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          2022半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)現(xiàn)狀分析

          • 2022年4月25日 zengyan來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) 1393 92
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          半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體各細(xì)分板塊整體表現(xiàn)較弱,半導(dǎo)體細(xì)分板塊中,半導(dǎo)體制造板塊下跌3.1%,分立器件板塊下跌3.5%,封測(cè)板塊下跌4.2%,半導(dǎo)體設(shè)備板塊下跌4.4%,半導(dǎo)體材料板塊下跌4.8%,IC 設(shè)計(jì)板塊下跌5.6%。

          2022半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)現(xiàn)狀分析

          半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體各細(xì)分板塊整體表現(xiàn)較弱,半導(dǎo)體細(xì)分板塊中,半導(dǎo)體制造板塊下跌3.1%,分立器件板塊下跌3.5%,封測(cè)板塊下跌4.2%,半導(dǎo)體設(shè)備板塊下跌4.4%,半導(dǎo)體材料板塊下跌4.8%,IC 設(shè)計(jì)板塊下跌5.6%。

          上周(4/18-4/22)半導(dǎo)體行情與主要指數(shù)同步下跌。申萬(wàn)半導(dǎo)體行業(yè)指數(shù)下跌5.16%,同期創(chuàng)業(yè)板指數(shù)下跌6.66%,上證綜指下跌3.87%,深證綜指下跌5.12%,中小板指下跌3.64%,萬(wàn)得全A 下跌4.76%。半導(dǎo)體行業(yè)指數(shù)與主要指數(shù)同步下跌。

          美國(guó)突然斷供半導(dǎo)體材料,火箭發(fā)射受到嚴(yán)重影響,大批先進(jìn)戰(zhàn)略武器裝備被迫停產(chǎn),究竟是怎么回事?據(jù)悉,2021年后,美國(guó)和俄羅斯的關(guān)系就變得不容樂(lè)觀起來(lái),美國(guó)不斷對(duì)俄羅斯施加制裁,制裁措施中包括切斷俄羅斯半導(dǎo)體供應(yīng),任何為俄羅斯提供半導(dǎo)體的企業(yè)都會(huì)受到美國(guó)的制裁。盡管俄羅斯不是國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要競(jìng)爭(zhēng)者,但美國(guó)的制裁手段還是對(duì)俄羅斯造成了影響。

          俄羅斯大量已經(jīng)研制成的航天器,因?yàn)槿鄙傥⑿酒瑹o(wú)法發(fā)射,而受到美國(guó)制裁影響,俄羅斯無(wú)法以任何方式購(gòu)買這種微芯片。另外,美國(guó)的制裁措施也影響到了俄羅斯武器裝備研制,部分新型戰(zhàn)略武器不得不停產(chǎn),迫使俄羅斯必須尋找新的解決方案。隨著信息技術(shù)的發(fā)展,越來(lái)越多的武器裝備需要依賴先進(jìn)的芯片,俄羅斯在半導(dǎo)體領(lǐng)域的缺陷還會(huì)被繼續(xù)擴(kuò)大,這迫使俄羅斯必須改善這一短板,或者和其他國(guó)家共同突破芯片技術(shù)。

          半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

          據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院出版的《2022-2027年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告》統(tǒng)計(jì)分析顯示:

          近日,云南鍺業(yè)發(fā)布公告稱,公司控股子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鑫耀半導(dǎo)體”)實(shí)施的“磷化銦單晶片建設(shè)項(xiàng)目”已經(jīng)正式投產(chǎn)。

          據(jù)報(bào)道稱,云南鍺業(yè)磷化銦如期投產(chǎn),中國(guó)第二代半導(dǎo)體材料“破殼”。資料顯示,早在2017年2月,云南鍺業(yè)董事會(huì)就審議通過(guò)由云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司使用3600萬(wàn)元自有資金實(shí)施“5萬(wàn)片/年2英寸磷化銦單晶及晶片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”。2019年12月,云南鍺業(yè)又披露,將用兩年時(shí)間建設(shè)一條年產(chǎn)15萬(wàn)片4英寸磷化銦單晶片生產(chǎn)線。項(xiàng)目總投資為3.24億元,達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入3.2億元,年平均利潤(rùn)總額1.19億元。

          磷化銦是第二代半導(dǎo)體材料

          目前,中國(guó)的第二代半導(dǎo)體材料主要依賴進(jìn)口。云南鍺業(yè)等一批中國(guó)企業(yè)正在嘗試突破。

          第二代半導(dǎo)體獲突破

          第二代半導(dǎo)體材料包含磷化銦和砷化鎵。業(yè)內(nèi)人士介紹,做磷化銦材料的企業(yè),往往兼做砷化鎵業(yè)務(wù)。

          磷化銦是磷和銦的化合物,是繼鍺、硅(Si)之后的新一代微電子、光電子功能材料,其具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度高等諸多優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于光通信、光電器件、高頻毫米波器件、光電集成電路集成激光器、光探測(cè)器等領(lǐng)域。砷化鎵是砷和鎵的化合物,用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),主要應(yīng)用在LED和射頻微波器件PA領(lǐng)域。

          據(jù)悉,砷化鎵和磷化銦都屬于第二代半導(dǎo)體材料,其中,砷化鎵憑借高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性,被廣泛應(yīng)用于光通信、高頻毫米波器件、光電器件、光電集成電路集成激光器、光探測(cè)器等領(lǐng)域,而磷化銦產(chǎn)品則在射頻、光電子、移動(dòng)通信、數(shù)據(jù)通信等多項(xiàng)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

          國(guó)內(nèi)市場(chǎng),雖然以碳化硅/氮化鎵為主的第三代化合物半導(dǎo)體已經(jīng)成為研發(fā)主流,但近年來(lái),國(guó)內(nèi)地方政府和相關(guān)企業(yè)正在加速第二代化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)。比如,重慶市政府今年3月印發(fā)的《重慶市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃(2021—2025年)》中明確提出,積極發(fā)展化合物半導(dǎo)體,提升砷化鎵、磷化銦等第二代化合物半導(dǎo)體材料制造能力、產(chǎn)能和化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線良品率,發(fā)展激光器芯片、光電器件等產(chǎn)品。

          未來(lái),隨著5G通信、可穿戴設(shè)備、光通信、人工智能、無(wú)人駕駛等領(lǐng)域的發(fā)展,化合物半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模將逐步擴(kuò)大,國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)也將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)突破。

          未來(lái)行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展前景和投資機(jī)會(huì)在哪?欲了解更多關(guān)于行業(yè)具體詳情可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的報(bào)告《2022-2027年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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