中國電子信息新材料行業(yè)產(chǎn)能規(guī)模分析 持續(xù)增長

• 洪前進(jìn) 2023年3月16日 來源：中研網(wǎng) 333 14
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近些年來我國電子信息新材料行業(yè)總體處于供需緊平衡的市場供需格局，2018-2022年期間行業(yè)產(chǎn)銷率總體維持在85%以上水平。

新材料產(chǎn)業(yè)是支撐我國經(jīng)濟發(fā)展和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級的基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性、戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。

隨著我國電子信息產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，與之相關(guān)的電子新材料產(chǎn)業(yè)也迎來高速發(fā)展，成為新材料領(lǐng)域中發(fā)展速度最快、最具活力的行業(yè)之一。根據(jù)工信部相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，截至2021年底，我國電子信息新材料產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)933.6億元，4年間行業(yè)年復(fù)合增長率達(dá)8.7%。

我國當(dāng)前中美兩國科技競爭日趨激烈，中國企業(yè)從海外獲得電子信息新材料與技術(shù)的難度劇增。新材料技術(shù)不實現(xiàn)自主可控而完全依賴進(jìn)口，雖然短期內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)展，但終將面臨"斷糧"與"掐脖子"風(fēng)險。如美國以斷供芯片等手段制裁華為，導(dǎo)致華為的手機業(yè)務(wù)面臨癱瘓，該事件表明中國企業(yè)在科技領(lǐng)域唯有充分實現(xiàn)電子信息新材料供應(yīng)鏈的自主可控才能應(yīng)對國際形勢突變形成的危機，中國唯有發(fā)展自主技術(shù)才能抵御海外突然技術(shù)禁運帶來的風(fēng)險，電子信息新材料的國產(chǎn)化程度將直接決定中國能否成為制造業(yè)強國。

通過2018-2022年期間我國電子信息新材料行業(yè)產(chǎn)銷量情況可以看出，近些年來我國電子信息新材料行業(yè)總體處于供需緊平衡的市場供需格局，2018-2022年期間行業(yè)產(chǎn)銷率總體維持在85%以上水平。

目前影響我國電子信息新材料行業(yè)供需平衡因素主要包括供給側(cè)和需求側(cè)兩方面，供給側(cè)行業(yè)產(chǎn)能規(guī)模情況以及下游行業(yè)市場需求情況兩方面共同影響行業(yè)供需平衡結(jié)構(gòu)。

目前我國電子信息新材料產(chǎn)業(yè)主要包括光刻膠、第三代半導(dǎo)體材料、稀土永磁材料、導(dǎo)熱材料、聚酰亞胺薄膜、OLED發(fā)光材料、光學(xué)膜以及微波介質(zhì)陶瓷等。

圖表：2018-2022年中國電子信息新材料行業(yè)產(chǎn)能規(guī)模情況(單位：萬噸)

數(shù)據(jù)來源：企業(yè)公開資料、中研普華產(chǎn)業(yè)研究院整理

根據(jù)中研研究院《2023-2028年中國電子信息新材料行業(yè)市場全面分析及發(fā)展調(diào)研報告》分析得知，截至2022年底，行業(yè)產(chǎn)能規(guī)模達(dá)1650萬噸，較2021年有了較大幅度增長。

目前我國電子信息新材料行業(yè)總體處于供需緊平衡態(tài)勢，2022-2027年期間，我國電子信息行業(yè)將在投融資規(guī)模持續(xù)增長帶動下，產(chǎn)能規(guī)模將得到進(jìn)一步抬升，加之國產(chǎn)替代進(jìn)一步增強，我國電子信息新材料行業(yè)企業(yè)將在高端市場中進(jìn)一步擴大在高端產(chǎn)品領(lǐng)域產(chǎn)能規(guī)模，預(yù)計至2027年底，行業(yè)產(chǎn)量規(guī)模有望達(dá)到2500萬噸，銷量規(guī)模有望達(dá)到2175萬噸，產(chǎn)銷率有望達(dá)到87%，未來我國電子信息新材料行業(yè)有望長期維持供需緊平衡態(tài)勢。

根據(jù)國內(nèi)第三方工商注冊服務(wù)機構(gòu)--企查查查詢結(jié)果顯示：截止2022年11月底，國內(nèi)經(jīng)營狀態(tài)為"存續(xù)"和"在業(yè)"的企業(yè)中經(jīng)營業(yè)務(wù)包含有"電子信息新材料"的企業(yè)約有30萬家，知名品牌也相對較多，根據(jù)電子信息新材料類別的不同，又可以分為以下幾個細(xì)分領(lǐng)域，每個細(xì)分領(lǐng)域的品牌也不盡相同。

為了對國內(nèi)電子信息新材料整體發(fā)展質(zhì)量進(jìn)行評定和衡量，中國電子信息新材料協(xié)會在2022中國成都國際電子材料產(chǎn)業(yè)展覽會針對國內(nèi)500家電子信息新材料下游應(yīng)用企業(yè)進(jìn)行了問卷調(diào)研，以期獲取下游用戶對國內(nèi)電子信息新材料供應(yīng)商提供產(chǎn)品的整體滿意度，并針對下游用戶反饋的問題進(jìn)行協(xié)商探討，促進(jìn)國內(nèi)電子信息新材料產(chǎn)業(yè)更好更快的發(fā)展。

