297.67億美元，占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的23%。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，存儲(chǔ)芯片的市場規(guī)模僅次于邏輯芯片，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期的風(fēng)向標(biāo)。

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)的數(shù)據(jù)，2022年存儲(chǔ)器市場規(guī)模1297.7億美元，同比下跌15.6%。WSTS預(yù)計(jì)2023年存儲(chǔ)市場規(guī)模因終端市場需求疲軟將下滑至840.4億美元，但2024年受益于經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇和供需關(guān)系改善，市場規(guī)模將同比上升43%，恢復(fù)至1203.3億美元。

存儲(chǔ)芯片行現(xiàn)狀及前景展望

存儲(chǔ)芯片是集成電路價(jià)值量最大的產(chǎn)品之一，存儲(chǔ)芯片行業(yè)更是關(guān)系到國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是培育和發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)、推動(dòng)信息化與工業(yè)化深度融合的核心和基礎(chǔ)。

2023年上半年半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期持續(xù)，整體市場需求疲軟，但隨著物聯(lián)網(wǎng)、5G、汽車電子等下游領(lǐng)域的繼續(xù)推動(dòng)對于存儲(chǔ)芯片的需求，從中長期來看，市場需求將保持增勢。

根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2021年存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模1670億美元，預(yù)計(jì)2027年將達(dá)2630億元，21-27年復(fù)合年均增長率達(dá)8%，超越同期全球半導(dǎo)體市場的復(fù)合增速。

存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了從疫情期間“缺芯漲價(jià)”到“砍單減產(chǎn)”周期輪轉(zhuǎn)，雖然當(dāng)前下游市場并未顯著復(fù)蘇，但在上游晶圓廠加大減產(chǎn)力度背景下，行業(yè)復(fù)蘇節(jié)奏有望加速，近期頻頻傳出部分存儲(chǔ)晶圓和產(chǎn)品漲價(jià)消息，供需博弈加劇。另外，第二季度存儲(chǔ)行業(yè)上市公司盈利環(huán)比修復(fù)，并且國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商不僅在加速升級自研技術(shù)能力，還將目光瞄準(zhǔn)海外市場，拓展全球影響力。

全球存儲(chǔ)市場中，由三星、美光、SK海力士等巨頭壟斷NAND Flash(閃存)、DRAM(內(nèi)存)等存儲(chǔ)晶圓廠(原廠)主導(dǎo)供應(yīng)。由于全球宏觀經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇緩慢、需求斷崖式下跌，自2022年第四季度起，國際閃存大廠鎧俠和美光等已經(jīng)啟動(dòng)減產(chǎn)，調(diào)整供給;而過往堅(jiān)決不減產(chǎn)的三星也從今年4月份加入減產(chǎn)陣營，近期還宣布從9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，存儲(chǔ)行業(yè)供給側(cè)主動(dòng)減量，并且向下游提價(jià)。

據(jù)科創(chuàng)板日報(bào)，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在財(cái)報(bào)視頻訪談中表示：2023年生效的出口管制規(guī)則，將影響2024年中國市場10%-15%的銷售額，然而仍可以看到終端市場中成熟制程市場的需求依舊旺盛。

從市場分類來看，存儲(chǔ)芯片市場將在2024迎來增長，這主要是由于制程節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)變，以滿足日益增長的先進(jìn)存儲(chǔ)需求。而邏輯芯片市場，2024年將出現(xiàn)小幅下滑，因?yàn)榻衲陮⒅饕?023年的新增產(chǎn)能而非繼續(xù)增加產(chǎn)能。

NAND存儲(chǔ)芯片市場

NAND存儲(chǔ)芯片市場當(dāng)前正處于一個(gè)充滿活力和變化的階段。隨著智能手機(jī)、智能穿戴設(shè)備、PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的需求量持續(xù)增加，NAND存儲(chǔ)芯片的需求也呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長勢頭。

據(jù)集邦咨詢等機(jī)構(gòu)的研究報(bào)告，NAND Flash產(chǎn)業(yè)在2023年第四季度實(shí)現(xiàn)了顯著的營收增長，并且隨著數(shù)字化進(jìn)程的加速，NAND存儲(chǔ)芯片的成長動(dòng)能仍然充足。

從市場趨勢來看，NAND存儲(chǔ)芯片的價(jià)格正在經(jīng)歷上漲的過程。機(jī)構(gòu)預(yù)測NAND存儲(chǔ)芯片的平均漲價(jià)幅度高達(dá)25%，并且由于需求回暖，漲價(jià)趨勢有望持續(xù)。此外，隨著HBM、DDR5等高附加值產(chǎn)品的滲透率逐步提升，存儲(chǔ)價(jià)格有望進(jìn)一步上漲，形成量價(jià)齊升的局面。

同時(shí)，市場中的主要企業(yè)也在積極調(diào)整策略以應(yīng)對市場變化。例如，一些企業(yè)正在計(jì)劃提高開工率，恢復(fù)生產(chǎn)規(guī)模，以滿足市場需求。而另一些企業(yè)則通過研發(fā)創(chuàng)新，推出具有競爭力的新產(chǎn)品，以搶占市場份額。

然而，NAND存儲(chǔ)芯片市場也面臨著一些挑戰(zhàn)。供應(yīng)鏈狀況、全球經(jīng)濟(jì)形勢以及技術(shù)革新等因素都可能對市場產(chǎn)生影響。因此，對于投資者和相關(guān)企業(yè)來說，需要密切關(guān)注市場動(dòng)態(tài)，以便及時(shí)做出調(diào)整。

