未來半導體光電器件行業(yè)市場機會在哪?半導體光電器件如光導管、光電池、光電二極管、光電晶體管等;半導體熱電器件如熱敏電阻、溫差發(fā)電器和溫差電致冷器等。半導體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來
未來半導體光電器件行業(yè)市場機會在哪?半導體光電器件如光導管、光電池、光電二極管、光電晶體管等;半導體熱電器件如熱敏電阻、溫差發(fā)電器和溫差電致冷器等。半導體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來,使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導體器件。即利用半導體的光電效應(yīng)(或熱電效應(yīng))制成的器件。光電器件主要有,利用半導體光敏特性工作的光電導器件,利用半導體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導體發(fā)光器件等。
近年來國家陸續(xù)制定了許多相關(guān)半導體光電器件產(chǎn)業(yè)政策及戰(zhàn)略規(guī)劃。在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持及企業(yè)自身技術(shù)不斷創(chuàng)新等因素推動下,近年來國內(nèi)半導體光電器件制造業(yè)一直處于較快增長的態(tài)勢。
2023半導體光電器件行業(yè)市場前景及現(xiàn)狀分析
半導體器件和集成電路專用設(shè)備行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游為零部件環(huán)節(jié),主要包括軟件設(shè)計、金屬及非金屬材料、機械元件、電子元器件等;中游為半導體器件和集成電路專用設(shè)備生產(chǎn)供應(yīng)環(huán)節(jié);下游主要應(yīng)用于半導體、集成電路、光伏、平板顯示等領(lǐng)域。
半導體光電器件主要有光敏電阻、光電二極管光電三極管等。半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。載流子就是由半導體原子逃逸出來的電子及其留下的空位----- 空穴。電子從原子中逃逸出來,必須克服原子的束縛而做功,而光照正是向電子提供能量,使它有能力逃逸出來的一種形式。
我國半導體器件和集成電路專用設(shè)備銷售收入中,光伏設(shè)備和集成電路設(shè)備占比最高,合計達95%以上,其中光伏設(shè)備占比為54.91%,集成電路設(shè)備占比為40.23%。我國半導體器件和集成電路專用設(shè)備進口均價為111.28萬美元/臺,較2021年下降了22.32萬美元/臺。我國半導體器件和集成電路專用設(shè)備進口量為14585臺,同比增長10.8%;進口金額為162.31億美元,同比下降5.4%。
因此,光照可以改變載流子的濃度,從而改變半導體的電導率。持續(xù)擴大功率半導體領(lǐng)域優(yōu)勢地位,推進硅基光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)化,加快發(fā)展化合物半導體材料及芯片、模擬和數(shù)模混合芯片、微機電系統(tǒng)(MEMS)等產(chǎn)品,打造全國最大的功率半導體產(chǎn)業(yè)基地和集成電路特色工藝技術(shù)高地,建成特色鮮明的國家級集成電路產(chǎn)業(yè)集群。
提升砷化鎵、磷化銦等第二代化合物半導體材料制造能力、產(chǎn)能和化合物半導體芯片生產(chǎn)線良品率,發(fā)展激光器芯片、光電器件等產(chǎn)品。研發(fā)氮化鎵、碳化硅等寬禁帶半導體材料,推動功率半導體生產(chǎn)企業(yè)開發(fā)大功率碳化硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管、高速高功率氮化鎵射頻器件等產(chǎn)品。開展碳基納米材料、銻化鎵、銦化砷等超寬禁帶半導體材料研究。
到2025年,重慶戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展要實現(xiàn)多個目標,包括產(chǎn)業(yè)規(guī)模邁上萬億臺階、產(chǎn)業(yè)集群形成發(fā)展梯次、持續(xù)增強企業(yè)主體實力、顯著提高產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力等。企業(yè)成功的關(guān)鍵就在于,半導體光電器件是否能夠在需求尚未形成之時就牢牢地鎖定并捕捉到它。那些成功的公司往往都會傾盡畢生的精力及資源搜尋產(chǎn)業(yè)的當前需求及前景。
在戰(zhàn)略性新興支柱產(chǎn)業(yè)方面,重慶市將重點建設(shè)集成電路、新型顯示、新型智能終端、新能源汽車和智能汽車、生物醫(yī)藥、先進材料、高端裝備制造、綠色環(huán)保、軟件和信息技術(shù)服務(wù)、新興服務(wù)業(yè)等10類產(chǎn)業(yè)。
據(jù)中國海關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計,我國芯片的進口金額為3040億美元,較去年同期減少80億美元,同比下降2.6%。國務(wù)院發(fā)布的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,半導體光電器件自給率僅為30%左右。
近年來,在國家和產(chǎn)業(yè)的大力投入下,我國半導體光電器件得到了快速發(fā)展,半導體光電器件產(chǎn)值首度超過1000億元,達到1126.9億元。集成電路制造業(yè)繼續(xù)保持良好成長勢頭,產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到1415.4億元。
全球氮化鎵半導體器件產(chǎn)業(yè)增長到2026年的263億美元,復(fù)合年增長率為5.5%。推動該市場增長的關(guān)鍵驅(qū)動因素包括促進創(chuàng)新應(yīng)用的GaN材料的寬間隙特性、GaN在射頻功率電子產(chǎn)品中的成功以及GaN射頻半導體器件的日益普及用于國防和航空航天應(yīng)用等。
預(yù)計到2026年,亞太地區(qū)將占據(jù)GaN半導體器件市場的最大份額。亞太地區(qū)的工業(yè)活動在中國等亞洲國家的代工廠、晶圓、制造、組裝、測試和封裝設(shè)施數(shù)量方面呈指數(shù)級增長。隨著這些產(chǎn)品的國內(nèi)消費量不斷增長,該地區(qū)的電動汽車制造和進口也在增加。
中研研究院出版的半導體光電器件行業(yè)發(fā)展趨勢分析
一、半導體光電器件行業(yè)發(fā)展趨勢
二、半導體光電器件市場規(guī)模預(yù)測
三、半導體光電器件行業(yè)應(yīng)用趨勢預(yù)測
四、半導體光電器件細分市場發(fā)展趨勢預(yù)測
半導體光電器件報告根據(jù)行業(yè)的發(fā)展軌跡及多年的實踐經(jīng)驗,對中國行業(yè)的內(nèi)外部環(huán)境、行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展狀況、市場供需、競爭格局、標桿半導體光電器件企業(yè)、發(fā)展趨勢、機會風險、發(fā)展策略與投資建議等進行了分析,并重點分析了我國行業(yè)將面臨的機遇與挑戰(zhàn),對半導體光電器件行業(yè)未來的發(fā)展趨勢及前景作出審慎分析與預(yù)測。是企業(yè)、學術(shù)科研單位、投資企業(yè)準確了解半導體光電器件行業(yè)最新發(fā)展動態(tài),把握市場機會!
半導體光電器件市場調(diào)研如何?中研研究院對該行業(yè)作了詳盡深入的分析,更多行業(yè)具體詳情可以點擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的報告《2023-2028年中國半導體光電器件行業(yè)發(fā)展前景戰(zhàn)略及投資風險預(yù)測分析報告》。
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