據(jù)上證報報道,三星電子已經(jīng)通知分銷商,將不再以低于當前價格的價格出售DRAM芯片。DRAM現(xiàn)貨價格最近停止下跌明顯早于預期。
據(jù)上證報報道,三星電子已經(jīng)通知分銷商,將不再以低于當前價格的價格出售DRAM芯片。DRAM現(xiàn)貨價格最近停止下跌明顯早于預期。
根據(jù)DRAMeXchange數(shù)據(jù),最常見的DRAM產(chǎn)品之DDR4 16Gb 2600的現(xiàn)貨價格周二上漲0.78%至3.24美元,這是自去年3月7日以來的首次價格上漲。
在三星電子公司減產(chǎn)后,內(nèi)存芯片價格出現(xiàn)一年多以來的首次反彈,市場價格復蘇有望快于預期。
招商證券表示,由于原廠迅速減產(chǎn)今年一季度存儲庫存或成頂點。根據(jù)美光科技一季報,單季庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)已從去年四季度的211天降至166天。盡管當前需求尚末明顯復蘇,但手機端有望在下半年邊際復蘇,服務器出貨量有望自二季度以后逐步增長。
公司方面,上證報表示主要包括:江波龍:自主研發(fā)的SLC閃存芯片系列實現(xiàn)了量產(chǎn)銷售收入,收到較為良好的市場反響。
兆易創(chuàng)新:積極切入利基型DRAM存儲器市場并已推出DDR4、DDR3L產(chǎn)品,在消費電子、工業(yè)安防、網(wǎng)絡通信等領域取得較好的進展。
由于存儲芯片市場持續(xù)低迷,韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了創(chuàng)紀錄的季度運營虧損。不過該公司表示,各大存儲芯片制造商減產(chǎn)后,將從今年下半年開始改善市場狀況。
這家全球第二大存儲芯片制造商公布,今年一季度營業(yè)虧損3.4萬億韓元(合25.4億美元),上年同期盈利2.9萬億韓元。這一結(jié)果符合分析師的預期。
這是SK集團自2012年收購海力士以來的最大虧損,也是繼去年第四季度虧損1.9萬億韓元后,連續(xù)兩個季度出現(xiàn)虧損。
財報顯示,該公司一季度營收同比下降58%,至5.1萬億韓元。
SK海力士表示,公司虧損進一步擴大,主要是因為全球經(jīng)濟放緩令第一季度存儲芯片供過于求的局面惡化,導致價格下跌。
盡管SK海力士錄得創(chuàng)紀錄虧損,但由于公司表示未來存儲芯片市場將反彈,該公司股價周三早盤錄得上漲,目前上漲約3%。
從DRAM的價格周期看,自2012 年至今DRAM已經(jīng)經(jīng)歷了三輪周期。
*輪周期:2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2為周期上行,主要驅(qū)動力為智能手機爆發(fā),對 DRAM 的需求增長;2014年Q3至2016年Q2周期下行,主要是因為各廠商擴產(chǎn)落地導致供大于求。
第二輪周期:2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行,主要驅(qū)動力為主要的存儲芯片廠商轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至3D NAND Flash,DRAM 無擴產(chǎn)計劃;2018年Q3至2019年Q4周期下行,主要原因是中國和美國貿(mào)易摩擦導致全球下游需求萎靡,服務器、PC、筆記本電腦等需求不佳,DRAM供過于求。
第三輪周期:2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2為周期上行,主要驅(qū)動力為疫情下,線上經(jīng)濟、居家辦公等需求拉動服務器、TV、PC 出貨激增, 5G 手機升級驅(qū)動單機容量升級,帶動 DRAM 價格回升。
2021年Q3至今為周期下行,原因是隨著智能手機等消費電子需求步入低迷,存儲廠商持續(xù)去庫存。
NAND Flash與DRAM的價格周期波動情況相似,自2012年至今也經(jīng)歷了三輪周期。
根據(jù)中研普華研究院《2023-2028年國內(nèi)存儲設備行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》顯示:
從2021年下半年至今,DRAM和NAND Flash兩大內(nèi)存芯片價格已經(jīng)下跌長達20個月。各存儲芯片廠商正在集中減產(chǎn)、應對庫存問題、節(jié)約資本開支,并推遲先進技術(shù)的進展,以應對存儲器需求的疲軟。
為了應對 3DNAND 和 DRAM 內(nèi)存需求放緩的問題,美光宣布將DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%,除此之外,美光還宣布將在2023年削減30%的資本開支。
SK 海力士也宣布削減2023年的資本支出50%以上,并對收益較低的存儲產(chǎn)品進行減產(chǎn)。隨后在今年年初,有臺媒報道SK海力士已調(diào)降供國內(nèi)設施使用的晶圓產(chǎn)量10%。
