2021第三代半導(dǎo)體材料將大規(guī)模應(yīng)用 阿里巴巴達(dá)摩院2021十大科技趨勢(shì)

• 2020年12月28日 HuangJiang來源：互聯(lián)網(wǎng) 231 7
• 繁體

未來幾年，以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料將在材料生長(zhǎng)、器件制備等技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破，并應(yīng)用于 5G 基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等新基建場(chǎng)景，大幅降低整體能耗。

我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)產(chǎn)替代正在關(guān)鍵時(shí)期，大量資本涌入，其中第三代半導(dǎo)體是重點(diǎn)。近日，阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021年十大科技展望，未來幾年，以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料將在材料生長(zhǎng)、器件制備等技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破，并應(yīng)用于 5G 基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等新基建場(chǎng)景，大幅降低整體能耗。

第三代半導(dǎo)體發(fā)展政策分析

根據(jù)中研普華出版的《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》顯示：

第三代半導(dǎo)體主要是指碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料。相比于第一、二代半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。新能源車、光伏風(fēng)電、5G 射頻器件、不間斷電源、家電工控等都被第三代半導(dǎo)體盡收囊中。

新材料的價(jià)值遠(yuǎn)不止提供更優(yōu)的性能，它還能突破傳統(tǒng)材料物理極限，達(dá)摩院預(yù)測(cè)，碳基材料作為制作柔性設(shè)備的核心材料，將走出實(shí)驗(yàn)室并制備可隨意伸縮、彎曲的柔性電子設(shè)備，例如用該材料制作的電子皮膚不僅機(jī)械特性與真實(shí)皮膚相似，還有外界環(huán)境感知功能。

近日，工信部、銀保監(jiān)會(huì)聯(lián)合發(fā)布關(guān)于開展2020年度重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用保險(xiǎn)補(bǔ)償機(jī)制試點(diǎn)工作的通知。生產(chǎn)《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019年版)》內(nèi)新材料產(chǎn)品，且于2020年1月1日至2020年12月31日期間投保重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用綜合保險(xiǎn)的企業(yè)，符合首批次保險(xiǎn)補(bǔ)償工作相關(guān)要求，可提出保費(fèi)補(bǔ)貼申請(qǐng)。

全球硅晶圓產(chǎn)量將較上年成長(zhǎng)2.4%，明年將延續(xù)成長(zhǎng)，望在2022年攀升至歷史新高。數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施和伺服器存儲(chǔ)需求增加等帶動(dòng)今年全球晶圓廠設(shè)備支出增幅達(dá)到8%，2021年再進(jìn)一步增長(zhǎng)13%。新材料第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速，汽車應(yīng)用驅(qū)動(dòng)碳化硅市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，引入碳化硅元件車廠的數(shù)量大大增加，碳化硅在車用半導(dǎo)體主要的應(yīng)用包括車載充電器，轉(zhuǎn)換器與逆變器。預(yù)計(jì)2025年將在元件總市場(chǎng)中占據(jù)超過50%的比例。

2020年第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)有望從10億美元增加至2025年的35億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率超過20%。

2021全球半導(dǎo)體市場(chǎng)

明年，全球半導(dǎo)體時(shí)長(zhǎng)將強(qiáng)勢(shì)反彈，第三代半導(dǎo)體將成為主力軍。Covid-19疫情大流行加速了技術(shù)性發(fā)展，預(yù)計(jì)2021年全世界半導(dǎo)體銷售市場(chǎng)提高將加速。疫情加速了向遠(yuǎn)程工作和遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)的技術(shù)性轉(zhuǎn)型，對(duì)互聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)，自動(dòng)化技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等工業(yè)生產(chǎn)4.0技術(shù)性的要求，以創(chuàng)建更具有延展性的供應(yīng)鏈管理。這類大流行將促進(jìn)5G的選用和對(duì)全世界5G互聯(lián)網(wǎng)拓展的項(xiàng)目投資，及其對(duì)新技術(shù)應(yīng)用更很感興趣的純電動(dòng)車。

