中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展概況及發(fā)展歷程分析

• 馮少杰 2024年5月6日 來(lái)源：中研網(wǎng) 965 60
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一、中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展概況

據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》分析，受中美貿(mào)易戰(zhàn)等原因影響，我國(guó)正在加大力度發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片替代進(jìn)程正在加速，這將提升存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的本土自給率，我國(guó)將會(huì)逐漸減少對(duì)存儲(chǔ)芯片的進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片銷量將日益增長(zhǎng)。除此之外，當(dāng)前我國(guó)疫情率先恢復(fù)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片行業(yè)的經(jīng)濟(jì)政策環(huán)境良好，未來(lái)，隨著我國(guó)政府政策引導(dǎo)和產(chǎn)業(yè)資金扶持，以及本土存儲(chǔ)芯片企業(yè)研發(fā)動(dòng)力不斷增強(qiáng)，我國(guó)存儲(chǔ)芯片出口市場(chǎng)或?qū)U(kuò)大，這也將進(jìn)一步促進(jìn)我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大。

國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)的起步，可以追溯到1990年代。當(dāng)時(shí)，日本NEC在中國(guó)大陸成立了兩家合資公司，從事DRAM的生產(chǎn)。

第一家，是1991年NEC和首鋼合資成立的首鋼NEC。

首鋼NEC從1995年開始，采用6英寸1.2微米工藝，生產(chǎn)4M DRAM(后來(lái)升級(jí)到16M)。后來(lái)，1997年DRAM全球大跌價(jià)，首鋼NEC遭受重創(chuàng)，從此一蹶不振。后來(lái)，首鋼NEC淪為NEC在海外的一個(gè)代工基地，退出了DRAM產(chǎn)業(yè)。

第二家，是1997年NEC和華虹集團(tuán)合資成立的華虹NEC。

華虹NEC從1999年9月開始，采用8英寸0.35微米工藝技術(shù)，生產(chǎn)當(dāng)時(shí)主流的64M DRAM內(nèi)存芯片。2001年后，隨著NEC退出DRAM市場(chǎng)，華虹也退出了DRAM產(chǎn)業(yè)。

2004年，中國(guó)又開始了DRAM產(chǎn)業(yè)的第二次嘗試。這次有所行動(dòng)的，是中芯國(guó)際。當(dāng)時(shí)，中芯國(guó)際在北京投資建設(shè)了中國(guó)大陸第一座12英寸晶圓廠(Fab4)，2006年大規(guī)模量產(chǎn)80nm工藝，為奇夢(mèng)達(dá)、爾必達(dá)代工生產(chǎn)DRAM。好景不長(zhǎng)，2008年，由于中芯國(guó)際業(yè)務(wù)調(diào)整，退出了DRAM業(yè)務(wù)。第二次嘗試，宣告失敗。

2015年，中國(guó)DRAM采購(gòu)金額約為120億美元，占全球DRAM供貨量的21.6%。嚴(yán)重依賴進(jìn)口的現(xiàn)狀，促使國(guó)內(nèi)開始了針對(duì)DRAM業(yè)務(wù)的第三次嘗試。

這次嘗試，最具代表性的，就是武漢、合肥和廈門三大存儲(chǔ)器基地。這些基地借助國(guó)家和地方層面的產(chǎn)業(yè)政策，投入了大量資本(超過2500億人民幣)，發(fā)展半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)，培養(yǎng)人才。

目前，國(guó)內(nèi)在DRAM領(lǐng)域比較有代表性的企業(yè)是合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華、紫光國(guó)芯、兆易創(chuàng)新、北京矽成、東芯半導(dǎo)體、南亞科技(中國(guó)臺(tái)灣)、華邦電子(中國(guó)臺(tái)灣)、力積電(中國(guó)臺(tái)灣)等。

合肥長(zhǎng)鑫，是國(guó)內(nèi)DRAM存儲(chǔ)芯片的龍頭企業(yè)。他們的DRAM技術(shù)主要來(lái)自于已破產(chǎn)的德系DRAM廠商奇夢(mèng)達(dá)，以及日系廠商爾必達(dá)。

2019年9月20日，合肥長(zhǎng)鑫宣布中國(guó)大陸第一座12英寸DRAM工廠投產(chǎn)，并發(fā)布了首個(gè)19nm工藝制造的8G DDR4，屬于歷史性突破。

根據(jù)機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，合肥長(zhǎng)鑫的產(chǎn)能2022年到2023年將有望達(dá)到12.5萬(wàn)片。

2016年5月，福建晉華與聯(lián)電合作，進(jìn)行利基型DRAM的生產(chǎn)。2017年12月，鎂光指控福建晉華和聯(lián)電盜用了自己的內(nèi)存芯片技術(shù)。2018年1月，福建晉華也就專利侵犯向鎂光提起訴訟。2018年10月，福建晉華被列入出口管制實(shí)體清單。2018年11月，美國(guó)司法部又以竊取鎂光商業(yè)機(jī)密為由起訴聯(lián)電和福建晉華。一番折騰之后，聯(lián)電扛不住了。2019年1月底，聯(lián)電宣布撤出福建晉華DRAM項(xiàng)目。2021年11月，聯(lián)電和鎂光達(dá)成和解。目前，福建晉華方面審查還沒有完整的最終結(jié)果。

二、中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展歷程

在整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)中，存儲(chǔ)芯片行業(yè)在全球集成電路產(chǎn)業(yè)中市場(chǎng)銷售額占比最高，在芯片產(chǎn)業(yè)中占據(jù)重要地位。然而，我國(guó)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展較晚，在2016年以前我國(guó)國(guó)內(nèi)幾乎沒有存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)能力，國(guó)外企業(yè)在存儲(chǔ)芯片行業(yè)則擁有著壟斷優(yōu)勢(shì)，所以過去我國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品極度依賴進(jìn)口。

2016年前，中國(guó)在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)為0，所以極易被國(guó)外卡脖子。這個(gè)時(shí)候，紫光集團(tuán)成立了長(zhǎng)江存儲(chǔ)，來(lái)攻克閃存技術(shù)。

從2016年開始努力，到2017年11月，紫光集團(tuán)花費(fèi)了10億美元，整整1000人的研發(fā)團(tuán)隊(duì)花費(fèi)2年時(shí)間研發(fā)成功首款國(guó)產(chǎn)32層3D NAND存儲(chǔ)芯片。這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)芯片實(shí)現(xiàn)了0的起步。

2019年5月，紫光成功研發(fā)了64層堆棧閃存芯片，與三星的96層堆棧只有1代的差距。三星、東芝等閃存大廠按照產(chǎn)品規(guī)劃，在2020年將量產(chǎn)128層堆棧閃存，紫光卻跳過了96層的研發(fā)，直接攻關(guān)128層閃存。

2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào)：X2-6070)研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證，領(lǐng)先了三星等企業(yè)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)再次升級(jí)了Xtacking技術(shù)，發(fā)布了Xtacking2.0，將進(jìn)一步提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)的綜合性能。

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