動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱,DRAM市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2023年第四季度實(shí)現(xiàn)供需平衡。
DRAM芯片需求經(jīng)歷了PC推動(dòng)周期、PC&Notebook推動(dòng)周期,目前正處于智能手機(jī)&服務(wù)器&AloT推動(dòng)周期。2020年上半年受新冠疫情影響,服務(wù)器、智能手機(jī)、PC需求激增帶動(dòng)DRAM價(jià)格迅速回升,新一輪上升的大趨勢(shì)基本確定。
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō),周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō),靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
DRAM行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀分析
與SRAM相比,DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單——每一個(gè)比特的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處理,相比之下在SRAM上一個(gè)比特通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問(wèn)速度較慢,耗電量較大的缺點(diǎn)。與大部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)一樣,由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷以后很快消失,因此它屬于一種易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。
DRAM通常以一個(gè)電容和一個(gè)晶體管為一個(gè)單元排成二維矩陣?;镜牟僮鳈C(jī)制分為讀(Read)和寫(xiě)(Write),讀的時(shí)候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半,然后再把晶體管打開(kāi)讓BL和電容產(chǎn)生電荷共享的現(xiàn)象,若內(nèi)部存儲(chǔ)的值為1,則BL的電壓會(huì)被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半,反之,若內(nèi)部存儲(chǔ)的值為0,則會(huì)把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半,得到了BL的電壓后,在經(jīng)過(guò)放大器來(lái)判別出內(nèi)部的值為0和1。寫(xiě)的時(shí)候會(huì)把晶體管打開(kāi),若要寫(xiě)1時(shí)則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲(chǔ)著操作電壓,若要寫(xiě)0時(shí)則把BL降低到0伏特使電容內(nèi)部沒(méi)有電荷。
云計(jì)算、大數(shù)據(jù)的興起,服務(wù)器的數(shù)據(jù)容量和處理速度在不斷提高,推動(dòng)了DDR技術(shù)的升級(jí)迭代,目前市場(chǎng)上主流技術(shù)規(guī)范為DDR4和LPDDR4,DDR5技術(shù)即將進(jìn)入商用領(lǐng)域。DRAM占存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模的58%,為最大的細(xì)分市場(chǎng)。DRAM以其經(jīng)濟(jì)、可靠、高效的特點(diǎn),被廣泛運(yùn)用于移動(dòng)設(shè)備、服務(wù)器、PC等市場(chǎng)。
就全球存儲(chǔ)芯片定位而言,2021年DRAM占比全球儲(chǔ)存市場(chǎng)61%的市場(chǎng)份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲(chǔ)器,多用與cpu緩存和圖像系統(tǒng)的幀緩存區(qū),起到臨時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的功能,如遇斷電則數(shù)據(jù)則會(huì)丟失信息,更大的緩存空間代表同時(shí)可處理和儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)更多,屬與電子設(shè)備必須的組成部分。
根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示:
全球DRAM或Flash市場(chǎng)價(jià)格分為合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià),價(jià)格走勢(shì)是跟蹤景氣變化的關(guān)鍵指標(biāo),合約價(jià):ContractPrice,大客戶,價(jià)格按照協(xié)議合約走,定期議價(jià),不受期間價(jià)格波動(dòng)影響,占比約90%。2020年DRAM下游移動(dòng)式(手機(jī)、移動(dòng)端)占39.6%;服務(wù)器占33.9%;PC占13.1%;消費(fèi)電子占7.9%;圖形技術(shù)占5.5%。
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)(刷新時(shí)除外,見(jiàn)下文),而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。主存即電腦內(nèi)部最主要的存儲(chǔ)器,用來(lái)加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運(yùn)行與運(yùn)用。由于DRAM的性價(jià)比很高,且擴(kuò)展性也不錯(cuò),是現(xiàn)今一般電腦主存的最主要部分。
PC端、移動(dòng)端、服務(wù)器端為DRAM主要需求來(lái)源,市場(chǎng)需求占比大。PC端進(jìn)入存量替代市場(chǎng),出貨穩(wěn)定;移動(dòng)端和服務(wù)器端DRAM需求旺盛;5G熱潮以及5G智能手機(jī)帶來(lái)的出貨增長(zhǎng)拉動(dòng)了DRAM需求;車用DRAM是將成為DRAM的新戰(zhàn)場(chǎng)。移動(dòng)端DRAM自2012年超過(guò)PC端以來(lái)始終是DRAM最大市場(chǎng),目前占DRAM總出貨量40%左右。2020年全球手機(jī)出貨量約12.92億臺(tái),同比下降5.76%。
目前產(chǎn)品最新標(biāo)準(zhǔn)迭代至DDR5,10nm以下制程待突破。傳統(tǒng)異步DRAM已被淘汰,讀/寫(xiě)時(shí)鐘與CPU同步的SDRAM作為DRAM的升級(jí)成為主流,主要包括DDR/GDDR/LPDDR等,其中DDR已迭代至第五代(DDR5),制程方面,10nm~20nm系列制程至少包括六代:1Xnm(16-19nm)/1Ynm(14-16nm)/1Znm(12-14nm)/1α/1β/1γ,10nm以下待突破。整體來(lái)看,國(guó)產(chǎn)企業(yè)長(zhǎng)鑫仍存在一定差距。
TrendForce最新公布的數(shù)據(jù)顯示,DRAM市場(chǎng)中,DDR5芯片現(xiàn)貨價(jià)格再次震蕩下行,DDR4、DDR3產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)下跌,整體市場(chǎng)還未出現(xiàn)價(jià)格反彈的跡象。受此影響,廠商和貿(mào)易商都處于備貨狀態(tài),但近期部分買(mǎi)家開(kāi)始尋求小批量訂單的報(bào)價(jià),盡管這種需求并沒(méi)有對(duì)整體成交量帶來(lái)太大的提振。
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2022-2027年中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告
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