IGBT行業(yè)維持高景氣度 IGBT芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀前景分析

• 吳亞楠 2023年6月12日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 905 56
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IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

根據(jù)中研普華研究院撰寫的《2023-2028年中國IGBT芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析及投資前景預(yù)測研究報(bào)告》顯示：

IGBT芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀前景分析

作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽能設(shè)備，以及用于自動(dòng)控制的變頻器。在消費(fèi)電子方面，IGBT用于家用電器、相機(jī)和手機(jī)。

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進(jìn)步系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。

IGBT芯片行業(yè)市場供給現(xiàn)狀

IGBT制造屬于資本密集型行業(yè)，其產(chǎn)業(yè)鏈較長，包括芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊制造、測試等環(huán)節(jié);部分設(shè)備依賴進(jìn)口，成本高昂。產(chǎn)品研發(fā)階段亦需要較長研發(fā)時(shí)間和較高研發(fā)成本。

根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)顯示，2019-2021年我國IGBT行業(yè)的產(chǎn)量分別為1550萬只、2020萬只、2580萬只?？紤]到IGBT行業(yè)主要產(chǎn)品是模塊，而模塊主要采用多個(gè)IGBT芯片并聯(lián)方式，模塊內(nèi)IGBT芯片用量主要與整體電流、電壓規(guī)格相關(guān);且我國IGBT廠商部分芯片采購于英飛凌等國際巨頭，并非完全自產(chǎn)自銷，綜上，若以1：2.5的比例測算，2021年我國IGBT芯片產(chǎn)量約為6450萬片。

IGBT芯片位于IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上游，下游產(chǎn)品主要是IGBT模塊、單管、IPM等。目前，我國IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上主要競爭者有斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣、士蘭微等

IGBT行業(yè)維持高景氣度

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，IGBT在工業(yè)、車用領(lǐng)域供貨仍吃緊，且主流IDM廠一路看好其長期需求;只是這波缺貨，沒有吸引太多6、8吋晶圓廠投入IGBT擴(kuò)產(chǎn)行列。自2020年汽車缺芯以來，汽車芯片結(jié)構(gòu)性缺芯愈發(fā)明顯，IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年，其甚至超越車用MCU，成為影響汽車擴(kuò)產(chǎn)的最大掣肘。

2023年，汽車MCU和IGBT依然是汽車“缺芯”的主角，尤其是IGBT，更是有價(jià)無貨，業(yè)界表示“現(xiàn)在不是價(jià)格多高的問題，而是根本買不到”。

IGBT此番供不應(yīng)求，主要是受電動(dòng)車、光伏兩大主流應(yīng)用需求大增的影響。目前，下游新能源汽車和新能源發(fā)電等領(lǐng)域持續(xù)快速發(fā)展，IGBT行業(yè)持續(xù)維持高景氣度。

IGBT芯片行業(yè)報(bào)告對(duì)中國IGBT芯片行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及市場供需形勢進(jìn)行了具體分析，并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟(jì)環(huán)境、社會(huì)環(huán)境及技術(shù)環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機(jī)遇及挑戰(zhàn)。還重點(diǎn)分析了重點(diǎn)企業(yè)的經(jīng)營現(xiàn)狀及發(fā)展格局，并對(duì)未來幾年行業(yè)的發(fā)展趨向進(jìn)行了專業(yè)的預(yù)判。

本報(bào)告同時(shí)揭示了IGBT芯片市場潛在需求與潛在機(jī)會(huì)，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時(shí)機(jī)和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準(zhǔn)確的市場情報(bào)信息及科學(xué)的決策依據(jù)，同時(shí)對(duì)政府部門也具有極大的參考價(jià)值。

未來，IGBT芯片行業(yè)發(fā)展前景如何?想了解關(guān)于更多行業(yè)專業(yè)分析，請點(diǎn)擊《2023-2028年中國IGBT芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析及投資前景預(yù)測研究報(bào)告》。

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  2023-2028年中國IGBT芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析及投資前景預(yù)測研究報(bào)告

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗G...

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