AI帶來需求爆發(fā) 美股存儲龍頭業(yè)績再超預期 存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告

• 李波 2024年3月21日 來源：中研普華集團、央視財經(jīng)、中研網(wǎng) 1101 70
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隔夜美光科技公布第二財季調(diào)整后營收58.2億美元，分析師預期53.5億美元。 預計第三財季調(diào)整后營收64億-68億美元，分析師預期59.9億美元。 美光科技盤后漲13.2%。

隔夜美光科技公布第二財季調(diào)整后營收58.2億美元，分析師預期53.5億美元。 預計第三財季調(diào)整后營收64億-68億美元，分析師預期59.9億美元。 美光科技盤后漲13.2%。

美光特別提到，備受關注的高帶寬內(nèi)存(HBM)新品HBM3E將供給英偉達的AI芯片H200 Tensor Core GPU，第二財季是HBM3E首次錄得營收的一個季度，整個2024自然年，HBM3E已無貨供應，公司大部分2025年可供應的HBM3E都已分配給排到2025年的訂單。

此外，隨著AI需求發(fā)展，預計2024年服務器出貨量將出現(xiàn)中個位數(shù)百分比的增長。公司著力打造包含HBM3E、DDR5、LPDRAM和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤等在內(nèi)的產(chǎn)品解決方案，把握市場機遇。

手機方面，預計2024年手機出貨量呈小幅增長。隨著AI手機逐漸推出，將帶動每臺手機DRAM容量增加4~8GB。另外公司預計支持AI的工業(yè)PC的內(nèi)存是標準PC的3-5倍，支持AI的邊緣視頻安全攝像機的內(nèi)存容量是標準非AI攝像機的8倍。

浙商證券援引Trendforce預計，在客戶端需求持續(xù)、及原廠尚未拉升稼動的情況下，供需缺口加大，手機端存儲產(chǎn)品有望成為24一季度價格領漲產(chǎn)品。其中，Mobile DRAM及NANDFlash(eMMC/UFS)均價漲幅將擴大至18~23%。隨著終端需求的逐步恢復及原廠漲價策略的實施，有望帶動行業(yè)持續(xù)修復。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》分析：

受中美貿(mào)易戰(zhàn)等原因影響，我國正在加大力度發(fā)展半導體行業(yè)，國產(chǎn)存儲芯片替代進程正在加速，這將提升存儲芯片產(chǎn)品的本土自給率，我國將會逐漸減少對存儲芯片的進口，國產(chǎn)存儲芯片銷量將日益增長。除此之外，當前我國疫情率先恢復，國內(nèi)存儲芯片行業(yè)的經(jīng)濟政策環(huán)境良好，未來，隨著我國政府政策引導和產(chǎn)業(yè)資金扶持，以及本土存儲芯片企業(yè)研發(fā)動力不斷增強，我國存儲芯片出口市場或?qū)U大，這也將進一步促進我國存儲芯片市場規(guī)模的擴大。

在信息化時代，半導體存儲器作為信息存儲的載體，其穩(wěn)定性與安全性對國家的信息安全有著舉足輕重的意義，因而國家政策大力支持存儲芯片行業(yè)發(fā)展。

2022年全球半導體市場規(guī)模為5740.84億美元，集成電路占比達83%，其中存儲芯片市場規(guī)模為1297.67億美元，占整個半導體行業(yè)的23%。

近六年來我國存儲芯片行業(yè)快速發(fā)展，且在國產(chǎn)芯片的替代和消費電子需求快速增長的背景下，國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模整體擴大。從2016年到2021年我國存儲芯片市場規(guī)模從1514億元增長至3383億元，平均年復合增長率約為20.57%。

DRAM，全稱動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory)，是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于DRAM需要刷新(refresh)來定期保存數(shù)據(jù)，它只可用作暫時存儲器，即計算機主存或其它需要高速訪問的設備中的臨時數(shù)據(jù)存儲。

DRAM是最常見的系統(tǒng)內(nèi)存，人們平常所說的電腦內(nèi)存主要就是指DRAM。它通常由DRAM晶片組成，而DRAM晶片則鑲嵌在內(nèi)存條上。DRAM具有較低的單位容量成本，而且很高的密度，因此適用于需要大容量的系統(tǒng)內(nèi)存。

