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          Rapidus、東京大學(xué)與法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)Leti合作開(kāi)發(fā)1nm制程半導(dǎo)體 半導(dǎo)體器件行業(yè)市場(chǎng)機(jī)遇分析

          • 李波 2023年11月17日 來(lái)源:中研普華集團(tuán)、央視財(cái)經(jīng)、中研網(wǎng) 1120 72
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          Rapidus、東京大學(xué)將與法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)Leti合作,共同開(kāi)發(fā)電路線寬為1納米級(jí)的新一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)技術(shù)。雙方的目標(biāo)是確立設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)線寬為1.4納米-1納米的半導(dǎo)體所需要的基礎(chǔ)技術(shù)。1納米產(chǎn)品需要不同于傳統(tǒng)的晶體管(元件)結(jié)構(gòu),Leti在該領(lǐng)域的成膜等關(guān)鍵技術(shù)上占

          Rapidus、東京大學(xué)將與法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)Leti合作,共同開(kāi)發(fā)電路線寬為1納米級(jí)的新一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)技術(shù)。雙方的目標(biāo)是確立設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)線寬為1.4納米-1納米的半導(dǎo)體所需要的基礎(chǔ)技術(shù)。1納米產(chǎn)品需要不同于傳統(tǒng)的晶體管(元件)結(jié)構(gòu),Leti在該領(lǐng)域的成膜等關(guān)鍵技術(shù)上占優(yōu)。

          半導(dǎo)體器件豐富多樣,是制造集成電路邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、新興人工智能芯片,乃至光電子芯片、傳感器芯片的核心元器件。2021年,全球半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)5500多億美元,是一個(gè)非常大的市場(chǎng)。

          材料產(chǎn)業(yè)位于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游。其中半導(dǎo)體材料包括硅、鍺、鎵等。硅材料在自然界儲(chǔ)量豐富,每公斤地球物質(zhì)含有300毫克硅材料,其含量在地球中位列第二,可以說(shuō)是取之不盡、用之不竭。相比之下,鍺和鎵元素的豐度大約下降到十萬(wàn)分之一,且提取困難。

          為推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展,增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,近年來(lái)我國(guó)有關(guān)部門(mén)陸續(xù)出臺(tái)了一系列相關(guān)政策,為行業(yè)的發(fā)展提供了良好的政策環(huán)境。

          如果你想了解半導(dǎo)體器件行業(yè)的內(nèi)外部環(huán)境、行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r、市場(chǎng)供需、競(jìng)爭(zhēng)格局、標(biāo)桿企業(yè)、發(fā)展趨勢(shì)、機(jī)會(huì)風(fēng)險(xiǎn)、發(fā)展策略與投資建議等信息……我們研究院撰寫(xiě)的《2023-2028年中國(guó)半導(dǎo)體器件行業(yè)供需分析及發(fā)展前景研究報(bào)告》。重點(diǎn)分析了我國(guó)半導(dǎo)體器件行業(yè)將面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn),對(duì)半導(dǎo)體器件行業(yè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)及前景作出審慎分析與預(yù)測(cè)。

          中國(guó)在鍺和鎵材料產(chǎn)業(yè)鏈中具有重要的地位和發(fā)言權(quán)。中國(guó)的鎵元素約占全球的80%、鍺元素占60%。鎵元素是生產(chǎn)第二代和第三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料,影響半導(dǎo)體芯片、二極管、功率器件等的制備,鍺則主要用于光纖通信領(lǐng)域。鎵和鍺都是從鋁礦和鋅礦的廢渣里提煉出來(lái)的,生產(chǎn)過(guò)程會(huì)消耗大量電能,不過(guò)中國(guó)有強(qiáng)大的電力系統(tǒng)作支撐。

          在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,首先必須做出高純度材料,才能提升芯片或器件的良品率。以硅為例,低純度硅可用來(lái)做太陽(yáng)能電池,高純度電子級(jí)晶硅(純度至少要到0.999999)才能用來(lái)制造半導(dǎo)體芯片。

          基于產(chǎn)業(yè)界和科學(xué)界70多年的努力,現(xiàn)在硅元素提純率可達(dá)到0.99999999999,也就是千億分之一,即1000億個(gè)硅原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子。目前,我國(guó)已經(jīng)可以提取高純度硅,但其均勻性有待提高。

          政策扶持對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展推進(jìn)的意義重大:“十二五”成為我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的重要轉(zhuǎn)折期,平板顯示、太陽(yáng)能光伏等新應(yīng)用領(lǐng)域的崛起,逐步推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展。

          2015年國(guó)家出臺(tái)《中國(guó)制造2025》,提出要形成關(guān)鍵制造設(shè)備的供貨能力;2017年《集成電路產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃建議》提出將關(guān)鍵設(shè)備和材料進(jìn)入國(guó)際采購(gòu)體系,基本建成技術(shù)先進(jìn)、安全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系。

          2021年《“十四五”國(guó)家信息化規(guī)劃》提出加快集成電路設(shè)計(jì)工具等特色工藝的突破,加強(qiáng)集成電路等關(guān)鍵前沿領(lǐng)域的戰(zhàn)略研究布局和技術(shù)融通創(chuàng)新。

