當前半導體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革，其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關(guān)注，有望成為新型的半導體材料。
半導體分立器件是電力電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)之一，也是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一，主要用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等，具有應用范圍廣、用量大等特點，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動控制、計算機及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國民經(jīng)濟領(lǐng)域均有廣泛的應用。
當前半導體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革，其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關(guān)注，有望成為新型的半導體材料。SiC、GaN等半導體材料屬于新興領(lǐng)域，具有極強的應用戰(zhàn)略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺灣等地區(qū)已經(jīng)實現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導體功率器件的量產(chǎn)。新材料半導體的涌現(xiàn)將不斷提升半導體器件的性能，使得產(chǎn)品能夠滿足更多應用領(lǐng)域的需求。
對國內(nèi)市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品，尤其是高功率器件，由于其技術(shù)及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。目前，國內(nèi)行業(yè)內(nèi)企業(yè)通過多年的技術(shù)和資本積累，依托國家產(chǎn)業(yè)政策的重點扶持，也已開始布局新型半導體材料領(lǐng)域，并取得了一定成效。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報告《半導體分立器件項目商業(yè)計劃書(2021年版)》分析
國內(nèi)現(xiàn)狀就是低端產(chǎn)品居多，高端產(chǎn)品還是被國際玩家壟斷，揚杰科技歷來非常注重研發(fā)，研發(fā)人員、研發(fā)費用逐年提高，戰(zhàn)略布局Mosfet及第三代半導體。Mosfet是高端半導體分立器件的一種，利潤率明顯高于目前公司的產(chǎn)品。第三代半導體主要是以碳化硅 (SiC)、氮化鎵(GaN)為代表，即寬禁帶半導體材料。第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，是半導體材料領(lǐng)域最有前景的材料。
進口替代效應將顯著增加
近年來，我國半導體分立器件行業(yè)的產(chǎn)銷規(guī)模不斷擴大，對國外產(chǎn)品的進口替代效應不斷凸顯。未來，隨著國內(nèi)半導體分立器件行業(yè)逐步突破高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，國內(nèi)優(yōu)秀企業(yè)將憑借地緣、技術(shù)和成本等方面的優(yōu)勢獲得更多的發(fā)展機會，我國半導體分立器件對進口的依賴將會進一步減弱，進口替代效應將顯著增加。軍工半導體分立器件產(chǎn)業(yè)長期推行國產(chǎn)化和自主可控，經(jīng)過長期積累，已形成較為成熟的生產(chǎn)工藝和產(chǎn)業(yè)體系，國產(chǎn)化程度較高，尤其在高可靠產(chǎn)品領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢，民用市場為半導體分立器件軍民兩用技術(shù)提供了廣闊的發(fā)空間，相關(guān)軍工企業(yè)有望充分受益于民用市場的拓展。
想要了解更多半導體分立器件行業(yè)的發(fā)展前景，請查閱《半導體分立器件項目商業(yè)計劃書(2021年版)》。
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半導體分立器件項目商業(yè)計劃書（2021年版）
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