2024年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)是一種由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。IGBT以其高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單和開關(guān)速度快等特性，成為電力電子行業(yè)中的核心元器件，被譽(yù)為“電力電子行業(yè)的CPU”。IGBT廣泛應(yīng)用于新能源汽車、電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器及汽車電子等領(lǐng)域。

IGBT產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)

IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要由上游、中游和下游三部分構(gòu)成。上游主要包括脈沖變壓器、光電耦合器等關(guān)鍵原材料的生產(chǎn);中游為IGBT驅(qū)動(dòng)器及模塊的生產(chǎn)制造;下游則是IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域，包括新能源汽車、變頻家電、新能源汽車充電樁、軌道交通等。

產(chǎn)業(yè)細(xì)分領(lǐng)域

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，可細(xì)分為新能源汽車、工業(yè)控制、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)等多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。其中，新能源汽車和工業(yè)控制是IGBT最大的兩個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)。新能源汽車中，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件;工業(yè)控制領(lǐng)域則依賴IGBT實(shí)現(xiàn)精確的電壓、電流、頻率和相位控制。

IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報(bào)告《2024-2029年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》分析

近年來(lái)，隨著新能源汽車和新能源發(fā)電等領(lǐng)域的快速發(fā)展，IGBT行業(yè)持續(xù)維持高景氣度。根據(jù)數(shù)據(jù)，2022年我國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到187.31億元，預(yù)計(jì)2023年將進(jìn)一步增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)量穩(wěn)步提升，自給率不斷上升，預(yù)計(jì)2023年將達(dá)到32.90%。盡管國(guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT市場(chǎng)中的地位逐步提升，但與國(guó)際巨頭如英飛凌、三菱等相比，仍存在較大差距。

市場(chǎng)規(guī)模

全球范圍內(nèi)，IGBT市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。2022年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模為72.6億美元，其中IGBT單管市場(chǎng)規(guī)模從2015年的7.7億美元增長(zhǎng)至2022年的21.7億美元，IGBT功率模塊市場(chǎng)規(guī)模則從2015年的24.1億美元增長(zhǎng)至2022年的50.9億美元。中國(guó)作為全球最大的IGBT市場(chǎng)之一，其市場(chǎng)規(guī)模和增長(zhǎng)潛力巨大。

行業(yè)政策

中國(guó)政府對(duì)IGBT行業(yè)的發(fā)展給予了高度重視和大力支持。近年來(lái)，國(guó)家陸續(xù)出臺(tái)了多項(xiàng)政策，如《關(guān)于鞏固回升向好趨勢(shì)加力振作工業(yè)經(jīng)濟(jì)的通知》、《關(guān)于加快培育發(fā)展制造業(yè)優(yōu)質(zhì)企業(yè)的指導(dǎo)意見》和《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃(2021-2023年)》等，為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確的政策導(dǎo)向和廣闊的市場(chǎng)前景。

IGBT行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

IGBT行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，國(guó)際市場(chǎng)上，英飛凌、三菱和安森美等企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。而在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，雖然本土企業(yè)如斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微等取得了一定成績(jī)，但市場(chǎng)份額仍較低。國(guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT模塊封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)的技術(shù)水平和產(chǎn)品質(zhì)量上與國(guó)際巨頭存在差距，但隨著國(guó)家政策的支持和研發(fā)投入的增加，這一差距正在逐步縮小。

重點(diǎn)企業(yè)情況分析

斯達(dá)半導(dǎo)

斯達(dá)半導(dǎo)是國(guó)內(nèi)IGBT模塊市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車和工業(yè)控制等領(lǐng)域。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)，并以IGBT模塊形式對(duì)外實(shí)現(xiàn)銷售。斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT模塊營(yíng)收占整體營(yíng)收的80%以上，顯示出其在該領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。

士蘭微

士蘭微是另一家值得關(guān)注的IGBT企業(yè)，其主營(yíng)業(yè)務(wù)為電子元器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。士蘭微的IGBT產(chǎn)品瞄向的消費(fèi)級(jí)白電領(lǐng)域，具有較高的市場(chǎng)認(rèn)可度。公司從一家純芯片設(shè)計(jì)公司發(fā)展成為以IDM模式為主要發(fā)展模式的綜合型半導(dǎo)體產(chǎn)品公司，顯示出其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力。

IGBT行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

未來(lái)，IGBT行業(yè)將呈現(xiàn)以下發(fā)展趨勢(shì)：

國(guó)產(chǎn)化加速：隨著國(guó)家政策的支持和國(guó)內(nèi)企業(yè)技術(shù)水平的提升，IGBT國(guó)產(chǎn)化率將進(jìn)一步提高。

技術(shù)創(chuàng)新：技術(shù)創(chuàng)新將成為推動(dòng)IGBT行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素，包括芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝等環(huán)節(jié)的技術(shù)突破。

應(yīng)用領(lǐng)域拓展：隨著新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⑦M(jìn)一步拓展。

目前存在問(wèn)題

盡管IGBT行業(yè)發(fā)展迅速，但仍存在一些問(wèn)題：

技術(shù)差距：國(guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT芯片設(shè)計(jì)和制造等方面與國(guó)際巨頭相比仍存在較大差距。

產(chǎn)品質(zhì)量：部分國(guó)內(nèi)企業(yè)的IGBT產(chǎn)品質(zhì)量尚不穩(wěn)定，需進(jìn)一步提升。

產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)：IGBT產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)發(fā)展不均衡，部分環(huán)節(jié)存在薄弱環(huán)節(jié)。

IGBT行業(yè)作為電力電子行業(yè)的核心領(lǐng)域，具有廣闊的發(fā)展前景和巨大的市場(chǎng)潛力。

欲獲悉更多關(guān)于IGBT行業(yè)重點(diǎn)數(shù)據(jù)及未來(lái)發(fā)展前景與方向規(guī)劃詳情，可點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報(bào)告《2024-2029年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》。