日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額增長(zhǎng)41% 2022全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及需求前景

• 2022年1月13日 HuangJiang來(lái)源：新浪 1105 71
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日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)(SEAJ) 13日發(fā)布市場(chǎng)預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2021財(cái)年日本產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的銷售將比上財(cái)年增長(zhǎng)41%，達(dá)到3兆3567億日元(約1812億元人民幣)。這一數(shù)值連續(xù)兩年增長(zhǎng)，比去年10月時(shí)的預(yù)測(cè)值(3兆2631億日元)有所上調(diào)。

日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額增長(zhǎng)41%

日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)(SEAJ) 13日發(fā)布市場(chǎng)預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2021財(cái)年日本產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的銷售將比上財(cái)年增長(zhǎng)41%，達(dá)到3兆3567億日元(約1812億元人民幣)。這一數(shù)值連續(xù)兩年增長(zhǎng)，比去年10月時(shí)的預(yù)測(cè)值(3兆2631億日元)有所上調(diào)。

根據(jù)發(fā)表的資料，22年度的銷售預(yù)測(cè)同比增長(zhǎng)5.8%，達(dá)到3兆5500億日元(約1971億元人民幣，去年10月時(shí)的預(yù)測(cè)為3兆4295億日元)，23年度同比增長(zhǎng)4.2%，達(dá)到3兆7000億日元(約2054億元人民幣)。

2022全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及需求前景

SEMI發(fā)布其年終半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額，預(yù)計(jì)2021 年原始設(shè)備制造商總銷售額將達(dá)到1030億美元，比 2020 年的行業(yè)紀(jì)錄(710億美元)猛增 44.7%。到 2022 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將擴(kuò)大到 1140 億美元。

前端(晶圓廠)和后端(組裝/封裝和測(cè)試)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)都在為全球擴(kuò)張做出貢獻(xiàn)。2021 年晶圓廠設(shè)備行業(yè)將增長(zhǎng) 43.8%，達(dá)到 880 億美元，包括晶圓加工、晶圓廠設(shè)施和掩模/掩模版設(shè)備;2022 年還將增長(zhǎng) 12.4%，達(dá)到約 990 億美元。預(yù)計(jì)2023年晶圓廠設(shè)備將小幅下降-0.5%，降至984億美元。

代工和邏輯分支占晶圓廠設(shè)備總銷售額的一半以上，2021年同比增長(zhǎng) 50%，達(dá)到 493 億美元。2022年代工和邏輯設(shè)備投資增長(zhǎng) 17%。

企業(yè)和消費(fèi)者對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)的強(qiáng)勁需求推動(dòng)了 DRAM 和 NAND 設(shè)備支出的增長(zhǎng)。DRAM 設(shè)備行業(yè)在 2021 年的擴(kuò)張中處于領(lǐng)先地位，將飆升52%，增長(zhǎng)至151億美元，并在 2022 年增長(zhǎng) 1%(153 億美元)。預(yù)計(jì) 2021 年 NAND 設(shè)備市場(chǎng)將增長(zhǎng) 24%，達(dá)到192億美元;2022 年將增長(zhǎng) 8%，達(dá)到206億美元。預(yù)計(jì) 2023 年 DRAM 和 NAND 支出將分別下降 -2% 和 -3%。

根據(jù)中研普華出版的《2021-2025年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)供需分析及投資風(fēng)險(xiǎn)研究報(bào)告》顯示：

從地區(qū)來(lái)看，中國(guó)、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)預(yù)計(jì)仍將是 2021 年支出的前三大目的地。中國(guó)在 2020 年首次獲得領(lǐng)先地位。我國(guó)已成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，約占全球35%的市場(chǎng)份額，但設(shè)備依賴進(jìn)口，自給率低。

集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試三個(gè)環(huán)節(jié)，其中制造需要由多種集成電路設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)?，F(xiàn)在，全球晶圓廠持續(xù)擴(kuò)張，對(duì)設(shè)備需求進(jìn)一步加大，中國(guó)大陸地區(qū)的需求尤為強(qiáng)烈，2020年中國(guó)大陸地區(qū)已成為全球最大集成電路設(shè)備市場(chǎng)。集成電路的多層堆棧技術(shù)與鰭型柵晶體管技術(shù)的廣泛應(yīng)用導(dǎo)致對(duì)設(shè)備需求進(jìn)一步加大。

集成電路制造設(shè)備按類型分為氧化/擴(kuò)散爐、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備與檢測(cè)設(shè)備等。

半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大離不開(kāi)對(duì)半導(dǎo)體材料的巨大需求。第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)時(shí)代而生，以碳化硅、氮化鎵為代表的材料可以制備耐高壓、高頻的功率器件，其中碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料。

碳化硅并非原有技術(shù)的漸進(jìn)改良，而是一次跳躍式升級(jí)。相同規(guī)格下，碳化硅基MOSFET的尺寸只有硅基MOSFET的1/10，導(dǎo)通電阻是后者的1/100。與硅基IGBT相比，碳化硅基MOSFET的總能量損耗可降低70%。

碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)在各個(gè)新能源產(chǎn)業(yè)中體現(xiàn)的淋漓盡致。應(yīng)用在風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域，可提高效率20%。應(yīng)用在光伏逆變器，可將轉(zhuǎn)換效率從96%提升至99%以上，并且降低能量損耗超50%，提升設(shè)備循環(huán)壽命50倍。

最重要的是在新能源車上的應(yīng)用。2016年，在成本控制上近乎“變態(tài)”的特斯拉一反常態(tài)，率先在Model3的主逆變器上安了24個(gè)由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的碳化硅MOSFET功率模塊。要知道，當(dāng)時(shí)碳化硅功率器件的價(jià)格是同等硅器件的十倍。

欲了解中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展詳細(xì)分析，可點(diǎn)擊中研普華《2021-2025年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)供需分析及投資風(fēng)險(xiǎn)研究報(bào)告》。研究報(bào)告以行業(yè)為研究對(duì)象，并基于行業(yè)的現(xiàn)狀，行業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行數(shù)據(jù)，行業(yè)供需現(xiàn)狀，業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局，重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)分析，行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析，市場(chǎng)集中度等現(xiàn)實(shí)指標(biāo)，分析預(yù)測(cè)行業(yè)的發(fā)展前景和投資價(jià)值。

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  2021-2025年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)供需分析及投資風(fēng)險(xiǎn)研究報(bào)告

  我國(guó)已成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，約占全球35%的市場(chǎng)份額，但設(shè)備依賴進(jìn)口，自給率低。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2020年中國(guó)大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)模達(dá)187.2億美元，同比增長(zhǎng)39%，成為全球第一大2...

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