內(nèi)存條行業(yè)市場全景調(diào)研分析

• 方蔓桃 2024年3月18日 來源：百度 355 16
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為確保內(nèi)存條行業(yè)數(shù)據(jù)精準(zhǔn)性以及內(nèi)容的可參考價(jià)值，我們研究團(tuán)隊(duì)通過上市公司年報(bào)、廠家調(diào)研、經(jīng)銷商座談、專家驗(yàn)證等多渠道開展數(shù)據(jù)采集工作，并對數(shù)據(jù)進(jìn)行多維度分析，以求深度剖析行業(yè)各個(gè)領(lǐng)域，使從業(yè)者能夠從多種維度、多個(gè)側(cè)面綜合了解內(nèi)存條行業(yè)的發(fā)展態(tài)勢，以及

內(nèi)存條是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過數(shù)據(jù)總線對內(nèi)存尋址。歷史上的電腦主板上有主內(nèi)存，內(nèi)存條是主內(nèi)存的擴(kuò)展。以后的電腦主板上沒有主內(nèi)存，CPU完全依賴內(nèi)存條。所有外存上的內(nèi)容必須通過內(nèi)存才能發(fā)揮作用。

內(nèi)存的參數(shù)主要有兩個(gè)：存儲(chǔ)容量和存取時(shí)間。存儲(chǔ)容量越大，電腦能記憶的信息越多。存取時(shí)間則以納秒(NS)為單位來計(jì)算。一納秒等于10億分之一秒。數(shù)字越小，表明內(nèi)存的存取速度越快。從外部發(fā)展環(huán)境來看，我國在應(yīng)用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導(dǎo)體等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域都面臨“卡脖子”問題，亟須構(gòu)筑存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展長板。業(yè)內(nèi)人士表示表示，當(dāng)前我國在電存儲(chǔ)和磁存儲(chǔ)領(lǐng)域尚不具備國際競爭優(yōu)勢，特別是磁盤存儲(chǔ)市場被美國和日本企業(yè)壟斷。當(dāng)前全球光存儲(chǔ)技術(shù)及產(chǎn)業(yè)尚未進(jìn)入成熟期，我國領(lǐng)軍企業(yè)與研發(fā)機(jī)構(gòu)有望與國際領(lǐng)先水平同步創(chuàng)新，甚至引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展方向。

為確保內(nèi)存條行業(yè)數(shù)據(jù)精準(zhǔn)性以及內(nèi)容的可參考價(jià)值，我們研究團(tuán)隊(duì)通過上市公司年報(bào)、廠家調(diào)研、經(jīng)銷商座談、專家驗(yàn)證等多渠道開展數(shù)據(jù)采集工作，并對數(shù)據(jù)進(jìn)行多維度分析，以求深度剖析行業(yè)各個(gè)領(lǐng)域，使從業(yè)者能夠從多種維度、多個(gè)側(cè)面綜合了解內(nèi)存條行業(yè)的發(fā)展態(tài)勢，以及創(chuàng)新前沿?zé)狳c(diǎn)，進(jìn)而賦能內(nèi)存條從業(yè)者搶跑轉(zhuǎn)型賽道。

AI大模型持續(xù)迭代升級，參數(shù)持續(xù)增長，大模型的參數(shù)規(guī)模越大，算力負(fù)擔(dān)越重，而AI服務(wù)器是算力的核心。2023年，AI服務(wù)器(搭載GPU、FPGA、ASIC等高算力芯片)出貨量近120萬臺(tái)，年增38.4%，占整體服務(wù)器出貨量的9%，按照這個(gè)勢頭發(fā)展下去，2026年將占到15%的市場份額。

更多的大模型參數(shù)需要大容量、高速的內(nèi)存支持，美光在法說會(huì)上表示，一臺(tái)AI服務(wù)器的DRAM使用量是普通服務(wù)器的6-8倍。到2026年，預(yù)計(jì)服務(wù)器DRAM(不含HBM)市場規(guī)模有望達(dá)到321億美元。