          《國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》,制定實(shí)施戰(zhàn)略性科學(xué)計(jì)劃和科學(xué)工程,瞄準(zhǔn)前沿領(lǐng)域。其中,在集成電路領(lǐng)域,關(guān)注集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)、集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破,先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí),碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展。

          全球半導(dǎo)體市場(chǎng)急劇增長(zhǎng),主要來(lái)源于電腦等電子產(chǎn)品需求增長(zhǎng)、手機(jī)和車(chē)用市場(chǎng)應(yīng)用需求增加等,加上中美貿(mào)易摩擦的轉(zhuǎn)單效應(yīng),使晶圓代工廠產(chǎn)能出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面。中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工產(chǎn)值加速上漲增速達(dá)到24.2%,增速雖有放緩,但仍高達(dá)19.1%。

          全球收入排名前十的半導(dǎo)體公司,分別是三星、英特爾、SK海力士、高通、美光、博通、AMD、德州儀器、聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果。

          受?chē)?guó)內(nèi)技術(shù)水平的影響,我國(guó)半導(dǎo)體器件和集成電路專(zhuān)用設(shè)備主要以進(jìn)口為主,且進(jìn)口產(chǎn)品以高技術(shù)、高附加值產(chǎn)品為主,使得行業(yè)進(jìn)口規(guī)模遠(yuǎn)高于出口規(guī)模。

          據(jù)資料顯示,截至2022年10月,我國(guó)半導(dǎo)體器件和集成電路專(zhuān)用設(shè)備進(jìn)口量為14585臺(tái),同比增長(zhǎng)10.8%;進(jìn)口金額為162.31億美元,同比下降5.4%。

          從進(jìn)口均價(jià)情況來(lái)看,近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體器件和集成電路專(zhuān)用設(shè)備進(jìn)口均價(jià)整體呈不斷上升的趨勢(shì)。據(jù)資料顯示,截至2022年10月,我國(guó)半導(dǎo)體器件和集成電路專(zhuān)用設(shè)備進(jìn)口均價(jià)為111.28萬(wàn)美元/臺(tái),較2021年下降了22.32萬(wàn)美元/臺(tái)。

          目前,即便是傳統(tǒng)油車(chē),每輛車(chē)也會(huì)使用600塊到1000塊芯片。每輛新能源汽車(chē)則要用1000塊到2000塊芯片,占整個(gè)汽車(chē)成本的40%。而當(dāng)前我國(guó)大部分汽車(chē)所使用的芯片仍要從國(guó)外大量進(jìn)口。因此,盡早實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng),是中國(guó)新能源汽車(chē)企業(yè)十分迫切的需求。

          現(xiàn)在,國(guó)家高度重視上述現(xiàn)象,近幾年一些國(guó)內(nèi)公司也在加速發(fā)展。相信通過(guò)若干年的努力創(chuàng)新,我們可以在芯片行業(yè)達(dá)到世界先進(jìn)水平。

          半導(dǎo)體器件行業(yè)市場(chǎng)機(jī)遇分析

          半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的支柱產(chǎn)業(yè),近年來(lái),伴隨著全球科技進(jìn)步的步伐,全球范圍內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)?;颈3种掷m(xù)擴(kuò)張態(tài)勢(shì)。在智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)電子、平板、電視等多方面需求拉動(dòng)之下,全球半導(dǎo)體行業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模從2012 年的 2,915.6 億美元增長(zhǎng)到 2022 年的 5,740.8 億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到7.01%,整體呈現(xiàn)波動(dòng)上升的趨勢(shì)。

          伴隨著 5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等行業(yè)的迅速發(fā)展,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率及抗輻射能力的碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)入快速發(fā)展階段,市場(chǎng)前景廣闊。

          多家半導(dǎo)體上市公司掌門(mén)人表示,智能化時(shí)代,半導(dǎo)體是核心基礎(chǔ),半導(dǎo)體制造對(duì)設(shè)備的需求,催化了以微觀加工為核心的微器件工業(yè),即半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)。中國(guó)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大市場(chǎng),但設(shè)備和耗材短板明顯,也意味著成長(zhǎng)空間極大。

          近年來(lái),隨著國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展和國(guó)家戰(zhàn)略層面對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大力扶持,我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)了規(guī)模與技術(shù)等方面的快速發(fā)展與不斷突破。

          我們對(duì)半導(dǎo)體器件行業(yè)進(jìn)行了長(zhǎng)期追蹤,結(jié)合我們對(duì)半導(dǎo)體器件相關(guān)企業(yè)的調(diào)查研究,對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與前景、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局與形勢(shì)、贏利水平與企業(yè)發(fā)展、投資策略與風(fēng)險(xiǎn)預(yù)警、發(fā)展趨勢(shì)與規(guī)劃建議等進(jìn)行深入研究,并重點(diǎn)分析了半導(dǎo)體器件行業(yè)的前景與風(fēng)險(xiǎn)。

          想要了解更多半導(dǎo)體器件行業(yè)詳情分析,可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2023-2028年中國(guó)半導(dǎo)體器件行業(yè)供需分析及發(fā)展前景研究報(bào)告》。


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