碳化硅在電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色,可用于高壓和高溫環(huán)境下的功率電子器件。隨著可再生能源的普及和電力轉(zhuǎn)型的推進(jìn),碳化硅晶圓在電力電子市場中的需求不斷增加。
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料,是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想材料,已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、風(fēng)電、軌交、5G等領(lǐng)域。其中在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅主要用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC和充電樁,可簡化供電網(wǎng)絡(luò)、減少逆變體積、降低損耗并提高汽車?yán)m(xù)航。
近年來,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來越大。這使得國內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中,無論是從市場需求,還是產(chǎn)業(yè)鏈上游的產(chǎn)能、技術(shù)上都處于重要地位。
根據(jù)中研普華研究院撰寫的《2024-2029年中國碳化硅行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析及投資前景預(yù)測研究報(bào)告》顯示:
2024碳化硅行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析及及產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底在終端器件的成本占比近50%,是全產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié),也是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件系統(tǒng)性降本的主要途徑。與硅不同,碳化硅長晶難度非常高,控制難度極大,從1978年P(guān)VT長晶方法被提出到目前40余年,業(yè)界碳化硅襯底的綜合良率最高也不足70%,因此仍然需要不斷的技術(shù)創(chuàng)新和迭代來推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。
碳化硅在電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色,可用于高壓和高溫環(huán)境下的功率電子器件。隨著可再生能源的普及和電力轉(zhuǎn)型的推進(jìn),碳化硅晶圓在電力電子市場中的需求不斷增加。
今年來,寶馬、極氪等與安森美達(dá)成碳化硅長期供貨協(xié)議,Wolfspeed與梅賽德斯也達(dá)成碳化硅器件供應(yīng)合作; 4月份小鵬正式推出了新一代技術(shù)平臺(tái)SEPA 2.0扶搖全域智能進(jìn)化架構(gòu),采取全域800V高壓碳化硅平臺(tái),綜合效率達(dá)92%;哪吒GT搭載800V碳化硅電驅(qū);東風(fēng)汽車發(fā)布馬赫E品牌,將搭載自主開發(fā)的碳化硅控制器,還將于年底量產(chǎn)碳化硅模塊。
從技術(shù)上來看,碳化硅晶圓面積的擴(kuò)大之路并不好走。全球碳化硅(SiC)晶圓主要制造商包括Wolfspeed、ROHM Group (SiCrystal)、SK Siltron、Resonac、Coherent、北京天科合達(dá)、STMicroelectronics、SICC、河北同光、CETC、三安光電等。全球碳化硅(SiC)晶圓市場非常集中,其中全球top5制造商超過78%市場份額。
麥肯錫的報(bào)告中顯示,中國碳化硅市場上,80%的襯底/晶圓以及95%以上的器件來自海外供應(yīng)商。但考慮到地緣政治以及供應(yīng)穩(wěn)定,中國汽車OEM正在加速尋求本土供應(yīng)商,預(yù)計(jì)到2030年,中國汽車OEM廠商將廣泛轉(zhuǎn)向本地供應(yīng)商采購,從目前的約15%提高到約60%。
11月,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來了多個(gè)產(chǎn)能擴(kuò)張項(xiàng)目以及襯底突破新進(jìn)展,首先是在碳化硅襯底方面。正如硅基芯片所用到的硅晶圓,尺寸從6英寸、8英寸發(fā)展至12英寸一樣,對(duì)于碳化硅功率器件所用到的襯底,同樣在往大尺寸發(fā)展。8英寸襯底的有效利用率高,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈降本增效的效果明顯,尤其是襯底在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中所占價(jià)值可以高達(dá)50%的情況下。襯底尺寸越大,單位襯底可以制造的芯片數(shù)量越多,單位芯片成本就越低。因此推動(dòng)8英寸襯底的量產(chǎn),就是在加速降低碳化硅器件的成本。
近日,碳化硅襯底供應(yīng)商超芯星完成數(shù)億元C輪融資,本輪融資由知名國際投資機(jī)構(gòu)領(lǐng)投,商絡(luò)電子、老股東渶策資本跟投。
SiC作為新興產(chǎn)業(yè),短期內(nèi)供不應(yīng)求,國內(nèi)外玩家積極擴(kuò)產(chǎn),規(guī)劃產(chǎn)能迅速攀升。但整體良率偏低,規(guī)劃產(chǎn)能并不等于實(shí)際交付能力;此外,目前主流商用的SiC生產(chǎn)方法為PVT(物理氣相傳輸法),但長晶速度慢,缺陷控制難度大,導(dǎo)致了SiC襯底的成本居高不下(占SiC器件制造成本的50%)。產(chǎn)業(yè)界積極推進(jìn)LPE(液相法)等方法的研發(fā),減少缺陷密度,提升良率、降低成本。我們認(rèn)為,短期內(nèi)無需過度憂慮SiC產(chǎn)能過剩的問題,改善良率是襯底企業(yè)的當(dāng)務(wù)之急,長期存在產(chǎn)能出清的可能。
碳化硅在高溫、高頻和高功率電子器件中表現(xiàn)出色,因此受到這些應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛關(guān)注,如電力電子、電動(dòng)汽車、無線通信和軍事領(lǐng)域。需求的增長推動(dòng)了碳化硅晶圓市場的擴(kuò)張。
在激烈的市場競爭中,企業(yè)及投資者能否做出適時(shí)有效的市場決策是制勝的關(guān)鍵。中研網(wǎng)撰寫的碳化硅行業(yè)報(bào)告對(duì)中國碳化硅行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及市場供需形勢(shì)進(jìn)行了具體分析,并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟(jì)環(huán)境、社會(huì)環(huán)境及技術(shù)環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機(jī)遇及挑戰(zhàn)。同時(shí)揭示了市場潛在需求與潛在機(jī)會(huì),為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時(shí)機(jī)和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準(zhǔn)確的市場情報(bào)信息及科學(xué)的決策依據(jù),同時(shí)對(duì)政府部門也具有極大的參考價(jià)值。
想了解關(guān)于更多碳化硅行業(yè)專業(yè)分析,可點(diǎn)擊查看中研普華研究院撰寫的《2024-2029年中國碳化硅行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析及投資前景預(yù)測研究報(bào)告》。同時(shí)本報(bào)告還包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價(jià)值洞察,可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢(shì)、風(fēng)險(xiǎn)和機(jī)遇。
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2024-2029年中國碳化硅行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析及投資前景預(yù)測研究報(bào)告
隨著科技的快速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)也在不斷尋求新的材料和工藝,以實(shí)現(xiàn)更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。在這個(gè)過程中,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸走入了人們的視線。碳化S...
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