針對AI服務(wù)器的高性能要求，更強(qiáng)大的內(nèi)存——DDR5需求隨之提升。與DDR4相比，DDR5具備更高速度、更大容量和更低能耗等特點(diǎn)。DDR5內(nèi)存的最高傳輸速率達(dá)6.4Gbps，比DDR4高出一倍。

2024年，隨著運(yùn)算速度的提升，DRAM和NAND閃存在各類AI應(yīng)用，如智能手機(jī)、服務(wù)器、筆電的單機(jī)平均搭載容量都會(huì)增長，其中，服務(wù)器應(yīng)用的增長幅度最高。

智能手機(jī)方面，2023年，由于供過于求，存儲(chǔ)器價(jià)格快速下跌，由于價(jià)格很低，推升了2023年智能手機(jī)DRAM單機(jī)平均搭載容量年增17.5%。2024年，在沒有新應(yīng)用推出的預(yù)期下，智能手機(jī)DRAM的單機(jī)平均搭載容量的增長幅度將放緩，預(yù)估為11%。

服務(wù)器方面，伴隨AI服務(wù)器需求持續(xù)增加，高端AI芯片陸續(xù)推出，由于訓(xùn)練是目前AI市場主流，其采用的存儲(chǔ)器是以有助于高速運(yùn)算的DRAM為主，與NAND閃存相比，DRAM的單機(jī)平均搭載容量增長幅度更高，預(yù)計(jì)年增17.3%。

內(nèi)存條行業(yè)市場機(jī)遇分析

目前，GPU主流內(nèi)存方案為GDDR和HBM(高帶寬內(nèi)存)兩種，其中，GDDR在SoC周圍有大量外設(shè)，該方案已經(jīng)從GDDR5升級為GDDR6，以提高帶寬。但是，如果GDDR要增加1GB的帶寬，將會(huì)帶來更多功耗，不利于系統(tǒng)性能提升。

受市場需求推動(dòng)，HBM領(lǐng)域的主要供應(yīng)商SK海力士、三星和美光等國際存儲(chǔ)芯片大廠正紛紛加大產(chǎn)能擴(kuò)張力度。

日前，三星透露，為爭奪2024年的HBM市場，計(jì)劃在今年第四季度之前，將HBM的最高產(chǎn)量提升至每月15萬—17萬件。此前，三星還投資105億韓元收購了位于韓國天安市的三星顯示工廠及設(shè)備，旨在擴(kuò)大HBM產(chǎn)能。

業(yè)內(nèi)人士指出，盡管消費(fèi)者需求仍然疲弱，但生成式人工智能市場的迅速擴(kuò)張已導(dǎo)致對AI服務(wù)器內(nèi)存需求的上升。因此，高性能產(chǎn)品如HBM3和DDR5的銷售增長，有望為存儲(chǔ)制造商帶來新的增長機(jī)遇。

HBM方案作為近存計(jì)算的典型技術(shù)，可以改善存算分離導(dǎo)致的“存儲(chǔ)墻”問題，即存儲(chǔ)單元的帶寬問題、存儲(chǔ)單元與計(jì)算單元數(shù)據(jù)傳輸?shù)哪苄栴}，并且，HBM中Die裸片的垂直堆疊也增大了容量。因此，在存算一體真正落地之前，HBM技術(shù)是契合當(dāng)前GPU對更多內(nèi)存、更高帶寬需求的最佳方案。

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  2022-2027年中國內(nèi)存條行業(yè)市場全景調(diào)研及投資價(jià)值評估研究報(bào)告

  內(nèi)存條行業(yè)研究報(bào)告旨在從國家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析內(nèi)存條未來的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢，挖掘內(nèi)存條行業(yè)的市場潛力，基于重點(diǎn)細(xì)分市場領(lǐng)域的深度研究，提供對產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)...

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