綜上所述，NAND存儲(chǔ)芯片市場具有廣闊的發(fā)展前景和巨大的增長潛力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場的不斷擴(kuò)大，NAND存儲(chǔ)芯片將在未來繼續(xù)發(fā)揮重要作用，為人們的生活和工作帶來更多便利。

DRAM存儲(chǔ)器的市場規(guī)模

DRAM(Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其市場規(guī)模受多種因素影響，包括技術(shù)進(jìn)步、應(yīng)用需求、生產(chǎn)成本等。

DRAM存儲(chǔ)器的市場規(guī)模一直處于不斷擴(kuò)大的趨勢，并且隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)分析和人工智能等新興技術(shù)的興起，對存儲(chǔ)器容量和速度的要求也越來越高，進(jìn)一步推動(dòng)了DRAM存儲(chǔ)器市場的發(fā)展。

此外，移動(dòng)設(shè)備的快速普及也推動(dòng)了DRAM存儲(chǔ)器市場的發(fā)展，智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備對DRAM存儲(chǔ)器的需求量不斷增加。同時(shí)，隨著技術(shù)的成熟和規(guī)模效應(yīng)的逐漸顯現(xiàn)，DRAM存儲(chǔ)器的生產(chǎn)成本不斷降低，這使得更多的企業(yè)可以進(jìn)入DRAM存儲(chǔ)器市場，加大了市場的競爭力度，進(jìn)一步推動(dòng)了市場規(guī)模的增長。

然而，具體的市場規(guī)模數(shù)字會(huì)受到多種因素的影響，包括全球經(jīng)濟(jì)狀況、市場供需關(guān)系、技術(shù)進(jìn)步的速度等，因此很難給出一個(gè)確切的數(shù)字。

如果您需要了解最新的DRAM存儲(chǔ)器市場規(guī)模信息，建議查閱相關(guān)的市場研究報(bào)告或行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。這些資源通常會(huì)提供詳細(xì)的市場分析、市場規(guī)模預(yù)測以及競爭格局等信息，有助于您更全面地了解DRAM存儲(chǔ)器市場的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。

DRAM存儲(chǔ)器的未來發(fā)展趨勢

DRAM存儲(chǔ)器的未來發(fā)展趨勢受到眾多因素的影響，包括但不限于技術(shù)進(jìn)步、市場需求、生產(chǎn)成本以及全球經(jīng)濟(jì)狀況等。以下是一些可能的發(fā)展趨勢：

技術(shù)持續(xù)進(jìn)步：隨著科技的不斷發(fā)展，DRAM存儲(chǔ)器的技術(shù)也在不斷進(jìn)步。我們預(yù)計(jì)在未來，DRAM存儲(chǔ)器將具有更高的存儲(chǔ)密度、更低的功耗、更快的存取速度以及更好的穩(wěn)定性。此外，隨著新型存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，如HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器)等，DRAM存儲(chǔ)器的性能將得到進(jìn)一步提升。

市場需求增長：隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能等技術(shù)的快速發(fā)展，以及智能手機(jī)、電腦、服務(wù)器等設(shè)備的普及，對DRAM存儲(chǔ)器的需求將持續(xù)增長。尤其是在數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算領(lǐng)域，DRAM存儲(chǔ)器的需求量預(yù)計(jì)將持續(xù)增加。

生產(chǎn)成本優(yōu)化：隨著生產(chǎn)工藝的改進(jìn)和規(guī)模效應(yīng)的逐漸顯現(xiàn)，DRAM存儲(chǔ)器的生產(chǎn)成本有望進(jìn)一步降低。這將使得DRAM存儲(chǔ)器在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用，從而進(jìn)一步推動(dòng)市場規(guī)模的擴(kuò)大。

環(huán)保與可持續(xù)性：隨著全球?qū)Νh(huán)保和可持續(xù)性的關(guān)注度不斷提高，DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)也將面臨更高的環(huán)保要求。因此，未來DRAM存儲(chǔ)器的發(fā)展將更加注重環(huán)保和可持續(xù)性，例如采用更環(huán)保的材料和生產(chǎn)工藝，降低能耗和減少廢棄物等。

需要注意的是，雖然上述趨勢看起來具有積極的發(fā)展前景，但DRAM存儲(chǔ)器市場同樣面臨著諸多挑戰(zhàn)，如市場競爭激烈、價(jià)格波動(dòng)、技術(shù)更新迅速等。因此，對于相關(guān)企業(yè)和投資者來說，需要密切關(guān)注市場動(dòng)態(tài)和技術(shù)發(fā)展趨勢，以便及時(shí)調(diào)整戰(zhàn)略和應(yīng)對挑戰(zhàn)。

總的來說，DRAM存儲(chǔ)器的未來發(fā)展趨勢是多元化的，既有技術(shù)進(jìn)步帶來的性能提升，也有市場需求增長帶來的市場擴(kuò)大，同時(shí)也需要關(guān)注環(huán)保和可持續(xù)性的要求。這些趨勢將共同推動(dòng)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。

本研究咨詢報(bào)告由中研普華咨詢公司領(lǐng)銜撰寫，在大量周密的市場調(diào)研基礎(chǔ)上，主要依據(jù)了國家統(tǒng)計(jì)局、國家商務(wù)部、國家發(fā)改委、國家經(jīng)濟(jì)信息中心、國務(wù)院發(fā)展研究中心、工信部、中國行業(yè)研究網(wǎng)、全國及海外多種相關(guān)報(bào)紙雜志的基礎(chǔ)信息等公布和提供的大量資料和數(shù)據(jù)，客觀、多角度地對中國存儲(chǔ)芯片市場進(jìn)行了分析研究。

更多行業(yè)詳情請點(diǎn)擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年中國存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報(bào)告》。

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  2024-2029年中國存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報(bào)告

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