紫光計劃自主研發(fā)DDR4內(nèi)存 預(yù)計明年上市

• 2017年12月28日 ZhouXun來源：威鋒網(wǎng) 376 17
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  2018-2023年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及未來發(fā)展現(xiàn)狀趨勢預(yù)測報告

  隨著國內(nèi)經(jīng)濟的發(fā)展，內(nèi)存市場發(fā)展面臨巨大機遇和挑戰(zhàn)。在市場競爭方面，內(nèi)存企業(yè)數(shù)量越來越多，市場正面臨著供給與需求的不對稱，內(nèi)存行業(yè)有進一步洗牌的強烈要求，但是在一些內(nèi)存細(xì)分市場仍有...

按照計劃，該產(chǎn)品將會在明年逐步推向市場，這也意味著國內(nèi)首條自主研發(fā)DDR4內(nèi)存確認(rèn)將會在明年問世。其實早在今年3月份，紫光國芯的DDR4和LPDDR4內(nèi)存就已經(jīng)通過了科技成果評價。

最近，一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO的內(nèi)存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡(luò)上，有人稱這就是紫光自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存。一開始大家還不太相信圖片的真實性，因為貼紙上出現(xiàn)了PC3-12800U的字樣，對應(yīng)的其實是DDR3 1600內(nèi)存。但是今天紫光官方竟然主動承認(rèn)了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實有相關(guān)的計劃。

昨天上午，紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動平臺上發(fā)出了正式回應(yīng)，他們表示上述關(guān)于DDR4產(chǎn)品的報道并不確切，但是公司現(xiàn)在確實在開展DDR4存儲芯片和模組的設(shè)計與開發(fā)工作，而按照計劃，該產(chǎn)品將會在明年逐步推向市場，這也意味著國內(nèi)首條自主研發(fā)DDR4內(nèi)存確認(rèn)將會在明年問世。其實早在今年3月份，紫光國芯的DDR4和LPDDR4內(nèi)存就已經(jīng)通過了科技成果評價。

現(xiàn)在紫光其實是有DDR3閃存在售的，在網(wǎng)友們測試之后也紛紛表示雖然不支持XMP等功能，超頻到1866也能夠正常運行，已經(jīng)達(dá)到了可以穩(wěn)定使用的水準(zhǔn)，所以對于下一代DDR4內(nèi)存，我們也是對紫光保有更大的期待。

而在今年1月，紫光也宣布投資2000億元在南京建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，建成后月產(chǎn)晶圓10萬片，是中國規(guī)模最大的芯片制造工廠。同時紫光業(yè)投資了長江存儲，計劃打造國產(chǎn)的3D NAND閃存，所以未來紫光的努力或許會在芯片、DRAM和閃存等多個領(lǐng)域開花結(jié)果，而這或許會幫助紫光成為世界范圍內(nèi)為數(shù)不多能夠自設(shè)計、自生產(chǎn)、自銷售的半導(dǎo)體企業(yè)。

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