我國(guó)第三代半導(dǎo)體將全面爆發(fā) 2020氮化鎵器件市場(chǎng)規(guī)模約170億元

• 2020年11月26日 HuangJiang來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 1350 89
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隨著5G、新能源車(chē)的快速發(fā)展，我國(guó)第三代半導(dǎo)體也正面全面爆發(fā)。據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露，雙循環(huán)模式推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代，2020年中國(guó)SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計(jì)將約為70億元。

隨著5G、新能源車(chē)的快速發(fā)展，我國(guó)第三代半導(dǎo)體也正面全面爆發(fā)。據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露，雙循環(huán)模式推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代，2020年中國(guó)SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計(jì)將約為70億元。

其中，中國(guó)的GaN微波射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2020年將達(dá)到33.75億元，比去年的26.15億元將增長(zhǎng)29%;SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2020年將達(dá)到35.35億元，比去年的29.03億元將增長(zhǎng)21.77%。

另一方面，市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大，5G加速推進(jìn)GaN射頻應(yīng)用迅猛增長(zhǎng)，2020年中國(guó)GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約170億元;新能源汽車(chē)及消費(fèi)電子成為突破口，2020年中國(guó)電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模58.2億元。

需要注意的是，氮化鎵的應(yīng)用范圍不只在快充、智能手機(jī)等消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域，還有數(shù)據(jù)中心、柔性供電等工業(yè)領(lǐng)域，以及自動(dòng)駕駛、車(chē)載充電機(jī)等汽車(chē)領(lǐng)域。如，低壓氮化鎵可應(yīng)用于新一代大數(shù)據(jù)中心，以減少占地、提高功率、降低能耗。

第三代半導(dǎo)體另一個(gè)重要產(chǎn)品碳化硅，則將受益于電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的快速成長(zhǎng)而迎來(lái)爆發(fā)機(jī)會(huì)。

根據(jù)中研普華《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》分析：

明年將是氮化鎵快充元年

氮化鎵(GaN)因今年小米推出應(yīng)用了相關(guān)材料的快充產(chǎn)品而備受矚目。作為國(guó)內(nèi)已量產(chǎn)硅基氮化鎵的企業(yè)，英諾賽科科技有限公司的董事長(zhǎng)駱薇薇在上述論壇上表示，第三代半導(dǎo)體氮化鎵有小體積、低能耗、高頻工作等優(yōu)勢(shì)，適應(yīng)帶寬更大、工作頻率更高、大電流、低損耗的市場(chǎng)需求。

隨著AI、數(shù)據(jù)中心、5G、新能源汽車(chē)、直流供電等的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體將迎來(lái)快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2020~2025年復(fù)合增長(zhǎng)率會(huì)超過(guò)10%。駱薇薇說(shuō)，功率半導(dǎo)體未來(lái)主要增長(zhǎng)將集中在第三代半導(dǎo)體，電壓等級(jí)主要會(huì)集中在30伏、150伏、650伏、900伏以上。

英諾賽科于2015年成立，2020年9月蘇州工廠(chǎng)建設(shè)完成，其高、低壓芯片出貨量均達(dá)數(shù)百萬(wàn)顆。駱薇薇認(rèn)為，氮化鎵功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)已經(jīng)成熟，市場(chǎng)開(kāi)始爆發(fā)。目前英諾賽科量產(chǎn)的產(chǎn)品是8英寸硅基氮化鎵，覆蓋從30伏到650伏。

中國(guó)新基建中5G基站、數(shù)據(jù)中心等將帶來(lái)新需求。駱薇薇說(shuō)，目前硅基氮化鎵的芯片價(jià)格是硅器件的1.5倍，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年有望與硅器件價(jià)格持平，甚至更低。所以其在消費(fèi)電子領(lǐng)域有很大發(fā)展?jié)摿Γ筛采w電子煙、智能手機(jī)、無(wú)線(xiàn)充、掃地機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、筆記本電腦、電動(dòng)單車(chē)。

據(jù)充電頭網(wǎng)統(tǒng)計(jì)，在智能手機(jī)行業(yè)中，目前已有華為、小米、OPPO、魅族、三星、努比亞、realme等多個(gè)品牌推出了氮化鎵快充產(chǎn)品。電商方面，目前也有17家品牌先后推出了數(shù)十款氮化鎵快充新品。已經(jīng)出貨的電源廠(chǎng)商超過(guò)100家。

