據(jù)Gartner數(shù)據(jù),2024年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計同比增長16.8%增至6240億美元,其中最大增長驅(qū)動力來自于存儲芯片(預(yù)計2024年反彈增長66.3%)。
數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)需要進行全方位的技術(shù)升級,通過在多源異構(gòu)融合、數(shù)據(jù)高速傳輸、海量數(shù)據(jù)管理等方面持續(xù)創(chuàng)新,打造專業(yè)的生成式AI存儲產(chǎn)品與解決方案。
當前存儲產(chǎn)品價格已呈現(xiàn)筑底態(tài)勢,疊加存儲原廠減產(chǎn)、下游庫存水位持續(xù)修正,目前行業(yè)已處于周期底部,下半年需求有望逐步回暖;創(chuàng)新方面,AI高速發(fā)展推動HBM為代表的高性能存儲器需求快速增長,預(yù)計HBM市場24年將達64億美金,AI有望開啟存儲成長新篇章。
根據(jù)中研普華研究院撰寫的《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》顯示:
存儲芯片行業(yè)發(fā)展報告
存儲行業(yè)漲價的風愈吹愈烈,分析機構(gòu)再次上調(diào)漲幅預(yù)期,這次調(diào)漲幅度“相當大”。摩根士丹利最新報告指出,PC與智能手機制造商正積極建立存儲芯片庫存,明年Q1存儲芯片的價格有望大幅上漲。
有市場觀點認為,此輪存儲芯片價格“翻盤”,是典型的產(chǎn)業(yè)內(nèi)供需雙方相互成就的結(jié)果。對于芯片生產(chǎn)廠商來說,在產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了2022年的重創(chuàng)后,以三星電子、SK海力士為代表的存儲巨頭均出現(xiàn)不小程度的業(yè)績下滑甚至虧損,于是“提價”加“減產(chǎn)”開始成為各家存儲廠商的共識。
IDC指出,今年“雙11”期間,PC、手機、平板三大主流消費電子終端的需求均獲得超出預(yù)期的增長,這也是拉動整體智能終端市場的主要原因之一。
根據(jù)其援引的TrendForce預(yù)期數(shù)據(jù),明年Q1,DRAM及NAND價格環(huán)比增幅均有望達到18%-23%——相較TrendForce此前預(yù)期(DRAM價格環(huán)比增長8%-13%、NAND 5%-10%),最新的預(yù)計增幅翻倍不止,上調(diào)了10-13個百分點。
供需差距下,已有部分存儲產(chǎn)品出現(xiàn)缺貨。上游存儲原廠減產(chǎn)后,整體供貨資源順序出現(xiàn)動態(tài)調(diào)整,優(yōu)先供貨自家品牌產(chǎn)品,對外NAND銷售比例下降。供應(yīng)鏈稱,目前已有部分產(chǎn)品缺貨,客戶敲定第一波預(yù)訂單后,想再增加拉貨卻已買不到。
不僅如此,產(chǎn)業(yè)鏈廠商們對漲價趨勢均是頗為樂觀。
Gartner預(yù)測,到2023年將有20%的內(nèi)容被AIGC所創(chuàng)建;到2025 年人工智能生成數(shù)據(jù)占比將達到10%。據(jù)分析師預(yù)測,到2032年,生成式人工智能市場規(guī)模將達到2,000億美元,占據(jù)人工智能支出總額的約20%,顯著高出當前的5%。換言之,未來十年市場規(guī)??赡苊績赡昃蜁环?。
存儲市場規(guī)模
據(jù)Gartner數(shù)據(jù),2024年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計同比增長16.8%增至6240億美元,其中最大增長驅(qū)動力來自于存儲芯片(預(yù)計2024年反彈增長66.3%)。
根據(jù)Yole Intelligence最新存儲芯片市場的監(jiān)測數(shù)據(jù)報告,存儲芯片市場有望將于今年Q4開始復(fù)蘇,由于供應(yīng)商積極減產(chǎn),24-25年存儲市場將以供應(yīng)不足和價格攀升為主要特征。
根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2023年全球存儲相關(guān)資本支出出現(xiàn)最大降幅,2024年有望恢復(fù)增長。
其中,2024年NAND設(shè)備市場規(guī)模有望增長21%達到107億美元,2025年增速可望大幅提高至51%,市場規(guī)模有望達到162億美元;DRAM設(shè)備市場則相對穩(wěn)定,2024年有望小幅增長3%,同時受惠于制程微縮和HBM需求增長,2025年DRAM設(shè)備銷售額或達到155億美元,同比增長20%。
根據(jù)DRAM exchange,12月12日-12月18日,DRAM線各料號價格企穩(wěn),從結(jié)構(gòu)上看,DDR4漲幅仍較為領(lǐng)先,而DDR5料號價格環(huán)比企穩(wěn)。NAND方面,西部數(shù)據(jù)已在12月7日向客戶發(fā)出漲價通知信,強調(diào)未來幾季NAND芯片產(chǎn)品價格將呈現(xiàn)周期性上漲,預(yù)期累計漲幅高達55%。
據(jù)TrendForce公布數(shù)據(jù)顯示,2023年第三季DRAM產(chǎn)業(yè)合計營收達134.80億美金,季成長率約18.0%,四季度原廠漲價態(tài)度明確,預(yù)估DRAM 合約價上漲約13~18%;NAND Flash出貨量環(huán)比增長3%,整體合并營收達到 92.29 億美元,環(huán)比增幅約 2.9%,展望四季度,NAND Flash產(chǎn)品也或?qū)⒘績r齊升。
在激烈的市場競爭中,企業(yè)及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關(guān)鍵。中研網(wǎng)撰寫的存儲芯片行業(yè)報告對中國存儲芯片行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析,并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟環(huán)境、社會環(huán)境及技術(shù)環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機遇及挑戰(zhàn)。同時揭示了市場潛在需求與潛在機會,為戰(zhàn)略投資者選擇恰當?shù)耐顿Y時機和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據(jù),同時對政府部門也具有極大的參考價值。
想了解關(guān)于更多存儲芯片行業(yè)專業(yè)分析,可點擊查看中研普華研究院撰寫的《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》。同時本報告還包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價值洞察,可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢、風險和機遇。
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2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告
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