2023年晶圓加工行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀分析

• 陳觀秋 2023年5月25日 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 208 5
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國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展火熱，2022年我國(guó)全年集成電路產(chǎn)量3241.9億塊，出口數(shù)量總額2734億塊。不過(guò)，中國(guó)大陸生產(chǎn)的晶圓有大約一半是由海外以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的公司生產(chǎn)的。

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展火熱，2022年我國(guó)全年集成電路產(chǎn)量3241.9億塊，出口數(shù)量總額2734億塊。不過(guò)，中國(guó)大陸生產(chǎn)的晶圓有大約一半是由海外以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的公司生產(chǎn)的。晶圓加工屬于晶圓制造領(lǐng)域，按照廠商類型可分為IDM和Foundry模式，IDM屬于重資產(chǎn)模式，為IC設(shè)計(jì)—IC制造—IC封測(cè)一體化垂直整合，主要企業(yè)為三星等，F(xiàn)oundry模式廠商相較IDM僅具備IC制造和封測(cè)能力，剝離了設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)。

中國(guó)大陸排名靠前的十大芯片制造企業(yè)中，有五家是國(guó)際芯片制造巨頭，包括：三星、英特爾、SK 海力士、臺(tái)積電、聯(lián)電等。

從《全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》來(lái)看，2021年全球晶圓月產(chǎn)能約為2160萬(wàn)片200mm當(dāng)量。而中國(guó)大陸的產(chǎn)能約為350萬(wàn)片每月，計(jì)算下來(lái)約占全球產(chǎn)能的16%。從地區(qū)晶圓產(chǎn)能排名來(lái)看，中國(guó)大陸的晶圓產(chǎn)能能夠排到第三，緊隨中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。

目前看來(lái)，中國(guó)集成電路制造業(yè)在全行業(yè)的占比在逐年提高，達(dá)到了28.9%;在全球產(chǎn)業(yè)中的比重，已經(jīng)達(dá)到了19.9%。但值得關(guān)注的是，中國(guó)集成電路制造業(yè)中，內(nèi)資占比仍然只有31.1%。

如果企業(yè)想抓住機(jī)遇，并在合適的時(shí)間和地點(diǎn)發(fā)揮最佳作用，那么我們推薦您閱讀我們的報(bào)告《2023-2028年中國(guó)晶圓加工行業(yè)市場(chǎng)深度分析及發(fā)展?jié)摿ρ芯孔稍儓?bào)告》。我們的報(bào)告包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價(jià)值洞察，可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢(shì)、風(fēng)險(xiǎn)和機(jī)遇。在未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)中擁有正確的洞察力，就有可能在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間和地點(diǎn)獲得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

晶圓(wafer)是制造半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)性原材料。極高純度的半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)拉晶、切片等工序制備成為晶圓，晶圓經(jīng)過(guò)一系列半導(dǎo)體制造工藝形成極微小的電路結(jié)構(gòu)，再經(jīng)切割、封裝、測(cè)試成為芯片，廣泛應(yīng)用到各類電子設(shè)備當(dāng)中。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

晶圓加工行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀分析

晶圓加工屬于晶圓制造領(lǐng)域，按照廠商類型可分為IDM和Foundry模式，IDM屬于重資產(chǎn)模式，為IC設(shè)計(jì)—IC制造—IC封測(cè)一體化垂直整合，主要企業(yè)為三星等，F(xiàn)oundry模式廠商相較IDM僅具備IC制造和封測(cè)能力，剝離了設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)。就作用而言，晶圓專業(yè)代工廠商降低了IC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門檻，激發(fā)了上游IC設(shè)計(jì)廠商的爆發(fā)，以及產(chǎn)品設(shè)計(jì)和應(yīng)用的創(chuàng)新，繼而加速了IC產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)應(yīng)用周期，拓展了下游IC產(chǎn)品應(yīng)用。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2023-2028年中國(guó)晶圓加工行業(yè)市場(chǎng)深度分析及發(fā)展?jié)摿ρ芯孔稍儓?bào)告》分析：

下游具體應(yīng)用來(lái)看，12英寸20nm以下先進(jìn)制程性能強(qiáng)勁，主要用于移動(dòng)設(shè)備、高性能計(jì)算等領(lǐng)域，包括智能手機(jī)主芯片、計(jì)算機(jī)CPU、GPU、高性能FPGA、ASIC等。14nm-32nm先進(jìn)制程應(yīng)用于包括DRAM、NANDFlash存儲(chǔ)芯片、中低端處理器芯片、影像處理器、數(shù)字電視機(jī)頂盒等應(yīng)用。12英寸45-90nm的成熟制程主要用于性能需求略低，對(duì)成本和生產(chǎn)效率要求高的領(lǐng)域，例如手機(jī)基帶、WiFi、GPS、藍(lán)牙、NFC、ZigBee、NORFlash芯片、MCU等。12英寸或8英寸90nm至0.15μm主要應(yīng)用于MCU、指紋識(shí)別芯片、影像傳感器、電源管理芯片、液晶驅(qū)動(dòng)IC等。8英寸0.18μm-0.25μm主要有非易失性存儲(chǔ)如銀行卡、sim卡等，0.35μm以上主要為MOSFET、IGBT等功率器件。

對(duì)單晶裸片進(jìn)行初步加工得到晶圓，接下來(lái)將光罩上的電路圖刻蝕到晶圓上，主要工序皆由晶圓代工廠完成。主要包括擴(kuò)散、薄膜生長(zhǎng)、光刻、刻蝕、離子注入、拋光等工序，對(duì)應(yīng)設(shè)備主要有擴(kuò)散爐、氧化爐、CVD/PVD設(shè)備、清洗設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕系統(tǒng)、離子注入機(jī)、拋光機(jī)等。作為半導(dǎo)體生產(chǎn)流程的直接生產(chǎn)，晶圓加工步驟眾多，設(shè)備要求極高，雖然國(guó)內(nèi)具備完整生產(chǎn)能力，受限于高端設(shè)備和技術(shù)封鎖，高端產(chǎn)品仍未突破，其中光刻、離子注入和拋光(拋光墊)等工藝設(shè)備國(guó)內(nèi)尚未突破。

如果企業(yè)想抓住機(jī)遇，并在合適的時(shí)間和地點(diǎn)發(fā)揮最佳作用，那么我們推薦您閱讀我們的報(bào)告。我們的報(bào)告包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價(jià)值洞察，可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢(shì)、風(fēng)險(xiǎn)和機(jī)遇。在未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)中擁有正確的洞察力，就有可能在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間和地點(diǎn)獲得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

報(bào)告在總結(jié)中國(guó)晶圓加工行業(yè)發(fā)展歷程的基礎(chǔ)上，結(jié)合新時(shí)期的各方面因素，對(duì)中國(guó)晶圓加工行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)給予了細(xì)致和審慎的預(yù)測(cè)論證。報(bào)告資料詳實(shí)，圖表豐富，既有深入的分析，又有直觀的比較，為晶圓加工企業(yè)在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中洞察先機(jī)，能及時(shí)的針對(duì)自身環(huán)境調(diào)整經(jīng)營(yíng)策略。

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