DRAM的主要特點如下：

動態(tài)性：DRAM存儲的信息并不穩(wěn)定，需要定期刷新(refresh)以維持數(shù)據(jù)。這是因為DRAM中的電容會隨著時間的推移逐漸放電，導致數(shù)據(jù)丟失。因此，DRAM需要有一個刷新機制來定期重寫數(shù)據(jù)。

隨機存?。篋RAM允許數(shù)據(jù)在任何時候從任何地址存取，不需要像順序存取存儲器那樣，必須按照一定的順序進行存取。

高速度：DRAM的存取速度較快，因此常被用作主存或高速緩存。

容量大且成本低：由于制造工藝的改進，DRAM的容量日益增大，成本逐漸降低，使其在大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲和計算中廣泛應用。

電壓敏感：DRAM對電壓的變化非常敏感，因此需要穩(wěn)定的電源供應。

DRAM有幾種不同的類型，包括同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)、雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器(DDR SDRAM)、四倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器(QDR SDRAM)等，它們在速度、功耗和容量等方面有所不同，以適應不同的應用場景。

隨著技術的發(fā)展，DRAM的容量和性能不斷提升，為現(xiàn)代計算機系統(tǒng)提供了強大的內(nèi)存支持。然而，DRAM也面臨著一些挑戰(zhàn)，如功耗問題、可靠性問題以及與其他存儲技術的競爭等。因此，持續(xù)的研發(fā)和創(chuàng)新對于DRAM技術的未來發(fā)展至關重要。

DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資分析

DRAM，即動態(tài)隨機存取存儲器，是計算機存儲體系中不可或缺的一部分，尤其在服務器、中高端PC及智能手機等應用中占據(jù)重要地位。近年來，隨著云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等技術的快速發(fā)展，DRAM芯片的需求持續(xù)增長，市場規(guī)模也不斷擴大。

從市場規(guī)模來看，DRAM已經(jīng)成為存儲市場中出貨量及銷售額最高的產(chǎn)品。據(jù)統(tǒng)計，近年來我國DRAM行業(yè)市場規(guī)模持續(xù)保持增長態(tài)勢，增長率也呈現(xiàn)出逐年上升的趨勢。這主要得益于下游應用市場的不斷擴大，尤其是服務器和智能手機市場的快速增長。同時，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術的普及，預計未來DRAM市場需求將持續(xù)增長。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度來看，DRAM行業(yè)的上游是晶圓制造商以及封裝測試廠商，而下游則涵蓋了智能手機、個人PC、服務器等眾多終端應用行業(yè)。這種產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)使得DRAM行業(yè)的發(fā)展受到上游供應和下游需求的雙重影響。上游晶圓制造技術的進步和封裝測試能力的提升，將直接推動DRAM產(chǎn)品性能的提升和成本的降低;而下游應用市場的擴大和需求的增長，則為DRAM行業(yè)的發(fā)展提供了廣闊的空間。

從競爭格局來看，全球DRAM市場呈現(xiàn)出高度集中的態(tài)勢。幾家大型廠商占據(jù)了絕大部分市場份額，其中三星、海力士和美光是全球最大的DRAM制造商。這些廠商擁有先進的制造工藝和技術，能夠生產(chǎn)出高性能、低成本的DRAM產(chǎn)品，因此在市場上具有較強的競爭力。然而，隨著國內(nèi)外廠商的不斷投入和研發(fā)，未來DRAM市場的競爭格局有望發(fā)生變化。

在投資方面，DRAM行業(yè)具有較高的投資價值和潛力。隨著技術的不斷進步和應用市場的擴大，DRAM產(chǎn)品的性能和成本將得到進一步優(yōu)化，從而帶動整個行業(yè)的快速發(fā)展。

此外，國家政策對于半導體產(chǎn)業(yè)的支持力度也在不斷加大，為DRAM行業(yè)的發(fā)展提供了良好的政策環(huán)境。然而，投資者也需要注意到DRAM行業(yè)的技術門檻較高，市場競爭激烈，因此在投資決策時需要充分考慮技術、市場、政策等多方面因素。

綜上所述，DRAM行業(yè)市場具有廣闊的發(fā)展前景和投資潛力。隨著技術的不斷進步和應用市場的擴大，DRAM產(chǎn)品將在更多領域得到應用，市場規(guī)模也將持續(xù)增長。

如果想要了解更多存儲芯片行業(yè)詳情分析，可以點擊查看中研普華研究報告《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》。

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  2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告

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