全球刻蝕設備行業(yè)的主要企業(yè)即泛林半導體,東京電子和應用材料三家。從全球刻蝕設備市場份額來看,三家企業(yè)的合計市場份額就占到了全球刻蝕設備市場的90%以上。其中泛林半導體獨占52%的市場份額,東京電子與應用材料分別占據(jù)20%和19%的市場份額。
刻蝕是通過移除晶圓表面材料,在晶圓上根據(jù)光刻圖案進行微觀雕刻,將圖形轉移到晶圓表面的工藝。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕,濕法刻蝕是利用化學溶液溶解晶圓表面的材料,干法刻蝕使用氣態(tài)化學刻蝕劑與材料產(chǎn)生反應來刻蝕材料并形成可以從襯底上移除的揮發(fā)性副產(chǎn)品。
刻蝕工藝使用的半導體設備為刻蝕機。全球刻蝕設備行業(yè)的主要企業(yè)即泛林半導體,東京電子和應用材料三家。從全球刻蝕設備市場份額來看,三家企業(yè)的合計市場份額就占到了全球刻蝕設備市場的90%以上。其中泛林半導體獨占52%的市場份額,東京電子與應用材料分別占據(jù)20%和19%的市場份額。
國內的刻蝕設備企業(yè)主要有中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐半導體和中電科。其中,中微公司、北方華創(chuàng)和屹唐半導體均以生產(chǎn)干法刻蝕設備為主,中電科除了生產(chǎn)干法刻蝕設備以外還生產(chǎn)濕法刻蝕設備。除上述企業(yè)外,國內還有創(chuàng)世微納、芯源微和華林科納等企業(yè)生產(chǎn)刻蝕設備。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報告《2021-2026年中國刻蝕機市場深度全景調研及投資前景分析報告》分析
刻蝕機產(chǎn)業(yè)鏈中,上游為刻蝕機的四大組成部分,主要包括預真空室、刻蝕腔體、供氣系統(tǒng)及真空系統(tǒng);中游為刻蝕機的制造,刻蝕技術主要有兩種,傳統(tǒng)濕法刻蝕技術及現(xiàn)代干法刻蝕技術;下游為刻蝕機的應用,主要用來制造半導體器件、太陽能電池及其他微機械制造。
由于光刻機在20nm以下光刻步驟受到光波長度的限制,因此無法直接進行光刻與刻蝕步驟,而是通過多次光刻、刻蝕生產(chǎn)出符合人們要求的更微小的結構。目前普遍采用多重模板工藝原理,即通過多次沉積、刻蝕等工藝,實現(xiàn)10nm線寬的制程。根據(jù)相關數(shù)據(jù),14nm制程所需使用的刻蝕步驟達到64次,較28nm提升60%;7nm制程所需刻蝕步驟更是高達140次,較14nm提升118%,工藝升級持續(xù)推動刻蝕機用量提升。
近年來,隨著國內晶圓廠制程工藝的進步,多重曝光工藝逐步得到應用,對刻蝕設備的需求潛力增大,帶動了我國刻蝕設備行業(yè)的發(fā)展。在政策的推動和研發(fā)的進步下,我國刻蝕設備行業(yè)涌現(xiàn)出了一批優(yōu)秀的領先企業(yè)。但我國企業(yè)在刻蝕設備制造方面距離世界頭部企業(yè)仍有一定的距離,刻蝕設備研發(fā)進度仍待加快。
2020年全球刻蝕設備市場規(guī)模123.3億美元,預計到2024年市場規(guī)模151.8億美元,2019-2024年年均復合增長率為7%。
根據(jù)被刻蝕材料的不同,刻蝕設備可分為介質刻蝕設備和導體刻蝕設備,其中導體刻蝕包括硅刻蝕和金屬刻蝕。數(shù)據(jù)顯示,2020年全球導體刻蝕和介質刻蝕占比分別為61%和39%。
國產(chǎn)替代空間廣
國內刻蝕龍頭企業(yè)的部分技術已達到國際一流水平。在目前廣泛使用的高密度等離子刻蝕設備上,中微公司的ICP和CCP刻蝕設備與泛林集團DRIE刻蝕設備的刻蝕效果相當。同時,中微公司的介質刻蝕已經(jīng)進入臺積電7nm/5nm產(chǎn)線,是唯一一家進入臺積電產(chǎn)線的國產(chǎn)刻蝕設備生產(chǎn)商。北方華創(chuàng)在ICP刻蝕領域優(yōu)勢顯著,已量產(chǎn)28nm制程以上的刻蝕設備,同時已經(jīng)突破14nm技術,并進入中芯國際14nm產(chǎn)線驗證階段。隨著國內刻蝕龍頭緊跟先進制程發(fā)展,加大研發(fā)投入,積極并購與整合,整體國產(chǎn)刻蝕設備水平有望快速迭代升級并完成刻蝕領域的國產(chǎn)替代。
想要了解更多刻蝕機行業(yè)的發(fā)展前景,請查閱《2021-2026年中國刻蝕機市場深度全景調研及投資前景分析報告》。
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2021-2026年中國刻蝕機市場深度全景調研及投資前景分析報告
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