刻蝕設(shè)備是重要性僅次于光刻機(jī)的半導(dǎo)體設(shè)備??傤~達(dá)到875億美元規(guī)模的晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)中,光刻,刻蝕,薄膜沉積分別占24%,20%,20%。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代,要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比,刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升,從20%提高至50%。
刻蝕設(shè)備是重要性僅次于光刻機(jī)的半導(dǎo)體設(shè)備??傤~達(dá)到875億美元規(guī)模的晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)中,光刻,刻蝕,薄膜沉積分別占24%,20%,20%。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代,要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比,刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升,從20%提高至50%。
刻蝕機(jī)是一種用于電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器。按刻蝕材料不同,可分為介質(zhì)刻蝕、導(dǎo)體刻蝕(包括硅刻蝕和金屬刻蝕)。目前干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占據(jù)絕對(duì)主流地位,市場(chǎng)占比超過90%。同時(shí),等離子刻蝕是晶圓制造中使用的主要刻蝕方法,電容性等離子刻蝕(CCP)和電感性等離子刻蝕(ICP)是兩種常用的等離子刻蝕方法。
刻蝕機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈上游為四大組成部分,包括預(yù)真空室、刻蝕腔體、供氣系統(tǒng)及真空系統(tǒng);中游為刻蝕機(jī)的制造,分為濕法刻蝕及干法刻蝕兩種;下游應(yīng)用包括半導(dǎo)體器件、太陽能電池及其他微機(jī)械制造等。在刻蝕工藝中,最核心的設(shè)備就是刻蝕機(jī)。
刻蝕機(jī)的運(yùn)行需要多種子系統(tǒng),零件,和技術(shù)的互相配合。此外,刻蝕設(shè)備有多種復(fù)雜技術(shù)路線,硅、介質(zhì)、金屬刻蝕等不同工藝之間,技術(shù)原理和方法存在一定的差別。隨著集成電路結(jié)構(gòu)不斷多層化,微縮化,刻蝕需要滿足的工藝指標(biāo)不斷增多;設(shè)備研發(fā)需要大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和經(jīng)驗(yàn)積累,提高了行業(yè)的門檻。
根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2021-2026年中國刻蝕機(jī)市場(chǎng)深度全景調(diào)研及投資前景分析報(bào)告》顯示:
對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè),半導(dǎo)體設(shè)備指用于制造各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所用的生產(chǎn)設(shè)備,在半導(dǎo)體制造的工藝流程中,半導(dǎo)體設(shè)備扮演著十分重要的角色,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游環(huán)節(jié)市場(chǎng)空間最廣闊,戰(zhàn)略價(jià)值最重要的一環(huán)。
半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于前道工藝設(shè)備(晶圓制造)和后道工藝設(shè)備(封裝測(cè)試)兩個(gè)大類,前道設(shè)備占據(jù)了整個(gè)市場(chǎng)的 80%-85%,其中光刻設(shè)備,刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備是價(jià)值量最大的三大環(huán)節(jié),各自所占的市場(chǎng)規(guī)模均達(dá)到了前道設(shè)備總量的 20% 以上。
刻蝕設(shè)備作為半導(dǎo)體產(chǎn)線的核心裝備之一,其結(jié)構(gòu)復(fù)雜程度僅次于光刻。主流刻蝕設(shè)備可以分為主體和附屬設(shè)備兩大部分,主體包括EFEM(設(shè)備前端)、TM(傳輸模塊)、PM(工藝模塊)三大模塊。工藝模塊是刻蝕設(shè)備的核心模塊,主要可分為反應(yīng)腔系統(tǒng),射頻系統(tǒng),靜電卡盤與電極系統(tǒng),真空壓力系統(tǒng),氣路系統(tǒng),終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)等幾個(gè)主要部分。
刻蝕機(jī)行業(yè)分析:市場(chǎng)規(guī)模、競(jìng)爭(zhēng)格局及行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模2009年為24億美元,2019年達(dá)115億美元,復(fù)合年增長率近19%。受終端應(yīng)用市場(chǎng)蓬勃發(fā)展、及半導(dǎo)體制造技術(shù)升級(jí)驅(qū)動(dòng),SEMI預(yù)測(cè)2025年全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將增長至155億美元,CAGR約為5%。