依據(jù)英國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)的數(shù)據(jù)信息，預(yù)計(jì)2020年全世界半導(dǎo)體銷售總額將在2019年4123億美金(16.7萬億馬來幣)的基本上，提高5.1%，做到4331億美元(17.六萬億馬來幣)，而2021年將提高8.4%。

SIA表明，從地域看來，南美洲(14.2%)，中國(guó)內(nèi)地(6.3%)和亞洲地區(qū)(5.3%)的銷售總額同比增長(zhǎng)率，但日本(-1%)和歐州(-4.8)呈降低趨勢(shì)。

按月測(cè)算，全部地域的銷售總額都有一定的提高：歐州(6%)，南美洲(3.2%)，中國(guó)內(nèi)地(2.9%)，亞洲地區(qū)(2.8%)和日本(1.6%)。

英國(guó)投行科學(xué)研究企業(yè)說，中國(guó)與美國(guó)技術(shù)性關(guān)聯(lián)的可變性很有可能會(huì)減少，進(jìn)而造成 特朗普總統(tǒng)拜登(JoeBiden)當(dāng)政期內(nèi)的局勢(shì)緊張有一定的減輕。

2021年十大科技趨勢(shì)

除了第三代半導(dǎo)體，科技行業(yè)還有這些趨勢(shì)。

過去幾年，AI 技術(shù)潤(rùn)物細(xì)無聲滲透至傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，例如 AI 走進(jìn)制造企業(yè)，提升質(zhì)檢工作效率。達(dá)摩院認(rèn)為，AI 應(yīng)用于生產(chǎn)環(huán)節(jié)只是開始，汽車、消費(fèi)電子、服裝、鋼鐵、化工等信息化基礎(chǔ)良好的行業(yè)將實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈、生產(chǎn)、資產(chǎn)、物流、銷售等各環(huán)節(jié)的全局智能，最終實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)及運(yùn)營(yíng)效率的大幅提升。

在醫(yī)療領(lǐng)域，業(yè)界公認(rèn) AI 與藥物、疫苗研發(fā)結(jié)合是大勢(shì)所趨，但用 AI 研發(fā)藥物并成功上市的案例極為鮮見。達(dá)摩院指出，新型 AI 算法的迭代及算力突破將解決藥物分子靶點(diǎn)確證、藥物可成藥性等難題，例如在疫苗研發(fā)過程中，AI 可自動(dòng)輸入有效化合物模型，然后與電腦合成程序產(chǎn)生的數(shù)億種不同的化學(xué)化合物對(duì)比篩選，最終快速找到疫苗的優(yōu)質(zhì)候選化合物。

作為人機(jī)交互和人機(jī)混合智能未來技術(shù)，腦機(jī)接口在醫(yī)療領(lǐng)域極具研究?jī)r(jià)值。達(dá)摩院在趨勢(shì)中指出，學(xué)術(shù)界和工業(yè)界正在努力攻克腦信號(hào)的采集和處理難題，幫助人類更好地理解大腦工作原理，技術(shù)的成熟將加速腦機(jī)接口的臨床應(yīng)用，未來將為口不能言、手不能動(dòng)的患者提供精準(zhǔn)康復(fù)服務(wù)。

科學(xué)技術(shù)的發(fā)展總是在不斷發(fā)散與收斂的模式中躍遷。去年，達(dá)摩院曾預(yù)測(cè) “云將成為IT技術(shù)的創(chuàng)新中心”，時(shí)隔一年，云原生成為云計(jì)算領(lǐng)域的新變量，達(dá)摩院提出，未來芯片、開發(fā)平臺(tái)、應(yīng)用軟件乃至計(jì)算機(jī)等將誕生于云上，AI、5G、區(qū)塊鏈等技術(shù)都將以云原生的方式落地，企業(yè)獲取IT服務(wù)的路徑再次被縮短。

想了解更詳實(shí)的中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)未來趨勢(shì)及發(fā)展前景分析請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華出版的《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》

• 相關(guān)深度報(bào)告REPORTS

  

  2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告

  第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬...

  查看詳情

延伸閱讀

推薦閱讀

猜您喜歡