日本半導(dǎo)體材料廠商相繼開始增強(qiáng)產(chǎn)能 半導(dǎo)體行業(yè)分析

• 2021年10月9日 ZhouJiaLiang來源：互聯(lián)網(wǎng) 518 28
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日本的半導(dǎo)體材料廠商將相繼開始增強(qiáng)產(chǎn)能。硅晶圓廠商SUMCO在9月30日宣布投資2287億日元，增產(chǎn)最先進(jìn)的直徑300毫米晶圓。

日本半導(dǎo)體材料廠商相繼開始增強(qiáng)產(chǎn)能

據(jù)媒體報道，日本的半導(dǎo)體材料廠商將相繼開始增強(qiáng)產(chǎn)能。硅晶圓廠商SUMCO在9月30日宣布投資2287億日元，增產(chǎn)最先進(jìn)的直徑300毫米晶圓。此外，富士膠片控股將在到2023財年(截至2024年3月)的3年里，向半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)投資700億日元;將向靜岡縣工廠投入45億日元，提高最尖端的EUV(極紫外)光刻膠的產(chǎn)能。住友電木將對中國子公司蘇州住友電木有限公司投入25億日元，建設(shè)新生產(chǎn)線。

“臻驅(qū)科技”獲3億元B2輪融資

國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)也不斷發(fā)展。據(jù)悉，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體模塊及電驅(qū)動系統(tǒng)解決方案公司“臻驅(qū)科技”完成3億元的B2輪融資，由中金資本領(lǐng)投，容億投資、招商局資本、浦東科創(chuàng)集團(tuán)旗下海望資本等新股東跟投。此外，君聯(lián)資本、福?；?、聯(lián)想創(chuàng)投等老股東繼續(xù)加碼。本輪融資將主要用于多個量產(chǎn)項(xiàng)目的運(yùn)營資金保障、產(chǎn)線擴(kuò)容，以及下一代碳化硅電驅(qū)動方案和功率半導(dǎo)體模塊的研發(fā)和市場推廣。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展處于爆發(fā)前夜

二十一世紀(jì)以來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料開始初露頭角。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導(dǎo)體材料可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。目前，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展處于爆發(fā)前夜，全球資本加速進(jìn)入，產(chǎn)業(yè)、資本同處“搶跑”階段。自2017年至今，近五年時間內(nèi)，全國超20個省、覆蓋超40個城市，新簽約落地第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目超60個，總投資金額超2000億元。盡管全國已布局第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目眾多，但真正量產(chǎn)的并不多，加之下游應(yīng)用市場增長，國內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)品商業(yè)化供給是無法滿足市場需求，尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口。

盡管全國已布局第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目眾多，但由于產(chǎn)線建設(shè)調(diào)試周期較長、項(xiàng)目爛尾等問題，真正量產(chǎn)的并不多;加之下游應(yīng)用市場增長，國內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)品商業(yè)化供給是無法滿足市場需求，尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口，且國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品成本、性能等方面競爭力不足，因此，我國第三代半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低，有數(shù)據(jù)顯示，目前超過八成的產(chǎn)品依賴進(jìn)口。

中國大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體

近年來，在國家及地方政府層面，多次出臺行業(yè)扶持政策，重點(diǎn)發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，解決半導(dǎo)體行業(yè)“卡脖子”問題。在火熱的市場環(huán)境下，各地政府也積極參與到三代半導(dǎo)體項(xiàng)目的投資建設(shè)當(dāng)中。

因三代半導(dǎo)體投資規(guī)模相對較低，產(chǎn)業(yè)鏈上游的材料及生產(chǎn)環(huán)節(jié)不再集中于一二線城市，而是全國遍地開花。數(shù)據(jù)顯示，2018-2020年，我國僅SiC項(xiàng)目政府投資達(dá)到32個，計劃投資金額超過700億。

近兩年的投資熱潮，也使得該領(lǐng)域的企業(yè)普遍估值偏高，產(chǎn)生了泡沫，一些項(xiàng)目在未來3-5年很可能難以落地，行業(yè)將迎來一次洗牌。

在5G信息技術(shù)時代，第三代半導(dǎo)體迎來新發(fā)展機(jī)遇，新基建的實(shí)施助推第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入黃金窗口期，呈現(xiàn)一派發(fā)展好勢頭，有望逐步實(shí)現(xiàn)自主可控、安全可靠的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系，與第一代、第二代半導(dǎo)體優(yōu)勢互補(bǔ)、協(xié)同支撐新一代信息技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展，支撐中國新時期社會經(jīng)濟(jì)的高質(zhì)量發(fā)展。

想要了解更多半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景，請查閱《2021-2025年中國半導(dǎo)體行業(yè)競爭分析及發(fā)展前景預(yù)測報告》。

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