“2021年將是GaN快充元年。”駱薇薇預(yù)計(jì)，2020年GaN快充的出貨量達(dá)1000萬(wàn)個(gè)，2021年GaN快充的出貨量將增長(zhǎng)超過(guò)十倍、達(dá)到1.5億~2億個(gè)。另外，氮化鎵功率芯片應(yīng)用在手機(jī)上，將可使智能手機(jī)有更高的效率、更高的動(dòng)態(tài)響應(yīng)和更小的電源占比面積。

而氮化鎵的應(yīng)用范圍不只在快充、智能手機(jī)等消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域，還有數(shù)據(jù)中心、柔性供電等工業(yè)領(lǐng)域，以及自動(dòng)駕駛、車(chē)載充電機(jī)等汽車(chē)領(lǐng)域。如，低壓氮化鎵可應(yīng)用于新一代大數(shù)據(jù)中心，以減少占地、提高功率、降低能耗。

面對(duì)臺(tái)積電、英飛凌、EPC、Navitas等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，中國(guó)大陸氮化鎵企業(yè)希望把握發(fā)展窗口期，快速提升產(chǎn)能。駱薇薇透露，英諾賽科的業(yè)務(wù)包括芯片設(shè)計(jì)、材料外延生產(chǎn)、芯片制造、可靠性分析，其珠海工廠(chǎng)月產(chǎn)能為4000片，蘇州工廠(chǎng)月產(chǎn)能為6.5萬(wàn)片，蘇州工廠(chǎng)今年底試產(chǎn)、明年6年量產(chǎn)。

目前，國(guó)內(nèi)多家企業(yè)及機(jī)構(gòu)正在完善氮化鎵的國(guó)產(chǎn)化生態(tài)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控：氮化鎵封裝測(cè)試體系有華天科技、長(zhǎng)電科技、嘉盛半導(dǎo)體(Carsem);磁材料有TDG(天通控股)、DMEGC(東磁);驅(qū)動(dòng)、控制器有東科半導(dǎo)體、JOULWATT(杰華特微電子)等;測(cè)試體系有電子科技大學(xué)、中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室等。

電動(dòng)汽車(chē)推動(dòng)碳化硅市場(chǎng)爆發(fā)

第三代半導(dǎo)體另一個(gè)重要產(chǎn)品碳化硅，則將受益于電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的快速成長(zhǎng)而迎來(lái)爆發(fā)機(jī)會(huì)。

安芯投資管理有限公司首席執(zhí)行官、創(chuàng)始合伙人王永剛在上述論壇上表示，2018年至2024年碳化硅的發(fā)展方向是新能源汽車(chē)市場(chǎng)，年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到29%。全部碳化硅器件市場(chǎng)，預(yù)計(jì)在2023年達(dá)到15億美元。

日本豐田汽車(chē)公司功率半導(dǎo)體顧問(wèn)、PDPlus LLC總裁濱田公守說(shuō)，在2017年，電動(dòng)汽車(chē)的比例僅為3%，而到2040年，預(yù)計(jì)將達(dá)到50%。在接下來(lái)的二十年里，電動(dòng)汽車(chē)的份額將迅速增加。即使只看未來(lái)五年，電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)也會(huì)大幅增加。

碳化硅器件主要適合純電動(dòng)車(chē)，因此碳化硅器件會(huì)與硅器件長(zhǎng)期并存。濱田公守說(shuō)，在純電動(dòng)車(chē)中，使用碳化硅器件的方案會(huì)貴300美元。到2025年，行駛300公里的電池費(fèi)用預(yù)計(jì)約為10000美元，如果電池效率提升3%，電池費(fèi)用將下降300美元，節(jié)省的費(fèi)用將可以抵消增加的費(fèi)用。

在碳化硅(SiC)全球產(chǎn)業(yè)地圖中，襯底領(lǐng)域有日本制鐵集團(tuán)、天科合達(dá)、同光晶體下的河北同光、泰科天潤(rùn);外延領(lǐng)域有瀚天天成、東莞天域、昭和電工;設(shè)計(jì)領(lǐng)域有創(chuàng)能動(dòng)力(APS香港團(tuán)隊(duì))、上海詹芯電子等。而今年三安光電收購(gòu)了北電新材，也是為了掌握上游碳化硅材料。

想了解更詳實(shí)的中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)分析請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華出版的《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》

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  第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬...

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