刻蝕設(shè)備行業(yè)集中度高,行業(yè)壁壘顯著。全球刻蝕機(jī)市場(chǎng)長期被泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料三大巨頭占據(jù)。2020年泛林半導(dǎo)體、東京電子和應(yīng)用材料合計(jì)占據(jù)90%以上的全球刻蝕機(jī)市場(chǎng)份額,日立高新和細(xì)美事緊隨其后分別占3.45%和2.53%。國內(nèi)廠商中,中微公司占比1.37%,北方華創(chuàng)占比0.89%,屹唐股份占比0.10%。
隨著國際上高端量產(chǎn)芯片從14 納米到10 納米階段向7 納米、5 納米甚至更小的方向發(fā)展,當(dāng)前市場(chǎng)普遍使用的沉浸式光刻機(jī)受光波長的限制,關(guān)鍵尺寸無法滿足要求,必須采用多重模板工藝,利用刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)更小的尺寸,使得刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性進(jìn)一步提升。
近年來國家加大對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策的扶持力度,多項(xiàng)重磅文件相繼出臺(tái),主要表現(xiàn)在對(duì)于整個(gè)IC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的政策優(yōu)待以及對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的相關(guān)規(guī)劃與推動(dòng)。使得我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)涌現(xiàn)出了一批擁有國際競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè),有效促進(jìn)了我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的發(fā)展。、
國內(nèi)刻蝕廠商依托資本和政策扶持一路奮起直追,成效顯著。例如中微公司的介質(zhì)刻蝕已經(jīng)進(jìn)入臺(tái)積電7nm/5nm產(chǎn)線,是唯一一家進(jìn)入臺(tái)積電產(chǎn)線的國產(chǎn)刻蝕設(shè)備生產(chǎn)商。從晶圓廠招投標(biāo)情況來看,國內(nèi)晶圓廠新增產(chǎn)能建設(shè)不斷加碼,中微公司和北方華創(chuàng)等國內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備廠家份額進(jìn)一步提升。隨著國內(nèi)刻蝕龍頭緊跟先進(jìn)制程發(fā)展,加大研發(fā)投入,積極并購與整合,整體國產(chǎn)刻蝕設(shè)備有望加速完成國產(chǎn)替代。
目前國內(nèi)半導(dǎo)體零部件國產(chǎn)化率只有25%??涛g設(shè)備零件品類多,除金屬加工零件外,其他部件較為依賴進(jìn)口,構(gòu)成供應(yīng)鏈不穩(wěn)定因素。缺貨、斷供風(fēng)險(xiǎn)等多重因素疊加,國內(nèi)設(shè)備企業(yè)自主可控意識(shí)提升,對(duì)國產(chǎn)零部件需求旺盛,有望助力刻蝕設(shè)備零部件企業(yè)實(shí)現(xiàn)規(guī)模技術(shù)雙重突破。
本報(bào)告利用中研普華長期對(duì)刻蝕機(jī)行業(yè)市場(chǎng)跟蹤搜集的一手市場(chǎng)數(shù)據(jù),應(yīng)用先進(jìn)的科學(xué)分析模型,全面而準(zhǔn)確地為您從行業(yè)的整體高度來架構(gòu)分析體系。報(bào)告結(jié)合刻蝕機(jī)行業(yè)的背景,深入而客觀地剖析了中國刻蝕機(jī)行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、發(fā)展規(guī)模和競(jìng)爭(zhēng)格局;分析了行業(yè)當(dāng)前的市場(chǎng)環(huán)境與行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局、產(chǎn)品的市場(chǎng)需求特征、行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)的經(jīng)營情況、行業(yè)未來的發(fā)展趨勢(shì)與前景;同時(shí),佐之以全行業(yè)近5年來全面詳實(shí)的一手連續(xù)性市場(chǎng)數(shù)據(jù),讓您全面、準(zhǔn)確地把握整個(gè)行業(yè)的市場(chǎng)走向和發(fā)展趨勢(shì)。
更多行業(yè)詳情請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2021-2026年中國刻蝕機(jī)市場(chǎng)深度全景調(diào)研及投資前景分析報(bào)告》。
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2023-2028年中國激光切割機(jī)行業(yè)深度調(diào)研及發(fā)展研究報(bào)告
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