光刻膠是一種在半導(dǎo)體制造、印制電路板、顯示面板行業(yè)中使用的尖端材料，其中半導(dǎo) 體光刻膠技術(shù)含量最高、生產(chǎn)難度最大。在集成電路發(fā)展歷史上，光刻膠的迭代升級對 整個行業(yè)的進(jìn)步做出了重要的貢獻(xiàn)，摩爾定律的演進(jìn)與光刻膠技術(shù)進(jìn)步存在著緊密的聯(lián) 系。展望未來，電動智能汽車，5G 終端，可穿戴設(shè)備，智能家居等領(lǐng)域有望持續(xù)拉動 芯片的終端需求，進(jìn)而擴大半導(dǎo)體制造和光刻膠的市場規(guī)模。隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中 國遷移以及"國內(nèi)大循環(huán)"戰(zhàn)略的推進(jìn)，我國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展空間巨大。然而，當(dāng)前我 國光刻膠國產(chǎn)化比例很低，高端半導(dǎo)體光刻膠基本完全依賴進(jìn)口，存在被"卡脖子"的 風(fēng)險。突破光刻膠的海外技術(shù)壟斷，目前已經(jīng)成為我國科技前沿攻關(guān)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

光刻膠是一種在不同光照、輻射等因素的影響下溶解度會出現(xiàn)改變的特殊材料。當(dāng)我們 使用紫外光、電子束、離子束、各類射線照射光刻膠材料時，光刻膠的溶解度會改變。 憑借這一特殊性質(zhì)，光刻膠在微電子制造、微細(xì)圖形線路蝕刻領(lǐng)域有極高的應(yīng)用價值， 是半導(dǎo)體制造中最關(guān)鍵的材料之一。光刻膠的主要原材料包括樹脂(Resin)、感光劑 (Sensitizer)、溶劑(Solvent)及添加劑(Additive)。按照特定比例混合樹脂和感光劑 可以得到感光樹脂，感光樹脂起到粘結(jié)聚合作用，它會明顯影響光刻膠硬度、柔韌性等 物理性質(zhì)。此外，光引發(fā)劑(photoinitiator)也是光刻膠的關(guān)鍵成分，它決定了光刻膠 的感光度和使用分辨率。

光刻膠的關(guān)鍵性能指標(biāo)主要是分辨度、敏感度、對比度。不同應(yīng)用領(lǐng)域、不同技術(shù)路線 的光刻膠在以上關(guān)鍵性能指標(biāo)上有著明顯差異。高分辨度意味著臨界尺寸小，進(jìn)而意味 著操作能夠更加精細(xì)。高對比度意味著曝光部分和未曝光部分的差異更加明顯，有利于 后續(xù)操作。高靈敏度意味著使得光刻膠起作用的光能閾值更低，在紫外線光刻膠領(lǐng)域中， 靈敏度較為重要。

根據(jù)光刻膠的應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可以分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠以及半導(dǎo)體光刻 膠。從研發(fā)難度來看，用于印制電路板的 PCB 光刻膠難度最小，用于液晶顯示面板的 LCD 光刻膠研發(fā)難度居中，而用于集成電路制造半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)難度最大，對各項關(guān) 鍵性能的要求最高。根據(jù)使用原理，光刻膠也可以分為負(fù)性光刻膠和正性光刻膠。雖然 負(fù)性光刻膠在許多化學(xué)性質(zhì)以及成本方面占據(jù)優(yōu)勢，但是負(fù)性光刻膠的分辨率指標(biāo)整體 弱于正性光刻膠，極大影響了負(fù)性光刻膠在尖端領(lǐng)域的應(yīng)用價值。在前沿半導(dǎo)體制造領(lǐng) 域中，大部分 ArF 光刻膠和 EUV 光刻膠均屬于正性光刻膠。

由于光刻膠的性能直接決定了微電子制造行業(yè)的操作精度，光刻膠在技術(shù)上的進(jìn)步與摩 爾定律的演進(jìn)密不可分。在某種意義上，沒有光刻膠的更新迭代，微電子行業(yè)就無法實 現(xiàn)從微米級到納米級的進(jìn)化。自上世紀(jì) 50 年代開始，光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜、G 線、 I 線、深紫外、極紫外和電子束光刻等六個階段，光照或輻射的波長逐步降低。這一過 程中，光刻膠性能得到了明顯改善，為全球光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。以當(dāng)前光刻膠技術(shù) 迭代為例，在 7nm 以下的制程中，ArF 光刻技術(shù)精度有限。因此，采用此技術(shù)的 7nm 制程有工藝復(fù)雜、量產(chǎn)難度大的特點，而采用分辨率更高的 EUV 光刻技術(shù)可以大幅提 升效率，簡化生產(chǎn)工藝，從而促進(jìn)先進(jìn)制程在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的滲透進(jìn)度。

光刻環(huán)節(jié)在半導(dǎo)體制造過程中非常重要，光刻膠是光刻環(huán)節(jié)中使用到的核心材料。由于 光刻環(huán)節(jié)的好壞直接影響最終產(chǎn)品的質(zhì)量，因此光刻環(huán)節(jié)是整個半導(dǎo)體制造過程中的關(guān) 鍵步驟。光刻環(huán)節(jié)在整個半導(dǎo)體制造過程中所占的成本比例高，光刻工藝耗時較長。根 據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，光刻工藝的成本在芯片制造過程中占到 35%左右，耗時占整個芯片制 造工藝的 40-50%。

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