鎧俠也做出了減產(chǎn)動作,調(diào)整日本四日市和北上NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn),晶圓生產(chǎn)量將減少約30%。
西部數(shù)據(jù)宣布NAND閃存產(chǎn)量減少30%。
就在近日,三星一改之前堅決不減產(chǎn)的態(tài)度,宣布對存儲芯片進行減產(chǎn)。三星電子表示,將把內(nèi)存芯片產(chǎn)量削減至“合理水平”,主要以PC內(nèi)存“DDR4”等通用產(chǎn)品為中心推進。
隨著各家存儲器大廠紛紛大幅減產(chǎn),存儲芯片供給端過?,F(xiàn)象將進一步改善。近期,從海外三大存儲巨頭的預測來看,市場情況正在出現(xiàn)微妙變化。
據(jù)美光透露,存儲芯片庫存已至高點,后續(xù)有望迎來行業(yè)拐點。雖然目前存儲價格仍在下行,但廠商庫存壓力已達到峰值,后續(xù)有望逐步下降至安全水位。
SK海力士日前在股東大會上也透露,預計存儲芯片需求將在今年下半年復蘇,但不確定性依舊存在,公司今年資本開支將減半,不會進一步減產(chǎn)。
鎧俠也認為隨著今年中國經(jīng)濟全面重啟,客戶庫存水平逐季降低,市場需求將于今年下半年復蘇。
在近日召開的CFMS 2023峰會上,中國存儲龍頭長江存儲的首席運營官程衛(wèi)華在演講中也提到,得益于智能手機、服務器和個人電腦制造商的需求訂單,全球NAND閃存市場的供需將在今年下半年達到平衡。
國產(chǎn)芯片又傳來好消息,近日,存儲芯片企業(yè)江波龍表示,其自主研發(fā)了SLC閃存芯片,容量從512Mb擴展到了8Gb。
目前,存儲芯片中DRAM與閃存合計占比達到了95%,其中DRAM占比為52%,閃存芯片中,NAND占40%,NOR3%。
NOR閃存與NAND閃存有很大的區(qū)別,NOR型閃存更像內(nèi)存,有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線,但價格比較貴,容量比較小,主要用來存儲代碼及少量數(shù)據(jù),比較適合頻繁隨機讀寫的場合,通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運行,NOR閃存通常用于瘦客戶機、機頂盒、打印機和驅(qū)動器控制器。
而NAND型更像硬盤,地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線,類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般,成本要低一些,而容量大得多,主要用來存儲資料。
那么今天我們要說的就是NAND閃存。
NAND閃存芯片又通常分為SLC、MLC、TLC以及QLC四種,他們之間有一定區(qū)別,各有優(yōu)缺點。
其中的SLC=Single-Level Cell,其優(yōu)點是速度快、壽命長,約10萬次擦寫壽命,缺點是價格貴,成本約是MLC的3倍以上。
MLC=Multi-Level Cell,速度和壽命一般,約3000-10000次擦寫壽命,價格也一般。
TLC=Trinary-Level Cell,速度慢、壽命短,約1500-3000次擦寫壽命,價格便宜。
QLC=Quad-Level Cell,速度慢、壽命短,約500-1000次擦寫壽命,但成本最低。
在機械硬盤中磁道是存儲的構(gòu)建塊,而在固態(tài)硬盤中,相同的功能則由單元提供,單元本質(zhì)上是一個門電路。每個單元可以存儲多少取決于固態(tài)硬盤使用的單元類型,也就是SLC單層單元、MLC兩層單元、TLC三層單元和QLC四層單元。
換句話說,SLC每個單元只能存儲一位,MLC能存儲兩個,TLC存儲三個,QLC存儲四個。表面上是一種越大越好的情況,但實際并非如此。
例如,雖然使用QLC可以增加容量,但對于相同的存儲量,它需要的單元數(shù)是SLC的1/4。
二將多個位寫入單個單元需要更多時間,這樣就會影響固態(tài)硬盤的耐用性,這意味著SLC實際上是最快同時也最可靠的,但也要貴多。
固態(tài)硬盤中,主流的都采用MLC顆粒,價格適中,速度與壽命相對較好。但價格較低的固態(tài)硬盤,普遍采用TLC芯片顆粒,速度和壽命都一般。
《2023-2028年國內(nèi)存儲設備行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》由中研普華研究院撰寫,本報告對該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進行了分析,重點分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競爭力,以及行業(yè)的投資分析和趨勢預測等等。報告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動態(tài),對行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。
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