2023年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)

• 陳觀秋 2023年8月21日 來(lái)源：百度 1267 82
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IGBT作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，我國(guó)能源需求量大幅上升，在節(jié)能減排政策的背景下，新能源發(fā)電、新能源汽車等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來(lái)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

IGBT作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，我國(guó)能源需求量大幅上升，在節(jié)能減排政策的背景下，新能源發(fā)電、新能源汽車等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來(lái)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

IGBT行業(yè)概述

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，集合了MOSFET開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小和BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。

根據(jù)封裝形式的不同，可以分為IGBT單管和IGBT模塊，由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)FRD續(xù)流二極管芯片封裝組成的是IGBT單管，由多個(gè)IGBT芯片和多個(gè)FRD續(xù)流二極管芯片封裝組成的是IGBT模塊。

在生產(chǎn)制造技術(shù)方面，單管產(chǎn)品和IPM模塊采用環(huán)氧注塑工藝，標(biāo)準(zhǔn)模塊采用灌膠工藝;在下游應(yīng)用場(chǎng)景方面，單管主要應(yīng)用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器及小功率變頻器，標(biāo)準(zhǔn)模塊主要應(yīng)用于大功率工業(yè)變頻器、電焊機(jī)、新能源汽車(電機(jī)控制器、車載空調(diào)、充電樁)等領(lǐng)域，IPM模塊主要應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等白色家電。

IGBT模塊產(chǎn)業(yè)鏈主要包括IGBT芯片設(shè)計(jì)、制造、模塊封測(cè)三大部分，而根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋程度，可以行業(yè)分為IDM、Fabless和Foundry三種運(yùn)作模式。其中IDM模式覆蓋了芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三個(gè)部分;Fabless模式僅覆蓋了芯片的設(shè)計(jì)部分;Foundry模式則只覆蓋了制造、封測(cè)部分，不參與芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。

IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

作為電力電子技術(shù)最具代表性的產(chǎn)品，IGBT是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的，應(yīng)用場(chǎng)景包括變頻器、逆變焊機(jī)、電磁感應(yīng)加熱、工業(yè)電源等。

就應(yīng)用場(chǎng)景而言，IGBT可分為消費(fèi)類、工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)，車規(guī)級(jí)IGBT相對(duì)于工業(yè)級(jí)IGBT，對(duì)諸多耐受指標(biāo)要求更為嚴(yán)格。與工業(yè)IGBT模塊相比，車規(guī)級(jí)IGBT設(shè)計(jì)需保證開(kāi)通關(guān)斷、抗短路和導(dǎo)通壓降三者平衡，參數(shù)優(yōu)化非常特殊復(fù)車規(guī)級(jí)IGBT芯片通常在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下工作，芯片設(shè)計(jì)需保證開(kāi)通關(guān)斷、抗短路能力和導(dǎo)通壓降(控制熱量)三者處于均衡狀態(tài)，芯片設(shè)計(jì)與參數(shù)調(diào)整優(yōu)化非常特殊復(fù)雜，技術(shù)壁壘更高。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2022-2027年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》分析：

各電壓等級(jí)IGBT應(yīng)用領(lǐng)域各不相同：在低壓領(lǐng)域：IGBT主要應(yīng)用于變頻白色家電、新能源汽車、新能源充電樁等領(lǐng)域，隨著變頻家電和新能源汽車滲透率的逐步提升，帶動(dòng)相關(guān)IGBT需求持續(xù)上升。在中壓領(lǐng)域：隨著信息產(chǎn)業(yè)與高端制造業(yè)的快速發(fā)展，新能源并網(wǎng)和電網(wǎng)工程建設(shè)工程逐步加強(qiáng)，我國(guó)工業(yè)逆變焊機(jī)、逆變頻器市場(chǎng)持續(xù)升溫，USB電源與新能源發(fā)電市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng)。在高壓領(lǐng)域：主要應(yīng)用于軌道交通和電網(wǎng)傳輸領(lǐng)域，二者發(fā)展規(guī)模與投資規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。

IGBT核心技術(shù)掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中，跟國(guó)內(nèi)廠商相比，英飛凌、三菱電機(jī)等國(guó)際龍頭具有強(qiáng)勢(shì)的品牌效應(yīng)。不過(guò)隨著國(guó)內(nèi)IGBT技術(shù)的發(fā)展，也涌現(xiàn)了比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)等頭部企業(yè)，具有較強(qiáng)的品牌效應(yīng)。由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門(mén)檻較高、人才匱乏、市場(chǎng)開(kāi)拓難度大、資金投入較大等困難，國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中一直進(jìn)展緩慢。

IGBT行業(yè)趨勢(shì)預(yù)測(cè)

國(guó)產(chǎn)廠商目前鉚足了勁擴(kuò)產(chǎn)，憑借性價(jià)比、本土供應(yīng)鏈便利性是很有可能趁機(jī)擴(kuò)大市場(chǎng)份額的。從我國(guó)IGBT應(yīng)用結(jié)構(gòu)情況來(lái)看，工業(yè)控制、新能源汽車、新能源發(fā)電已然是IGBT主要的應(yīng)用領(lǐng)域。

受益于新能源汽車、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的需求大幅增加，IGBT成為目前發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。IGBT屬于高端的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，行業(yè)準(zhǔn)入門(mén)檻高，我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚，但在政策的鼓勵(lì)下，我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，技術(shù)水平屢屢有新的突破，已有產(chǎn)品可以大批量滿足下游應(yīng)用客戶的需求，提高IGBT器件國(guó)產(chǎn)替代率指日可待。

報(bào)告對(duì)我國(guó)IGBT市場(chǎng)的發(fā)展?fàn)顩r、供需狀況、競(jìng)爭(zhēng)格局、贏利水平、發(fā)展趨勢(shì)等進(jìn)行了分析。報(bào)告重點(diǎn)分析了IGBT前十大企業(yè)的研發(fā)、產(chǎn)銷、戰(zhàn)略、經(jīng)營(yíng)狀況等。報(bào)告還對(duì)IGBT市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行了預(yù)測(cè)，為IGBT生產(chǎn)廠家、流通企業(yè)以及零售商提供了新的投資機(jī)會(huì)和可借鑒的操作模式。

想要了解更多IGBT行業(yè)詳情分析，可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2022-2027年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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  2022-2027年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告

  IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，集合了MOSFET開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小和BJTI...

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